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本发明提供一种MTJ器件的制作方法，所述方法包括：在衬底上沉积参考层薄膜、势垒层薄膜和自由层薄膜；在所述自由层薄膜上采用射频磁控溅射工艺沉积第一金属氧化物薄膜；在所述第一金属氧化物薄膜上采用直流磁控溅射工艺沉积第一金属薄膜；对所述第一金属薄...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

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