显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本公开公开一种显示基板及其制作方法、显示装置。所述显示基板包括基底和在基底上阵列分布的多个子像素；子像素包括：沿第一方向延伸的数据线图形；包括沿第一方向延伸的部分的电源信号线图形；以及子像素驱动电路，子像素驱动电路包括：两个开关晶体管、驱动晶体管和存储电容；存储电容的第一极板与驱动晶体管的栅极耦接，存储电容的第二极板与电源信号线图形耦接；两个开关晶体管的第二极均与驱动晶体管的第一极耦接，两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极在基底上的正投影，与电源信号线图形在基底上的正投影至少部分重叠，且与存储电容的第二极板在基底上的正投影至少部分重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示基板及其制作方法、显示装置
本公开涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(英文：OrganicLight-EmittingDiode，简称：OLED)显示产品，以其亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等优点被广泛的应用在各个领域。而随着OLED显示产品的应用范围越来越广泛，对OLED显示产品的显示质量要求越来越高，影响显示产品显示质量的因素多种多样，其中显示产品中包括的像素电路结构产生的串扰现象作为重要因素受到人们的广泛关注。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置。本公开的第一方面提供一种显示基板，包括：基底和在所述基底上阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：沿第一方向延伸的数据线图形；电源信号线图形，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：两个开关晶体管、驱动晶体管和存储电容；所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述存储电容的第二极板与所述电源信号线图形耦接；所述两个开关晶体管的第二极均与所述驱动晶体管的第一极耦接，所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，且与所述存储电容的第二极板在所述基底上的正投影至少部分重叠。可选的，所述两个开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第一导电部，该第一导电部在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形在所述基底上的正投影，以及所述存储电容的第二极板在所述基底上的正投影存在第一交叠区域，所述第一交叠区域与所述数据线图形在所述基底上的正投影不交叠。可选的，所述驱动晶体管的第一极在所述基底上的正投影，位于所述存储电容的第二极板在所述基底上的正投影的内部。可选的，所述子像素还包括：均沿第二方向延伸的栅线图形和发光控制信号线图形，所述第二方向与所述第一方向相交；所述子像素驱动电路还包括：第一晶体管和第六晶体管；所述两个开关晶体管包括第四晶体管和第五晶体管；所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第一晶体管的第一极、所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极形成为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第二导电部，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，位于所述第一导电部在所述基底上的正投影与所述第二导电部在所述基底上的正投影之间；且沿所述第二方向，所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，与所述第一导电部在所述基底上的正投影之间的最小距离，小于所述沟道区在所述基底上的正投影，与所述第二导电部在所述基底上的正投影之间的最小距离。可选的，所述子像素还包括：均沿第二方向延伸的栅线图形和发光控制信号线图形，所述第二方向与所述第一方向相交；所述子像素驱动电路还包括：第一晶体管和第六晶体管；所述两个开关晶体管包括第四晶体管和第五晶体管；所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第一晶体管的第一极、所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极形成为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第二导电部，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，位于所述第一导电部在所述基底上的正投影与所述第二导电部在所述基底上的正投影之间；所述驱动晶体管的第一极和第二极均包括沿所述第二方向延伸的第一部分，所述第一极的第一部分沿所述第二方向的长度与所述第二极的第一部分沿所述第二方向延伸的长度不同。可选的，所述子像素还包括初始化信号线图形，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；所述子像素驱动电路还包括与所述驱动晶体管的栅极耦接的第二晶体管，所述第二晶体管包括：第一半导体图形、第二半导体图形和分别与所述第一半导体图形和所述第二半导体图形耦接的第三导体图形，所述第三导体图形的导电性能优于所述第一半导体图形的导电性能和所述第二半导体图形的导电性能；第一栅极图形和第二栅极图形，所述第一栅极图形在所述基底上的正投影与所述第一半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述第二栅极图形在所述基底上的正投影与所述第二半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠；所述第三导体图形在所述基底上的正投影与所述第一栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第二栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠；所述第三导体图形在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。可选的，所述子像素驱动电路还包括由所述第一半导体图形延伸出的第一延伸部，所述第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形；所述第一延伸部包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分均沿所述第一方向延伸，所述第二部分沿所述第二方向延伸，所述第二部分的一端与所述第一部分耦接，所述第二部分的另一端与所述第三部分耦接；所述第三部分远离所述第二部分的一端与所述第一晶体管耦接。可选的，所述子像素驱动电路还包括：第一晶体管和第六晶体管；所述第一晶体管包括：第四半导体图形、第五半导体图形和分别与所述第四半导体图形和所述第五半导体图形耦接的第六导体图形，所述第六导体图形的导电性能优于所述第四半导体图形的导电性能和所述第五半导体图形的导电性能；相耦接的第三栅极图形和第四栅极图形，所述第三栅极图形在所述基底上的正投影与所述第四半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠，所述第四栅极图形在所述基底上的正投影与所述第五半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠；所述第六导体图形在所述基底上的正投影与所述第三栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第四栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠。可选的，所述子像素还包括初始化信号线图形，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，包括：基底和在所述基底上阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：/n沿第一方向延伸的数据线图形；/n电源信号线图形，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；/n子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：两个开关晶体管、驱动晶体管和存储电容；所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述存储电容的第二极板与所述电源信号线图形耦接；所述两个开关晶体管的第二极均与所述驱动晶体管的第一极耦接，所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，且与所述存储电容的第二极板在所述基底上的正投影至少部分重叠。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种显示基板，包括：基底和在所述基底上阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形；
电源信号线图形，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：两个开关晶体管、驱动晶体管和存储电容；所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述存储电容的第二极板与所述电源信号线图形耦接；所述两个开关晶体管的第二极均与所述驱动晶体管的第一极耦接，所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，且与所述存储电容的第二极板在所述基底上的正投影至少部分重叠。


