一种氮化镓材料的外延结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮化镓材料的外延结构，包括外延底座，外延底座包括衬底板，衬底板的上表面均匀光刻有图形结构，图形结构呈正六边形，每个图形结构外围处成型有隔离槽，隔离槽的横向间距等于图形结构的边缘垂直壁厚，衬底板的上表面纵向贴合有电极隔离条，衬底板的上表面横向贴合有分割隔离条，在生产氮化镓元件时，氮化镓在图形结构的上表面以及衬底板的上表面生长，并且在电极隔离条和分割隔离条的内壁之间生长，在隔离为器件大小的同时，还能够预留隔离出电极槽，有效的解决了现有的氮化镓材料在外延生长生产时为一体结构，因此后期切割、蚀刻槽位时比较麻烦的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓材料的外延结构
本技术涉及氮化镓
，具体为一种氮化镓材料的外延结构。
技术介绍
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，常用在发光二极管中，此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高，氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，在灯具中使用该材料时，由于灯具的灯点结构大小平整类似，因此在氮化镓成型后，需要安装一定形状分割，分割过程和电极植入比较麻烦，鉴于以上问题，特提出一种氮化镓材料的外延结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种氮化镓材料的外延结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种氮化镓材料的外延结构，包括外延底座，所述外延底座包括衬底板，的上表面均匀光刻有图形结构，所述图形结构呈正六边形，每个所述图形结构外围处成型有隔离槽，所述隔离槽的横向间距等于图形结构的边缘垂直壁厚，所述衬底板的上表面纵向贴合有电极隔离条，所述衬底板的上表面横向贴合有分割隔离条。优选的，所述图形结构的上表面开设有成型槽。...

【技术保护点】
1.一种氮化镓材料的外延结构，包括外延底座(1)，其特征在于：所述外延底座(1)包括衬底板(11)，衬底板(11)的上表面均匀光刻有图形结构(12)，所述图形结构(12)呈正六边形，每个所述图形结构(12)外围处成型有隔离槽(112)，所述隔离槽(112)的横向间距等于图形结构(12)的边缘垂直壁厚，所述衬底板(11)的上表面纵向贴合有电极隔离条(14)，所述衬底板(11)的上表面横向贴合有分割隔离条(15)。/n

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓材料的外延结构，包括外延底座(1)，其特征在于：所述外延底座(1)包括衬底板(11)，衬底板(11)的上表面均匀光刻有图形结构(12)，所述图形结构(12)呈正六边形，每个所述图形结构(12)外围处成型有隔离槽(112)，所述隔离槽(112)的横向间距等于图形结构(12)的边缘垂直壁厚，所述衬底板(11)的上表面纵向贴合有电极隔离条(14)，所述衬底板(11)的上表面横向贴合有分割隔离条(15)。


2.根据权利要求1所述的一种氮化镓材料的外延结构，其特征在于：所述图形结构(12)的上表面开设有成型槽(13)。


3.根据权利要求2所述的一种氮化镓材料的外延结构，其特征在于：所述成型槽(13)的垂直厚度等于图形结构(12)的边缘垂直壁厚的二分之一。


4.根据权利要求3所述的一种氮化镓材料的外延结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹宝堂，吴军，田泽，田露，黎力韬，
申请(专利权)人：广西华智芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广西;45