基座组件、包括其的MOCVD装置及用于从MOCVD装置引出上基座的控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基座组件及包括其的MOCVD装置，所述基座组件通过上基座和下基座的双层结构来减少支承面上的温度偏差。根据本发明专利技术的一实施例的基座组件包括：基座，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面；以及下基座，支承所述上基座，所述上基座和所述下基座涂布有彼此不同种类的物质。根据本发明专利技术的基座组件以及包括其的MOCVD装置，通过减少支承基板的支承面上的温度不均匀性，能够在基板上生长具有更均匀特性的薄膜，并使用通过MOCVD工艺生长的基板，能够在制作元件时获得高产率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基座组件、包括其的MOCVD装置及用于从MOCVD装置引出上基座的控制方法
本专利技术涉及一种基座组件、包括其的MOCVD装置及用于从MOCVD装置引出上基座的控制方法，更具体地涉及一种通过上基座和下基座的双层结构来减少支承面上的温度偏差的基座组件、包括其的MOCVD装置以及用于从MOCVD装置引出上基座的控制方法。
技术介绍
化学气相沉积(CVD；ChemicalVaporDeposition)是指在被覆的基板上流入原料气体，并通过施加外部能量来分解原料气体，从而通过气相化学反应形成薄膜的技术。为了正常进行化学反应，需要精密控制各种工艺条件以及环境，并需要供应用于激活的能量以使原料气体自发性地引起化学反应。化学气相沉积可以分为利用几～数百个mTorr的低压力的LPCVD(LowPressureCVD；低压化学气相沉积)、利用等离子体激活原料气体的PECVD(Plasma-EnhancedCVD；等离子体增强化学气相沉积)、将在金属元素上键合有机物反应基团形态的气体分子用作原料的MOCVD(Metal-OrganicCV本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基座组件，包括：/n上基座，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面；以及/n下基座，支承所述上基座，/n所述上基座和所述下基座涂布有彼此不同种类的物质。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181228 KR 10-2018-0172340;20191226 KR 10-2019-011.一种基座组件，包括：
上基座，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面；以及
下基座，支承所述上基座，
所述上基座和所述下基座涂布有彼此不同种类的物质。


2.根据权利要求1所述的基座组件，其中，
所述下基座涂布成具有低于所述上基座的辐射率。


3.根据权利要求1所述的基座组件，其中，
所述上基座的表面的至少一部分涂布有碳化硅，
所述下基座的表面的至少一部分涂布有碳化钽。


4.根据权利要求1所述的基座组件，其中，
所述上基座对于沿着与所述下基座的接触面的方向是约束性而对于与所述接触面垂直的方向是非约束性地被所述下基座支承。


5.根据权利要求4所述的基座组件，其中，
在所述上基座以及所述下基座中的任意一个形成有至少一个凸出部，在另一个形成有至少一个凹陷部以使得能够与所述凸出部装配。


6.根据权利要求5所述的基座组件，其中，
在所述下基座的中心形成有所述凸出部，在所述上基座中形成有所述凹陷部，
所述凸出部形成为，随着从所述下基座前往端部，所述凸出部的截面的面积逐渐减少。


7.根据权利要求6所述的基座组件，其中，
所述截面的形状在与所述下基座相邻的部分形成为多边形，在与所述端部相邻的部分形成为圆形。


8.根据权利要求6所述的基座组件，其中，
所述截面的形状在与所述下基座相邻的部分形成为圆形，在与所述端部相邻的部分形成为多边形。


9.根据权利要求5所述的基座组件，其中，
所述凹陷部沿着所述下基座的外廓部分具有长形状且形成有多个，所述凸出部在与所述凹陷部对应的位置配置有多个。


10.根据权利要求1所述的基座组件，其中，
在所述下基座的上方沿着圆周形成有沟槽。


11.根据权利要求1所述的基座组件，其中，
所述上基座具有向周向凸出的勾挂部。


12.根据权利要求1所述的基座组件，其中，
所述下基座为圆筒形状，直径相对于厚度的比率(直径/厚度)为10以下。


13.一种MOCVD装置，包括：
上基座，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面；
下基座，支承所述上基座；以及
感应线圈，配置成围绕所述上基座...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔成哲，赵广一，朴兵益，金南绪，张钟珍，徐东湜，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR