一种阵列基板结构、显示装置及阵列基板结构的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板结构、显示装置及阵列基板结构的制备方法，该TFT阵列基板具有双层存储电容结构，可在保证TFT器件的存储电容的容量一定以及保证TFT器件可靠性的前提下，减小像素面积，提高显示面板的PPI，同时增加版图设计的灵活性；此外，通过将辅助金属层设置在第一金属层和第三金属层之间，可以使辅助金属层上方和下方的绝缘层通过一次构图工艺同时完成图案化，这样可以节约一张掩膜版、减少一道构图工艺的曝光、刻蚀和剥离等制程，节约TFT阵列基板的制程成本；本发明专利技术提供的显示装置，采用了上述的TFT阵列基板，在相同的显示尺寸下，该显示装置的像素分布密度大大提高，显示画面更清晰。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板结构、显示装置及阵列基板结构的制备方法本案是以申请日为2018-03-21，申请号为201810234371.4，名称为“一种TFT阵列基板、显示装置及TFT阵列基板的制备方法”的专利技术专利为母案而进行的分案申请。
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板结构、显示装置及阵列基板结构的制备方法。
技术介绍
由于显示屏始终有高清的要求，这就要求像素面积不断减小，以增大像素的分布密度(PPI)。近年来，显示面板的像素密度(PPI)的提高一般受限于像素结构中薄膜晶体管(TFT)的尺寸及布线间距，通过减小TFT的尺寸大小以及布线间距可提高PPI。例如，通过共用电极的方法来缩减布线间距，达到提高PPI的效果。然而，像素面积不断减小，必然会导致工艺的复杂度提高、TFT器件存储电容不断降低，甚至使TFT器件的可靠性难以保证。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种阵列基板结构、显示装置及阵列基板结构的制备方法，该TFT阵列基板具有双层存储电容结构，可在保证TFT器件的存储电容的容量一定以及保证TFT器件可靠性的前提下，减小像素面积，提高显示面板的PPI，同时增加版图设计的灵活性。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种TFT阵列基板，包括第一金属层、有源层、第三金属层和辅助金属层；所述第一金属层形成栅极，所述第三金属层形成源极和漏极，所述源极和漏极之间的有源层为沟道区域；所述第三金属层位于所述第一金属层的上方，所述辅助金属层位于所述第一金属层和第三金属层之间，所述第一金属层、第三金属层和辅助金属层之间通过绝缘层隔开；所述第一金属层、辅助金属层与夹在所述第一金属层和辅助金属层之间的绝缘层构成第一存储电容；所述第三金属层、辅助金属层与夹在所述第三金属层和辅助金属层之间的绝缘层构成第二存储电容。本专利技术采用的另一技术方案为：一种显示装置，包括上述的TFT阵列基板。本专利技术采用的另一技术方案为：一种TFT阵列基板的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层和刻蚀阻挡层，所述栅极由第一金属层形成；步骤2：在所述刻蚀阻挡层上形成辅助金属层；步骤3：在所述刻蚀阻挡层和辅助金属层上形成钝化层；步骤4：通过一次构图工艺同时对钝化层和刻蚀阻挡层图案化，形成均与有源层连接的第一过孔和第二过孔；步骤5：在所述钝化层上形成第三金属层，所述第三金属层通过所述第一过孔和第二过孔与所述有源层连接；所述第三金属层在所述第一过孔和第二过孔处分别形成源极和漏极。本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的TFT阵列基板，在形成栅极的第一金属层和形成源漏极的第三金属层之间增加辅助金属层，并且在三个金属层之间形成双层存储电容结构，这样在保证TFT器件的存储电容的容量一定以及保证TFT器件可靠性的前提下，可以减小像素面积，提高显示面板的PPI，同时增加版图设计的灵活性；此外，将辅助金属层设置在第一金属层和第三金属层之间，可以使辅助金属层上方和下方的绝缘层通过一次构图工艺同时完成图案化，这样可以节约一张掩膜版、减少一道构图工艺的曝光、刻蚀和剥离等制程，节约制程成本。附图说明图1所示为本专利技术实施例一的一种TFT阵列基板的结构示意图；图2所示为本专利技术实施例二的一种TFT阵列基板的制备方法的步骤1-4的制程图；图3所示为本专利技术实施例二的一种TFT阵列基板的制备方法的步骤5-7的制程图；图4所示为本专利技术实施例二的一种TFT阵列基板的制备方法的步骤8-10的制程图；图5所示为本专利技术实施例三的一种AMOLED显示器件的等效电路图；图6所示为本专利技术实施例三的一种AMOLED显示器件布线设计版图；图7所示为本专利技术实施例三的一种AMOLED显示器件的双层电容的结构示意图；标号说明：1、基板；2、第一金属层；3、栅极绝缘层；4、有源层；5、刻蚀阻挡层；6、辅助金属层；7、钝化层；8、第一过孔；9、第二过孔；10、第三金属层；11、源极；12、漏极；13、平坦化层；14、第三过孔；15、阳极；16、第四绝缘层；17、第四过孔。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。本专利技术最关键的构思在于：在形成栅极的第一金属层和形成源漏极的第三金属层之间增加辅助金属层，并且在三个金属层之间形成双层存储电容结构，这样在保证TFT器件的存储电容的容量一定的情况下，可以减小像素面积，提高PPI；此外，将辅助金属层设置在第一金属层和第三金属层之间，可以使辅助金属层上方和下方的绝缘层通过一次构图工艺同时完成图案化。