【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆晶清洗方法
本专利技术涉及半导体晶圆晶清洗领域,特别是涉及一种半导体晶圆晶清洗方法。
技术介绍
半导体晶圆在生产过程中需要经历清洗以达到去胶、去除刻蚀液、使表面洁净等作用。在半导体晶圆清洗时,有两种清洗方式,一种为单独一块一块进行清洗,另一种为放置到半导体晶圆盒进行运输和清洗。晶圆盒运输和清洗方式由于效率高而越来越多地被晶圆生产厂家所采纳。但是由于晶圆是成排放置在晶圆盒内,晶圆与晶圆之间的间隙越小,则能够容纳更多的晶圆,但是间隙过小时清洗液的流动就会受阻就越不容易清洗干净,因此需要一种能够提高清洗效果的晶圆清洗方式。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种半导体晶圆晶清洗方法。本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的:一种半导体晶圆晶清洗方法,包括以下步骤:S1:使用机械手将装满晶圆的清洗篮机构放置到清洗装置的支撑机构上,清洗篮机构中支撑管为中空并与清洗篮机构中篮体侧板的配合接头连通,且支撑管上成型有具有开口的支撑柱,晶圆被放置于相邻的 ...
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆晶清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1:使用机械手将装满晶圆的清洗篮机构放置到清洗装置的支撑机构上,清洗篮机构中支撑管为中空并与清洗篮机构中篮体侧板的配合接头连通,且支撑管上成型有具有开口的支撑柱,晶圆被放置于相邻的支撑柱之间的间隙内;/nS2:通过伸缩驱动件驱动滑动分水座靠近清洗篮机构,使配合阀连接配合接头,之后通过配合阀向支撑管内注入清洗液,清洗液从开口处喷出并喷洗晶圆;/nS3:喷洗一段时间后,停止清洗液的喷洗后通过配合阀向支撑管内注入清水完成对残留清洗液的清洗;/nS4:清水清洗完毕后,再通入气体进行干燥;/nS5:晶圆干燥后,再由机械手将 ...
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆晶清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:使用机械手将装满晶圆的清洗篮机构放置到清洗装置的支撑机构上,清洗篮机构中支撑管为中空并与清洗篮机构中篮体侧板的配合接头连通,且支撑管上成型有具有开口的支撑柱,晶圆被放置于相邻的支撑柱之间的间隙内;
S2:通过伸缩驱动件驱动滑动分水座靠近清洗篮机构,使配合阀连接配合接头,之后通过配合阀向支撑管内注入清洗液,清洗液从开口处喷出并喷洗晶圆;
S3:喷洗一段时间后,停止清洗液的喷洗后通过配合阀向支撑管内注入清水完成对残留清洗液的清洗;
S4:清水清洗完毕后,再通入气体进行干燥;
S5:晶圆干燥后,再由机械手将清洗篮机构从清洗槽内取走完成清洗。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆晶清洗方法,其特征在于,
S2步骤中还将清洗槽的顶盖关闭,并将清洗槽整体置于抽气室内,S5步骤中,机械手将清洗篮机构从清洗槽内取走前再将清洗槽的顶盖打开。
3.根据权利要求1所述的半导体晶圆晶清洗方法,其特征在于,
S3步骤中如果需要浸洗,则向清洗槽内注入清洗液直至淹没晶圆完成浸洗,并在注入清...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱诚,李刚,霍召军,
申请(专利权)人:无锡亚电智能装备有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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