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本实用新型公开了一种氮化镓材料的外延结构,包括外延底座,外延底座包括衬底板,衬底板的上表面均匀光刻有图形结构,图形结构呈正六边形,每个图形结构外围处成型有隔离槽,隔离槽的横向间距等于图形结构的边缘垂直壁厚,衬底板的上表面纵向贴合有电极隔离条...该专利属于广西华智芯半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过广西华智芯半导体科技有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种氮化镓材料的外延结构,包括外延底座,外延底座包括衬底板,衬底板的上表面均匀光刻有图形结构,图形结构呈正六边形,每个图形结构外围处成型有隔离槽,隔离槽的横向间距等于图形结构的边缘垂直壁厚,衬底板的上表面纵向贴合有电极隔离条...