本专利技术提供一种TFT阵列基板，包括第一金属层、有源层、第三金属层和辅助金属层；所述第一金属层形成栅极，所述第三金属层形成源极和漏极，所述源极和漏极之间的有源层为沟道区域；所述第三金属层位于所述第一金属层的上方，所述辅助金属层位于所述第一金属层和第三金属层之间，所述第一金属层、第三金属层和辅助金属层之间通过绝缘层隔开；所述第一金属层、辅助金属层与夹在所述第一金属层和辅助金属层之间的绝缘层构成第一存储电容；所述第三金属层、辅助金属层与夹在所述第三金属层和辅助金属层之间的绝缘层构成第二存储电容。从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的TFT阵列基板，在形成栅极的第一金属层和形成源漏极的第三金属层之间增加辅助金属层，并且在三个金属层之间形成双层存储电容结构，这样在保证TFT器件的存储电容的容量一定以及保证TFT器件可靠性的前提下，可以减小像素面积，提高显示面板的PPI，同时增加版图设计的灵活性；此外，将辅助金属层设置在第一金属层和第三金属层之间，可以使辅助金属层上方和下方的绝缘层通过一次构图工艺同时完成图案化，这样可以节约一张掩膜版、减少一道构图工艺的曝光、刻蚀和剥离等制程，节约制程成本。进一步的，所述TFT阵列基板包括基板、设于所述基板上的由第一金属层形成的栅极、设于所述基板和栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述有源层和栅极绝缘层上的刻蚀阻挡层、设于所述刻蚀阻挡层上的辅助金属层、设于所述刻蚀阻挡层和辅助金属层上的钝化层、穿过所述钝化层和刻蚀阻挡层且分别对应于所述有源层的两侧上方的第一过孔和第二过孔、设于所述钝化层上的第三金属层，所述第三金属层分别通过所述第一过孔和第二过孔与所述有源层连接；所述第三金属层在所述第一过孔和第二过孔处分别形成源极和漏极。进一步的，所述TFT阵列基板还包括设于所述源极、漏极和钝化层上的平坦化层、穿过所述平坦化层且对应于所述漏极上方的第三过孔、设于所述平坦化层上且通过所述第三过孔与所述漏极连接的阳极以及设于所述平坦化层和阳极上的第四绝缘层，所述第四绝缘层的对应于所述阳极上方的位置设有第四过孔。其中，各绝缘层的材料可以为氧化硅SiOx、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiON、氧化铝Al2O3中的一种或多种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板结构，其特征在于，包括第一金属层、有源层、第三金属层和辅助金属层；所述第一金属层形成栅极，所述第三金属层形成源极和漏极，所述源极和漏极之间的有源层为沟道区域；所述第三金属层位于所述第一金属层的上方，所述辅助金属层位于所述第一金属层和第三金属层之间，所述第一金属层、第三金属层和辅助金属层之间通过绝缘层隔开；所述第一金属层、辅助金属层与夹在所述第一金属层和辅助金属层之间的绝缘层构成第一存储电容；所述第三金属层、辅助金属层与夹在所述第三金属层和辅助金属层之间的绝缘层构成第二存储电容；/n还包括基板、设于所述基板上的由第一金属层形成的栅极、设于所述基板和栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述有源层和栅极绝缘层上的刻蚀阻挡层、设于所述刻蚀阻挡层上的辅助金属层、设于所述刻蚀阻挡层和辅助金属层上的钝化层、穿过所述钝化层和刻蚀阻挡层且分别对应于所述有源层的两侧上方的第一过孔和第二过孔、设于所述钝化层上的第三金属层，所述第三金属层分别通过所述第一过孔和第二过孔与所述有源层连接；所述第三金属层在所述第一过孔和第二过孔处分别形成源极和漏极；/n所述有源层由IGZO薄膜材料形成；/n所述第一金属层、辅助金属层和第三金属层均为Mo/Al/Mo夹心层结构。/n...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板结构，其特征在于，包括第一金属层、有源层、第三金属层和辅助金属层；所述第一金属层形成栅极，所述第三金属层形成源极和漏极，所述源极和漏极之间的有源层为沟道区域；所述第三金属层位于所述第一金属层的上方，所述辅助金属层位于所述第一金属层和第三金属层之间，所述第一金属层、第三金属层和辅助金属层之间通过绝缘层隔开；所述第一金属层、辅助金属层与夹在所述第一金属层和辅助金属层之间的绝缘层构成第一存储电容；所述第三金属层、辅助金属层与夹在所述第三金属层和辅助金属层之间的绝缘层构成第二存储电容；
还包括基板、设于所述基板上的由第一金属层形成的栅极、设于所述基板和栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述有源层和栅极绝缘层上的刻蚀阻挡层、设于所述刻蚀阻挡层上的辅助金属层、设于所述刻蚀阻挡层和辅助金属层上的钝化层、穿过所述钝化层和刻蚀阻挡层且分别对应于所述有源层的两侧上方的第一过孔和第二过孔、设于所述钝化层上的第三金属层，所述第三金属层分别通过所述第一过孔和第二过孔与所述有源层连接；所述第三金属层在所述第一过孔和第二过孔处分别形成源极和漏极；
所述有源层由IGZO薄膜材料形成；
所述第一金属层、辅助金属层和第三金属层均为Mo/Al/Mo夹心层结构。


2.根据权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，还包括设于所述源极、漏极和钝化层上的平坦化层、穿过所述平坦化层且对应于所述漏极上方的第三过孔、设于所述平坦化层上且通过所述第三过孔与所述漏极连接的阳极以及设于所述平坦化层和阳极上的第四绝缘层，所述第四绝缘层的对应于所述阳极上方的位置设有第四过孔。

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【专利技术属性】
技术研发人员：曹尚操，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35