本实用新型专利技术公开了一种阵列基板、显示面板以及显示装置，阵列基板包括：衬底、设置在衬底上的驱动电路层和覆盖驱动电路层的钝化层，驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管和多条信号线，阵列基板还包括设置在钝化层靠近衬底一侧的至少一个致密层，致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影。本实用新型专利技术提供的阵列基板通过在钝化层靠近衬底的一侧设置致密层并使致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影，从而防止水汽通过钝化层进入驱动电路层，避免水分接触并腐蚀驱动电路层的信号线，进而避免信号线在跨接位置因发生腐蚀导致的短路问题。
【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板以及显示装置
本技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
技术介绍
随着TFTLCD的不断发展，人们对像素分辨率的追求越来越高，也越来越要求大尺寸的显示面板，因此诸如75英寸8K、110英寸8K等尺寸的电视产品应运而生，也因此发展出了氧化物技术，该技术中氧化物指IGZO。与传统的a-SiTFT相比，IGZOTFT具有高透明度、高迁移率、可在柔性衬底上低温工艺大面积制备等特点，在高分辨率平板显示器、传感器以及柔性电子器件等方面被广泛应用。然而由于制作工艺的限制，导致利用IGZO的产品的栅绝缘(GI)层的膜质和钝化(PVX)层的膜质相对a-Si产品比较疏松，防水性能差，在高温高湿环境中容易发生外部水汽穿过封框胶进入到面板内的膜层中，导致驱动电路中的信号线被腐蚀。
技术实现思路
为了解决上述问题至少之一，本申请第一方面提供一种阵列基板，包括衬底、设置在衬底上的驱动电路层和覆盖驱动电路层的钝化层，驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管和多条信号线，阵列基板还包括设置在钝化层靠近衬底一侧的至少一个致密层，致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影。在一些可选的实施例中，驱动电路层包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层和源漏层，至少一个致密层包括设置在源漏层远离衬底一侧的第一致密层。在一些可选的实施例中，第一致密层包括N2O和硅烷，N2O和硅烷的比例为70:1。在一些可选的实施例中，至少一个致密层还包括设置在栅极绝缘层和源漏层之间的第二致密层。在一些可选的实施例中，驱动电路层包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层和源漏层，至少一个致密层包括设置在栅极绝缘层和源漏层之间的第二致密层。在一些可选的实施例中，第二致密层为设置在栅绝缘层上的疏水层。在一些可选的实施例中，疏水层包括氟离子基团。在一些可选的实施例中，氧化物薄膜晶体管为顶栅结构或底栅结构。本申请第二方面提供一种显示面板，包括本申请第一方面所述的氧化物阵列基板。本申请第三方面提供一种显示装置，包括本申请第二方面所述的显示面板。本技术的有益效果如下：本技术针对目前现有的问题，制定一种阵列基板、显示面板以及显示装置，通过在包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板中设置致密层，并且该致密层位于钝化层靠近衬底的一侧，并使致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影，从而可以防止水汽通过钝化层进入驱动电路层，从而避免水分接触并腐蚀驱动电路层的信号线栅极布线和数据布线，进而避免信号线在跨接位置的信号线因发生腐蚀导致的短路问题，有效提高了显示产品的使用寿命，具有广泛的应用前景。附图说明下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。图1为根据现有技术的显示面板的示意性剖视图。图2a-2b分别示出现有技术中驱动电路区的信号线的跨接位置被水汽腐蚀损坏的现象。图3为示出阵列基板中驱动电路的信号线的示意性俯视图。图4为沿图3中的AA′线截取的、根据本申请的实施例的阵列基板的示意性剖视图。图5为根据本申请的实施例的阵列基板的显示区域的示意性局部剖视图。图6为沿图3中的AA′线截取的、根据本申请的另一实施例的阵列基板的示意性剖视图。图7为根据本申请的另一实施例的阵列基板的显示区域的示意性局部剖视图。图8为沿图3中的AA′线截取的、根据本申请的再一实施例的阵列基板的示意性剖视图。具体实施方式为了更清楚地说明本技术，下面结合优选实施例和附图对本技术做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本技术的保护范围。除非另外定义，本专利技术使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其它元件或者物件。