【技术实现步骤摘要】
存储器刷新补偿方法、装置、补偿电路及存储器件
本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种存储器刷新补偿方法、装置、补偿电路以及存储器件。
技术介绍
DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存储器)的存储单元电荷泄露是不可避免的问题，需要周期性刷新以确保存储单元中的数据信息不丢失。由于DRAM的这一特性，DRAM存储器容易受到比特翻转攻击ROWHAMMER的威胁，即多次针对同一字线(worldline，简称WL)进行开关操作，会导致相邻WL上的存储单元有电荷泄露的风险和后果，导致失效。而且，存储阵列中数据保持性能(retention)较弱的存储单元更易失效，需要在最大访问次数MAC到达前，及时刷新以在一定程度上降低失效。另外，存储阵列中存储单元的电荷保持时间与温度有强相关，漏电流在高温下更易导致存储失效。因此，高温容易导致漏电增大，DRAM存储阵列也就更易出现retention问题，带来片内系统(SIP)工作的可靠性和稳定性风险。尤其是对于3D封装形式的DRAM存储器，片内更多的互联线以及...
【技术保护点】
1.一种存储器刷新补偿方法，其特征在于，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块，所述方法包括：/n分别获取每个存储区域的ECC模块输出的报错信息，并基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计；/n分别检测每个所述存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值，将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域；/n将所述目标存储区域的同步刷新行数从默认行数调整为设定行数，启动对刷新指令的计数，并将所述目标存储区域对应的当前错误统计数量清零，其中，所述设定行数为所述默认行数的2
【技术特征摘要】
1.一种存储器刷新补偿方法，其特征在于，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块，所述方法包括：
分别获取每个存储区域的ECC模块输出的报错信息，并基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计；
分别检测每个所述存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值，将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域；
将所述目标存储区域的同步刷新行数从默认行数调整为设定行数，启动对刷新指令的计数，并将所述目标存储区域对应的当前错误统计数量清零，其中，所述设定行数为所述默认行数的2N倍，N为大于或等于1的整数；
若所述刷新指令的累计数量达到目标值，则将所述目标存储区域的同步刷新行数恢复到默认行数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计，包括：
基于所述报错信息确定所述存储区域的ECC模块检测到的错误类型；
若所述错误类型为可修复错误类型，则将所述存储区域的累计错误数量增加第一预设个数；
若所述错误类型为不可修复错误，则将所述存储区域的累计错误数量增加第二预设个数，其中，所述第二预设个数大于所述第一预设个数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述目标存储区域的同步刷新行数从默认行数调整为设定行数，包括：
若所述目标存储区域的累计错误数量大于或等于第一预设阈值且小于第二预设阈值，则将所述目标存储区域的同步刷新行数从所述默认行数调整为第一设定行数；
若所述目标存储区域的累计错误数量大于第二预设阈值，则将所述目标存储区域的同步刷新行数从所述默认行数调整为第二设定行数，其中，所述第二预设阈值大于所述第一预设阈值，所述第二设定行数大于所述第一设定行数。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
对所述目标存储区域的物理层信息进行统计，并上报统计结果。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标值为所述动态随机存储器在预设刷新周期内接收到的刷新指令个数。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述动态随机存储器为3D封装的动态随机存储器。
7.一种存储器刷新补偿装置，其特征在于，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块，所述装置包括：
统计模块，用于分别获取每个存储区域对应的ECC模块输出的报错信息，并基于所述报错信息分别对每...
【专利技术属性】
技术研发人员：王小光，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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