【技术实现步骤摘要】
存储器刷新调节方法、装置、调节电路及存储器件
本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种存储器刷新调节方法、装置、调节电路以及存储器件。
技术介绍
DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存储器)是用电容来存储，即使通着电，随着时间和温度的变化，信息也会丢失，因此，必须每隔一段时间刷新一次，这个时间称为刷新周期。DRAM存储阵列中存储单元的电荷保持时间与温度有强相关，漏电流在高温下更易导致存储失效。因此，高温容易导致漏电增大，DRAM存储阵列也就更易出现retention问题，带来片内系统(SIP)工作的可靠性和稳定性风险。尤其是对于3D封装形式的DRAM存储器，片内更多的互联线以及更多层的堆叠芯片导致复杂的片内热分布与热特性，受温度影响导致的retention问题更为显著。目前，对于DRAM存储阵列的retention问题，常用的解决方式有通过片内ECC(ErrorCheckingandCorrecting，错误检查与纠正)检测以及纠正数据存储错误，但是ECC纠错能力有限，当r...
【技术保护点】
1.一种存储器刷新调节方法，其特征在于，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块，所述方法包括：/n分别获取每个存储区域的ECC模块输出的报错信息，并基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计；/n分别检测每个所述存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值，将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域；/n将所述目标存储区域的刷新控制频率从默认频率调整为设定频率，并启动预设的计时器，并将所述目标存储区域对应的当前错误统计数量清零，其中，所述刷新控制频率为存储区域每接...
【技术特征摘要】
1.一种存储器刷新调节方法，其特征在于，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块，所述方法包括：
分别获取每个存储区域的ECC模块输出的报错信息，并基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计；
分别检测每个所述存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值，将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域；
将所述目标存储区域的刷新控制频率从默认频率调整为设定频率，并启动预设的计时器，并将所述目标存储区域对应的当前错误统计数量清零，其中，所述刷新控制频率为存储区域每接收到一个刷新指令时执行的刷新次数，所述设定频率大于所述默认频率；
若计时时间达到预设时长，则将所述目标存储区域的刷新控制频率恢复为所述默认频率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计，包括：
基于所述报错信息确定所述存储区域的ECC模块检测到的错误类型；
若所述错误类型为可修复错误类型，则将所述存储区域的累计错误数量增加第一预设个数；
若所述错误类型为不可修复错误，则将所述存储区域的累计错误数量增加第二预设个数，其中，所述第二预设个数大于所述第一预设个数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述目标存储区域的刷新控制频率从默认频率调整为设定频率，包括：
若所述目标存储区域的累计错误数量大于或等于第一预设阈值且小于第二预设阈值，则将所述目标存储区域的刷新控制频率从所述默认频率调整为第一设定频率；
若所述目标存储区域的累计错误数量大于第二预设阈值，则将所述目标存储区域的刷新控制频率从所述默认频率调整为第二设定频率，其中，所述第二预设阈值大于所述第一预设阈值，所述第二设定频率大于所述第一设定频率。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
对所述目标存储区域的物理层信息进行统计，并上报统计结果。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设时长为所述动态随机存储器的刷新周期。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述动态随机存储器为3D封装的动态随机存储器。
7.一种存储器刷新调节装置，其特征在于，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块，所述装置包括：
统计模块，用于分别获取每个存储区域的ECC模块输出的报错信息，并基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计；
调节...
【专利技术属性】
技术研发人员：王小光，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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