一种阴影环及包含该阴影环的反应腔结构制造技术

本发明专利技术公开了一种阴影环及反应腔结构，其中阴影环包括：上表面；环形内径；环形外径；下表面；以及多个突出部，其被布置在所述环形外径上；所述突出部内设有拨片结构，拨片结构与所述下表面间设有开合角。一种反应腔结构，包括加热盘，在反应腔室内所述加热盘的外围沿径向依次设置有抽气环、阴影环及陶瓷套；所述陶瓷套套接与加热盘外，加热盘中设有晶圆槽；所述阴影环直接作用于晶圆，将晶圆定位于晶圆槽中，其中所述陶瓷套引导阴影环执行定位动作；应用上述反应腔体结构，实现了晶圆与阴影环的直接定位，同时解决了由传片和通气晶圆偏移造成的不同心问题，防止了晶圆的边缘及背面长膜的同时，控制晶圆表面边缘的薄膜形貌及片内薄膜的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种阴影环及包含该阴影环的反应腔结构
本专利技术公开涉及半导体晶片处理设备的
，尤其涉及一种阴影环及包含该阴影环的反应腔结构。
技术介绍
现有技术中晶圆在沉积薄膜时，利用边缘环来防止边缘长膜，其固定方式是采用三个定位销，将边缘环固定在基片架上，虽然保证了边缘环与加热盘的同心度，但由于传片的偏移量及通气后造成的晶圆的偏移未进行考虑，导致忽略了晶圆与边缘环的同心度，故而导致沉积薄膜边缘的形貌存在差异，均匀性差的问题。因此，研发一种结构能够保证在PECVD沉积薄膜的过程中，控制晶圆表面边缘的薄膜形貌及均匀性是人们亟待解决的问题。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术公开提供了一种阴影环及包含该阴影环的反应腔结构，以实现在PECVD沉积薄膜的过程中，防止晶圆的边缘及背面长膜，控制晶圆表面边缘的薄膜形貌及片内薄膜的均匀性。本专利技术一方面提供了一种阴影环，该阴影环被配置在PECVD设备反应腔中，作用于加热盘上的晶圆调整位置过程中；所述阴影环包括：上表面；环形内径；环形外径；下表面；以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阴影环，其特征在于，被配置在PECVD设备反应腔中，作用于加热盘上的晶圆调整位置过程中；所述阴影环(102)包括：/n上表面；/n环形内径；/n环形外径；/n下表面；以及/n多个突出部，其被布置在所述环形外径上；所述突出部内设有拨片结构，拨片结构与所述下表面间设有开合角。/n

【技术特征摘要】
1.一种阴影环，其特征在于，被配置在PECVD设备反应腔中，作用于加热盘上的晶圆调整位置过程中；所述阴影环(102)包括：
上表面；
环形内径；
环形外径；
下表面；以及
多个突出部，其被布置在所述环形外径上；所述突出部内设有拨片结构，拨片结构与所述下表面间设有开合角。


2.根据权利要求1所述的一种阴影环，其特征在于，所述多个突出部等间距分布在环形外径上。


3.一种反应腔结构，其特征在于，包括加热盘(103)，在反应腔室内所述加热盘(103)的外围沿径向依次设置有抽气环(101)、阴影环(102)及陶瓷套(104)；所述陶瓷套(104)套接与加热盘(103)外，加热盘(103)中设有晶圆槽；所述阴影环(102)直接作用于晶圆，将晶圆定位于晶圆槽中，其中所述陶瓷套(104)引导阴影环(102)执行定位动作；
所述阴影环(102)放置于抽气环(101)上，悬于反应腔的内部结构中；其中阴影环(102...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴智，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21