【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆承载结构及有机金属化学气相沉积装置
本专利技术涉及一种半导体制程设备，尤其涉及一种包括图案化镀膜层的半导体晶圆承载结构及有机金属化学气相沉积装置。
技术介绍
近年来，发光二极管(Light-emittingdiode；LED)的应用领域相当多元，例如照明装置、显示器、行动装置等。发光二极管具有反应速度快、高亮度、体积小、消耗功率低、色彩饱和度高等优点。而为了满足各种使用需求下的性能规格，不同样式或材料组成的发光二极管组件不断挑战相关产业的设计与量产能力。举例来说，应用于显示器的微型发光二极管(microLED)，其磊晶层的物理及化学特性需要达到高度的均匀性，才能使装置的发光波长均匀，并满足所需的显示质量要求。在形成微型发光二极管组件的磊晶层的制造过程中，有机金属化学气相沉积(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition；MOCVD)为较常使用的技术之一。而为了满足磊晶层波长均匀性的要求，制造装置的承载结构的温场分布也是需要考虑的一大问题，若承载结构的温场分布不均匀，会导致后续形成...
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆承载结构，包括：/n承载本体，具有表面；/n保护膜层，覆盖所述表面；/n承载盘，设置于所述承载本体上；以及/n图案化镀膜层，形成于所述承载盘上，其中所述图案化镀膜层具有两种以上不同的厚度。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆承载结构，包括：
承载本体，具有表面；
保护膜层，覆盖所述表面；
承载盘，设置于所述承载本体上；以及
图案化镀膜层，形成于所述承载盘上，其中所述图案化镀膜层具有两种以上不同的厚度。
2.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中所述图案化镀膜层的图案相对所述承载盘的中心对称分布。
3.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中形成所述图案化镀膜层的材料包括碳化硅、碳化钽、石墨、陶瓷、石英、石墨烯、类钻石膜、或上述的组合。
4.根据权利要求3的半导体晶圆承载结构，其中所述承载盘的材料包括碳化硅、石墨、或上述的组合。
5.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中所述图案化镀膜层的剖面形状包括矩形、梯形、弧形、三角形、或上述的组合。
6.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中所述图案化镀膜层定义有基准面，且所述图案化镀膜层更包括：高于所述基准面的凸出部、低于所述基准面的凹陷部、或上述的组合。
7.根据权利要求6的半导体晶圆承载结构，其中所述凸出部相对所述基准面凸出1微米至100微米的厚度。
8.根据权利要求6的半导体晶圆承载结构，其中所述凸出部包括第一凸出部以及环绕所述第一凸出部的第二凸出部。
9.根据权利要求8的半导体晶圆承载结构，其中所述第一凸出部覆盖所述承载盘的中心。
10.根据权利要求9的半导体晶圆承载结构，其中所述第二凸出部环状设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖彦霖，吴俊德，陈佶亨，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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