TFT基板及其制备方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种TFT基板及其制备方法、显示面板及显示装置，TFT基板包括衬底基板；第一金属氧化物结构和第二金属氧化物结构，第一金属氧化物结构和第二金属氧化物结构间隔设置于衬底基板；第一金属结构设置于第一金属氧化物结构，第一金属氧化物结构包括靠近第一金属结构的第一导体化结构；第二金属结构和第三金属结构，第二金属结构和第三金属结构间隔设置于第二金属氧化物结构，第二金属氧化物结构包括靠近第二金属结构的第二导体化结构和靠近第三金属结构的第三导体化结构；第一栅极绝缘层设置于衬底基板、第一金属结构、第二金属结构、第三金属结构和第二金属氧化物结构未被第一金属结构和第二金属结构覆盖的部分。本申请可降低制程复杂度。

【技术实现步骤摘要】
TFT基板及其制备方法、显示面板和显示装置
本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种TFT基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是LCD等显示装置中的主要驱动元件，直接关系到高性能显示装置的发展方向。目前常用的混合TFT有低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)与铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide，IGZO)TFT。当IGZOTFT采用顶栅结构时，需要对源漏极接触区进行导体化制程，以减少接触电阻。通常所用的导体化方法是ArPlasma轰击，此过程会在IGZO表面产生氧空位，由此提高IGZO的导电性。为了只对IGZO的源漏极接触区进行ArPlasma轰击，需要将覆盖在源漏极接触区的栅极绝缘层刻蚀掉，以露出源漏极接触区，以上过程增加了制程复杂度。
技术实现思路
本申请实施例提供一种TFT基板及其制备方法、显示面板及显示装置，可以降低制程复杂度。本申请实施例提供一种TFT基板，包括：衬底基板；第一金属氧化物结构和第二金属氧化物结构，所述第一金属氧化物结构和所述第二金属氧化物结构间隔设置于所述衬底基板；第一金属结构，设置于所述第一金属氧化物结构，所述第一金属氧化物结构包括靠近所述第一金属结构的第一导体化结构；第二金属结构和第三金属结构，所述第二金属结构和所述第三金属结构间隔设置于所述第二金属氧化物结构，所述第二金属氧化物结构包括靠近所述第二金属结构的第二导体化结构和靠近所述第三金属结构的第三导体化结构；第一栅极绝缘层，设置于所述衬底基板、所述第一金属结构、所述第二金属结构、所述第三金属结构和所述第二金属氧化物结构未被所述第二金属结构和第三金属结构覆盖的部分。在本申请实施例所提供的TFT基板中，所述衬底基板包括：玻璃基板；第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和所述第二遮光层间隔设置于所述玻璃基板；缓冲层，设置于所述玻璃基板、第一遮光层和第二遮光层；有源层，设置于所述缓冲层，所述有源层包括沟道区、通过所述沟道区连接的源极接触区和漏极接触区；第二栅极绝缘层，设置于所述缓冲层和所述有源层。在本申请实施例所提供的TFT基板中，所述TFT基板还包括：第二金属层，设置于所述第一栅极绝缘层；层间介质层，设置于所述第一栅极绝缘层和所述第二金属层；第一过孔，对应于所述源极接触区设置，且贯穿所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层和所述层间介质层；第二过孔，对应于所述漏极接触区设置，且贯穿所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层和所述层间介质层；第三过孔，对应于所述第二金属结构设置，且贯穿所述第一栅极绝缘层和所述层间介质层；第四过孔，对应于所述第三金属结构设置，且贯穿所述第一栅极绝缘层和所述层间介质层；所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔和所述第四过孔中设置有金属。在本申请实施例所提供的TFT基板中，所述第二金属结构包括第一子金属结构和设置于所述第一子金属结构上的第二子金属结构，制作所述第一子金属结构的材料为铝，制作所述第二子金属结构的材料为钼。本申请实施例还提供一种显示面板，包括本申请任一实施例所述的TFT基板。本申请实施例还提供一种显示装置，包括本申请任一实施例所述的显示面板。本申请实施例还提供一种TFT基板的制备方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上依次形成第一金属氧化物层和第一金属层；对所述第一金属层和所述第一金属氧化物层进行刻蚀处理，得到间隔位于所述衬底基板上的第一金属氧化物结构和第二金属氧化物结构，以及位于所述第一金属氧化物结构上的第一金属结构和间隔位于所述第二金属氧化物结构上的第二金属结构和第三金属结构；对所述第一金属结构、所述第二金属结构和所述第三金属结构进行退火处理，以使所述第一金属氧化物结构靠近所述第一金属结构的部分形成为第一导体化结构，所述第二金属氧化物结构靠近所述第二金属结构的部分形成为第二导体化结构，所述第二金属氧化物结构靠近所述第三金属结构的部分形成为第三导体化结构；在所述衬底基板、所述第一金属结构、所述第二金属结构、所述第三金属结构和所述第二金属氧化物结构未被所述第二金属结构和第三金属结构覆盖的部分上形成第一栅极绝缘层。在本申请实施例所提供的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一金属层和所述第一金属氧化物层进行刻蚀处理，得到间隔位于所述衬底基板上的第一金属氧化物结构和第二金属氧化物结构，以及位于所述第一金属氧化物结构上的第一金属结构和间隔位于所述第二金属氧化物结构上的第二金属结构和第三金属结构，包括：对所述第一金属层进行图案化处理，以在所述第一金属层上形成第一光阻图案和第二光阻图案，所述第二光阻图案包括第一子光阻图案、通过所述第一子光阻图案连接的第二子光阻图案和第三子光阻图案；刻蚀掉所述第一金属层和所述第一金属氧化物层未被所述第一光阻图案和所述第二光阻图案覆盖的部分，得到间隔位于所述衬底基板上的第一金属氧化物结构和第二金属氧化物结构，以及位于所述第一金属氧化物结构上的第一金属结构和位于所述第二金属氧化物结构上的待刻蚀金属结构；去除所述第一子光阻图案；刻蚀掉所述待刻蚀金属结构未被所述第一光阻图案、所述第二子光阻图案和所述第三子光阻图案覆盖的部分，得到间隔位于所述第二金属氧化物结构上的第二金属结构和第三金属结构。在本申请实施例所提供的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述提供一衬底基板，包括：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上间隔形成第一遮光层和第二遮光层；在所述玻璃基板、所述第一遮光层和所述第二遮光层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成有源层，所述有源层包括沟道区、通过所述沟道区连接的源极接触区和漏极接触区；在所述缓冲层和所述有源层上形成第二栅极绝缘层；所述在所述衬底基板上依次形成第一金属氧化物层和第一金属层，包括：在所述第二栅极绝缘层上依次形成第一金属氧化物层和第一金属层；所述在所述衬底基板、所述第一金属结构、所述第二金属结构、所述第三金属结构和所述第二金属氧化物结构未被所述第二金属结构和第三金属结构覆盖的部分上形成第一栅极绝缘层，包括：在所述第二栅极绝缘层、所述第一金属结构、所述第二金属结构、所述第三金属结构和所述第二金属氧化物结构未被所述第二金属结构和第三金属结构覆盖的部分上形成第一栅极绝缘层。在本申请实施例所提供的TFT基板的制备方法，所述在所述第二栅极绝缘层、所述第一金属结构、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT基板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n第一金属氧化物结构和第二金属氧化物结构，所述第一金属氧化物结构和所述第二金属氧化物结构间隔设置于所述衬底基板；/n第一金属结构，设置于所述第一金属氧化物结构，所述第一金属氧化物结构包括靠近所述第一金属结构的第一导体化结构；/n第二金属结构和第三金属结构，所述第二金属结构和所述第三金属结构间隔设置于所述第二金属氧化物结构，所述第二金属氧化物结构包括靠近所述第二金属结构的第二导体化结构和靠近所述第三金属结构的第三导体化结构；/n第一栅极绝缘层，设置于所述衬底基板、所述第一金属结构、所述第二金属结构、所述第三金属结构和所述第二金属氧化物结构未被所述第二金属结构和第三金属结构覆盖的部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
第一金属氧化物结构和第二金属氧化物结构，所述第一金属氧化物结构和所述第二金属氧化物结构间隔设置于所述衬底基板；
第一金属结构，设置于所述第一金属氧化物结构，所述第一金属氧化物结构包括靠近所述第一金属结构的第一导体化结构；
第二金属结构和第三金属结构，所述第二金属结构和所述第三金属结构间隔设置于所述第二金属氧化物结构，所述第二金属氧化物结构包括靠近所述第二金属结构的第二导体化结构和靠近所述第三金属结构的第三导体化结构；
第一栅极绝缘层，设置于所述衬底基板、所述第一金属结构、所述第二金属结构、所述第三金属结构和所述第二金属氧化物结构未被所述第二金属结构和第三金属结构覆盖的部分。


