MTJ器件的制作方法技术

本发明专利技术提供一种MTJ器件的制作方法，所述方法包括：在衬底上沉积参考层薄膜、势垒层薄膜和自由层薄膜；在所述自由层薄膜上采用射频磁控溅射工艺沉积第一金属氧化物薄膜；在所述第一金属氧化物薄膜上采用直流磁控溅射工艺沉积第一金属薄膜；对所述第一金属薄膜进行氧化处理，以形成第二金属氧化物薄膜。本发明专利技术能够在自由层薄膜和第一金属氧化物薄膜之间形成均匀氧化的界面结构，使得自由层的矫顽力比较均匀。

【技术实现步骤摘要】
MTJ器件的制作方法
本专利技术涉及磁性存储器
，尤其涉及一种MTJ器件的制作方法。
技术介绍
自旋转移力矩磁性随机存储器(SpinTransferTorqueMagneticRandomAccessMemory，简称STT-MRAM)是一种新型非易失存储器，其核心存储单元为磁性隧道结(MTJ器件)。典型的MTJ器件主要由参考层、绝缘势垒层和自由层组成，其中参考层的磁化方向保持不变，仅改变自由层的磁化方向使之与参考层同向或反向。当参考层与自由层的磁化方向相同时，MTJ器件表现为低电阻状态(Rp)；而当参考层与自由层磁化方向相反时，MTJ器件表现为高电阻状态(Rap)。MRAM分别利用MTJ器件的Rp状态和Rap状态来表示逻辑状态“1”和“0”，从而实现数据的存储。MRAM的存储单元普遍采用垂直磁化MTJ(p-MTJ)，p-MTJ的自由层和参考层磁化方向均垂直于薄膜表面。随着p-MTJ尺寸的缩小，为保证p-MTJ器件中数据能够长时间保存，需要在自由层顶部增加一层氧化物覆盖层(如MgO)，来增强自由层与势垒层和氧化物覆盖层之间界面的垂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MTJ器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：/n在衬底上沉积参考层薄膜、势垒层薄膜和自由层薄膜；/n在所述自由层薄膜上采用射频磁控溅射工艺沉积第一金属氧化物薄膜；/n在所述第一金属氧化物薄膜上采用直流磁控溅射工艺沉积第一金属薄膜；/n对所述第一金属薄膜进行氧化处理，以形成第二金属氧化物薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种MTJ器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上沉积参考层薄膜、势垒层薄膜和自由层薄膜；
在所述自由层薄膜上采用射频磁控溅射工艺沉积第一金属氧化物薄膜；
在所述第一金属氧化物薄膜上采用直流磁控溅射工艺沉积第一金属薄膜；
对所述第一金属薄膜进行氧化处理，以形成第二金属氧化物薄膜。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述射频磁控溅射工艺的条件为：沉积功率为200～400W，压力为5～10mTorr，Ar流量为20～50sccm，沉积速率为0.005～0.01A/s。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述直流磁控溅射工艺的条件为：沉积功率为200～600W，压力为6～20mTorr，Ar流量为25～40sccm，沉积速率为0.008～0.02A/s。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一金属薄膜进行氧化处理，包括：通入氧气(O2)使所述第一金属薄膜发生氧化，或者，利用等离子体产生的氧原子使所述第一金...

【专利技术属性】
技术研发人员：简红，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33