根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述两个开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第一导电部，该第一导电部在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形在所述基底上的正投影，以及所述存储电容的第二极板在所述基底上的正投影存在第一交叠区域，所述第一交叠区域与所述数据线图形在所述基底上的正投影不交叠。


根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述驱动晶体管的第一极在所述基底上的正投影，位于所述存储电容的第二极板在所述基底上的正投影的内部。


根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：均沿第二方向延伸的栅线图形和发光控制信号线图形，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：第一晶体管和第六晶体管；所述两个开关晶体管包括第四晶体管和第五晶体管；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；
所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第一晶体管的第一极、所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极形成为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第二导电部，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，位于所述第一导电部在所述基底上的正投影与所述第二导电部在所述基底上的正投影之间；且沿所述第二方向，所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，与所述第一导电部在所述基底上的正投影之间的最小距离，小于所述沟道区在所述基底上的正投影，与所述第二导电部在所述基底上的正投影之间的最小距离。


根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：均沿第二方向延伸的栅线图形和发光控制信号线图形，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：第一晶体管和第六晶体管；所述两个开关晶体管包括第四晶体管和第五晶体管；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；
所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第一晶体管的第一极、所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极形成为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第二导电部，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，位于所述第一导电部在所述基底上的正投影与所述第二导电部在所述基底上的正投影之间；所述驱动晶体管的第一极和第二极均包括沿所述第二方向延伸的第一部分，所述第一极的第一部分沿所述第二方向的长度与所述第二极的第一部分沿所述第二方向延伸的长度不同。


根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素还包括初始化信号线图形，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
所述子像素驱动电路还包括与所述驱动晶体管的栅极耦接的第二晶体管，所述第二晶体管包括：
第一半导体图形、第二半导体图形和分别与所述第一半导体图形和所述第二半导体图形耦接的第三导体图形，所述第三导体图形的导电性能优于所述第一半导体图形的导电性能和所述第二半导体图形的导电性能；
第一栅极图形和第二栅极图形，所述第一栅极图形在所述基底上的正投影与所述第一半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述第二栅极图形在所述基底上的正投影与所述第二半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影与所述第一栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第二栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。


根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述子像素驱动电路还包括由所述第一半导体图形延伸出的第一延伸部，所述第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形；
所述第一延伸部包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分均沿所述第一方向延伸，所述第二部分沿所述第二方向延伸，所述第二部分的一端与所述第一部分耦接，所述第二部分的另一端与所述第三部分耦接；
所述第三部分远离所述第二部分的一端与所述第一晶体管耦接。


根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素驱动电路还包括：第一晶体管和第六晶体管；所述第一晶体管包括：
第四半导体图形、第五半导体图形和分别与所述第四半导体图形和所述第五半导体图形耦接的第六导体图形，所述第六导体图形的导电性能优于所述第四半导体图形的导电性能和所述第五半导体图形的导电性能；
相耦接...

【专利技术属性】
技术研发人员：刁永富，陈祯祐，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11