【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示设备、显示面板的制备方法
本申请涉及显示
,具体而言,本申请涉及一种显示面板、显示设备、显示面板的制备方法。
技术介绍
在显示设备领域,显示面板在使用时容易出现Mura现象(亮度不均匀,造成各种痕迹的现象)。本申请的专利技术人经过研究发现,导致上述缺陷的原因之一在于,在显示面板的有源层中,某些沟道区域之间的载流子浓度的差别较大,这就造成显示面板中薄膜晶体管的性能的差异化,进而导致显示面板易出现Mura现象。
技术实现思路
本申请针对现有方式的缺点,提出一种显示面板、显示设备、显示面板的制备方法,用以因某些沟道区域之间的载流子浓度的差别较大,而导致的显示面板易出现Mura现象的技术问题。第一方面,本申请实施例提供了一种显示面板,包括层叠设置的基板和薄膜晶体膜层组;薄膜晶体膜层组包括层叠设置的有源层、绝缘层以及栅极层;有源层包括多个沟道区域,多个沟道区域分为载流子浓度较高的第一沟道区域、以及载流子浓度较低的第二沟道区域;绝缘层的第一部分设置在第一沟道区域,绝缘层的第二部分设置在第二沟道区域,绝缘层中第一部分的厚度大于第二部分的厚度;栅极层包括多个栅极,各栅极与各沟道区域一一对应。第二方面,本申请实施例提供了一种显示设备,包括本申请实施例提供的显示面板。第三方面,本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法,用于制备本申请实施例提供的显示面板,包括:在基板上制备薄膜晶体膜层组,使得绝缘层中较厚的第一部分设置在有源层的第一沟道区域,绝 ...
【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括层叠设置的基板和薄膜晶体膜层组;/n所述薄膜晶体膜层组包括层叠设置的有源层、绝缘层以及栅极层;/n所述有源层包括多个沟道区域,多个所述沟道区域分为载流子浓度较高的第一沟道区域、以及载流子浓度较低的第二沟道区域;/n所述绝缘层的第一部分设置在所述第一沟道区域,所述绝缘层的第二部分设置在所述第二沟道区域,所述绝缘层中第一部分的厚度大于第二部分的厚度;所述栅极层包括多个栅极,各所述栅极与各所述沟道区域一一对应。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括层叠设置的基板和薄膜晶体膜层组;
所述薄膜晶体膜层组包括层叠设置的有源层、绝缘层以及栅极层;
所述有源层包括多个沟道区域,多个所述沟道区域分为载流子浓度较高的第一沟道区域、以及载流子浓度较低的第二沟道区域;
所述绝缘层的第一部分设置在所述第一沟道区域,所述绝缘层的第二部分设置在所述第二沟道区域,所述绝缘层中第一部分的厚度大于第二部分的厚度;所述栅极层包括多个栅极,各所述栅极与各所述沟道区域一一对应。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层包括栅极绝缘层和至少一个第一材料膜,所述栅极绝缘层贴合于所述有源层,至少一个所述第一材料膜设置在于所述栅极绝缘层中远离所述有源层的一侧;
所述栅极绝缘层与所述第一材料膜叠置的区域为所述绝缘层的第一部分,所述栅极绝缘层中未被所述第一材料膜设置在的区域为所述绝缘层的第二部分;
所述第一沟道区域具有第一浓度的载流子,所述第二沟道区域具有正常浓度的载流子,所述第一浓度高于所述正常浓度。
3.根据权利要求2所述的显示面板,所述第一材料膜采用的材料包括温变材料,所述温变材料包括二氧化钒。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层为栅极绝缘层,所述栅极绝缘层中远离所述有源层的一侧设置有至少一个凹槽;
所述栅极绝缘层中未开设所述凹槽的区域为所述绝缘层的第一部分,所述栅极绝缘层中设置有所述凹槽的区域为所述绝缘层的第二部分;
所述第一沟道区域具有正常浓度的载流子,所述第二沟道区域具有第二浓度的载流子,所述第二浓度低于所述正常浓度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示面板,多个所述沟道区域都属于像素电路中薄膜晶体管的沟道区域。
6.一种显示设备,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一项所述的显示面板。
7.一种显示面板的制备方法,用于制备如权利要求1-5中任一项所述的显示面板,其特征在于,包括:
在基板上制备薄膜晶体膜层组,使得绝缘层中较厚的第一部分设置在有源层的第一沟道区域,绝缘层中较薄的第一部分设置在有源层的第二沟道区域。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,包括:
在基板上制备初始态有源层,对所述初始态有源层中各沟道区域进行掺杂,形成有源层;
在所述有源层上制备初始态绝缘层;
在所述初始态绝缘层上制备第一光刻胶层;
根据所述有源层中各所述沟道区域的载流子浓度和位置信息,保留所述第一光刻胶层中对应所述有源层中各第一沟道区域的部分,并去除所述第一光刻胶层的其它部分;或者,根据所述有源层中各所述沟道区域的载流子浓度和位置信息,去除所述第一光刻胶层中对应所述有源层中各第二沟道区域的部分,并保留所述第一光刻胶层的其它部分;
以被保留的所述第一光刻胶层为掩膜,对所述初始态绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:倪柳松,赵策,王明,王庆贺,胡迎宾,宋威,程磊磊,黄勇潮,
申请(专利权)人:合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。