半导体器件及其制造方法技术

一种制造半导体器件的方法包括：提供衬底，该衬底限定逻辑区域和存储器区域；在逻辑区域和存储器区域上沉积底部电极层；在底部电极层上方沉积磁隧道结(MTJ)层；在MTJ层上方沉积第一导电层；在第一导电层上方沉积牺牲层；蚀刻存储器区域中的牺牲层，以暴露存储器区域中的第一导电层，同时保持逻辑区域中的第一导电层被覆盖；在存储器区域和逻辑区域中沉积第二导电层；图案化第二导电层以暴露存储器区域中的MTJ层；以及蚀刻图案化的第二导电层和MTJ层以在存储器区域中分别形成顶部电极和MTJ。本发明专利技术的实施例还涉及半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体用于包括收音机、电视机、手机和个人计算器件的电子应用的集成电路中。一种类型的众所周知的半导体器件是诸如动态随机存取存储器(DRAM)或闪存的半导体存储器件，两者均使用电荷来存储信息。半导体存储器器件中的最新发展涉及使用自旋电子器件的磁阻随机存取存储器(MRAM)，MRAM将半导体技术与磁性材料和器件相结合。电子的自旋极化而不是电子的电荷用于指示“1”或“0”的状态。一种这样的自旋电子器件是使用自旋扭矩传递(STT)的磁隧道结(MTJ)器件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括逻辑区域和存储器区域；在所述逻辑区域和所述存储器区域上沉积底部电极层；在所述底部电极层上方沉积磁隧道结(MTJ)层；在所述磁隧道结层上方沉积第一导电层；在所述第一导电层上方沉积牺牲层；蚀刻所述存储器区域中的所述牺牲层，以暴露所述存储器区域中的所述第一导电层，同时保持所述逻辑区域中的所述第一导电层被覆盖；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n提供衬底，所述衬底包括逻辑区域和存储器区域；/n在所述逻辑区域和所述存储器区域上沉积底部电极层；/n在所述底部电极层上方沉积磁隧道结(MTJ)层；/n在所述磁隧道结层上方沉积第一导电层；/n在所述第一导电层上方沉积牺牲层；/n蚀刻所述存储器区域中的所述牺牲层，以暴露所述存储器区域中的所述第一导电层，同时保持所述逻辑区域中的所述第一导电层被覆盖；/n在所述存储器区域和所述逻辑区域中沉积第二导电层；/n图案化所述第二导电层以暴露所述存储器区域中的所述磁隧道结层；以及/n蚀刻图案化的第二导电层和所述磁隧道结层，以在所述存储器区域中分别形成顶部电极和磁隧道结。/...

【技术特征摘要】
20200422 US 63/014,081;20210205 US 17/168,9741.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供衬底，所述衬底包括逻辑区域和存储器区域；
在所述逻辑区域和所述存储器区域上沉积底部电极层；
在所述底部电极层上方沉积磁隧道结(MTJ)层；
在所述磁隧道结层上方沉积第一导电层；
在所述第一导电层上方沉积牺牲层；
蚀刻所述存储器区域中的所述牺牲层，以暴露所述存储器区域中的所述第一导电层，同时保持所述逻辑区域中的所述第一导电层被覆盖；
在所述存储器区域和所述逻辑区域中沉积第二导电层；
图案化所述第二导电层以暴露所述存储器区域中的所述磁隧道结层；以及
蚀刻图案化的第二导电层和所述磁隧道结层，以在所述存储器区域中分别形成顶部电极和磁隧道结。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在沉积所述底部电极层之前：
形成具有金属线的金属线层；
在所述金属线上方的所述存储器区域和所述逻辑区域中沉积第一介电层；以及
在所述存储器区域中的所述第一介电层内形成底部电极通孔。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，蚀刻所述图案化的第二导电层和所述磁隧道结层以在所述存储器区域中分别形成所述顶部电极和所述磁隧道结包括减小所述逻辑区域中的所述第一介电层的厚度。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，在完成蚀刻所述第一介电层的厚度之后，所述金属线由所述逻辑区域中的所述第一介电区域覆盖。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述第二导电层以暴露所述存储器区域中的所述磁隧道结层包括去除所述逻辑区域中的所述第二导电层。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第二导电层上方沉积掩模层，其中，图案化所述第二导电层以暴露所述存储器区域中的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：简钰人，吴荣堂，吴思桦，李锦思，吴孟谕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71