在显示领域的半导体技术中，IGZO是铟(Indium)、镓(Gallium)、锌(Zinc)、氧(Oxygen)首字母的缩写，全称为铟镓锌氧化物，由In2O3、Ga2O3和ZnO构成，一般用于TFT中的沟道层材料。IGZO是依靠Sputter镀膜沉积的，其沉积温度一般比较高，因此与之匹配的GI层和PVX层的工艺条件均需要优化，一般是由NSix材料改成SiOx，这样会导致利用IGZO的产品的GI层的膜质和PVX层的膜质相对a-Si产品比较疏松，防水性能差。显示面板中阵列基板的驱动电路包括多个用于栅极驱动和数据传输的信号线并存在信号线的跨接；然而如图1所示现有技术显示面板的示例性剖视图，其包括衬底1、栅极层2、栅极绝缘层3、源漏层4、钝化层5、封框胶6和彩膜层7，按照该设置，疏松且防水性能差的栅极绝缘层和钝化层不足以阻挡由封框胶进入的水汽，跨接位置的电压差周期性变化与水汽相互作用会对跨接位置产生腐蚀，其中图2a为GOA外围区域因水汽进入导致CLK信号线与CLK信号线的跨接位置发生腐蚀的案例，其中图2a为电路背面，图2b为电路背面。针对上述问题，如图3和4所示，本申请的实施例提供一种阵列基板，包括衬底、设置在衬底上的驱动电路层和覆盖驱动电路层的钝化层，驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管和多条信号线，阵列基板还包括设置在钝化层靠近衬底一侧的至少一个致密层，致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影。在本实施例中，通过在包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板中设置致密层，并且该致密层位于钝化层靠近衬底的一侧，并使致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影，从而可以防止水汽通过钝化层进入驱动电路层，从而避免水分接触并腐蚀驱动电路层的信号线栅极布线和数据布线，进而避免信号线在跨接位置的信号线因发生腐蚀导致的短路问题，有效提高了显示产品的使用寿命，具有广泛的应用前景。在一个具体的实施例中，参照图3和图4，图3中示出了阵列基板的GOA电路中包括的多条信号线，多条信号线分布于非显示区，用于向显示区中的相应像素发送栅极驱动信号和数据信号以驱动像素的点亮。在GOA电路中，例如VDDo/VDDe/CLK/STV/VGL等走线之间存在两两跨接以实现信号的级联传输。图4示出了沿AA′线截取的本实施例的阵列基板的示意性剖视图，如图所示，阵列基板包括衬底101、设置在衬底101上的驱动电路层和覆盖驱动电路层的钝化层。进一步结合图5所示的显示区域的局部剖视图可知，本申请的实施例的阵列基板的驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管(IGZOTFT)和多条信号线，其中图5中的标号121示出了形成于IGZOTFT中作为沟道材料层的IGZO层。可选地，IGZOTFT既可以是顶栅结构也可以是底栅结本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括衬底、设置在所述衬底上的驱动电路层和覆盖所述驱动电路层的钝化层，其特征在于，所述驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管和多条信号线，所述阵列基板还包括/n设置在所述钝化层靠近所述衬底一侧的至少一个致密层，所述致密层在所述衬底上的正投影覆盖所述多条信号线在所述衬底上的正投影。/n
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底、设置在所述衬底上的驱动电路层和覆盖所述驱动电路层的钝化层，其特征在于，所述驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管和多条信号线，所述阵列基板还包括
设置在所述钝化层靠近所述衬底一侧的至少一个致密层，所述致密层在所述衬底上的正投影覆盖所述多条信号线在所述衬底上的正投影。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路层包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层和源漏层，所述至少一个致密层包括设置在所述源漏层远离所述衬底一侧的第一致密层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述至少一个致密层还包括设置在所述栅极绝缘层和所述源漏层之间的第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：周纪登，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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