2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述衬底基板包括：
玻璃基板；
第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和所述第二遮光层间隔设置于所述玻璃基板；
缓冲层，设置于所述玻璃基板、第一遮光层和第二遮光层；
有源层，设置于所述缓冲层，所述有源层包括沟道区、通过所述沟道区连接的源极接触区和漏极接触区；
第二栅极绝缘层，设置于所述缓冲层和所述有源层。


3.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板还包括：
第二金属层，设置于所述第一栅极绝缘层；
层间介质层，设置于所述第一栅极绝缘层和所述第二金属层；
第一过孔，对应于所述源极接触区设置，且贯穿所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层和所述层间介质层；
第二过孔，对应于所述漏极接触区设置，且贯穿所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层和所述层间介质层；
第三过孔，对应于所述第二金属结构设置，且贯穿所述第一栅极绝缘层和所述层间介质层；
第四过孔，对应于所述第三金属结构设置，且贯穿所述第一栅极绝缘层和所述层间介质层；
所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔和所述第四过孔中设置有金属。


4.根据权利要求1至3任一项所述的TFT基板，其特征在于，所述第二金属结构包括第一子金属结构和设置于所述第一子金属结构上的第二子金属结构，制作所述第一子金属结构的材料为铝，制作所述第二子金属结构的材料为钼。


5.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至4任一项所述的TFT基板。


6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的显示面板。


7.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成第一金属氧化物层和第一金属层；
对所述第一金属层和所述第一金属氧化物层进行刻蚀处理，得到间隔位于所述衬底基板上的第一金属氧化物结构和第二金属氧化物结构，以及位于所述第一金属氧化物结构上的第一金属结构和间隔位于所述第二金属氧化物结构上的第二金属结构和第三金属结构；
对所述第一金属结构、所述第二金属结构和所述第三金属结构进行退火处理，以使所述第一金属氧化物结构靠近所述第一金属结构的部分形成为第一导体化结构，所述第二金属氧化物结构靠近所述第二金属结构的部分形成为第二导体化结构，所述第二金属氧化物结构靠近所述第三金属结构的部分形成为第三导体化结构；
在所述衬底基板、所述第一金属结构、所述第二金属结构、所述第三金属结构和所述第二金属氧化物结构未被所述第二金属结构和第三金属结构覆盖的部分上形成第一栅极绝缘层。


8.根据权利要求7所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一金属层和所述第一金属氧化物层进行刻蚀处理，得到间隔位于所述衬底基板上的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤富雄，艾飞，罗成志，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42