一种阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，还包括：基板；若干薄膜晶体管，设于所述基板上，且位于所述显示区，所述薄膜晶体管包括栅极层；第一金属层，设于所述基板上，且位于所述邦定区，第一金属层和所述栅极层同时制备成型，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板一侧的材料为钼、钛、钼钛合金中的至少一种。本发明专利技术的有益效果在于：本发明专利技术的阵列基板及其制备方法将邦定区的第一金属层采用三层金属叠层结构，具有耐酸性蚀刻液腐蚀的特性，提升了邦定时的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法
本申请涉及面板领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
大尺寸OLED背板为减少走线阻抗采用铜走线作为栅极/源极/漏极，铜稳定性差，暴露在外部环境时容易氧化，因此不能直接用作邦定区邦定：1.对于底发光大尺寸OLED背板邦定区邦定通常使用阳极ITO(氧化铟锡)将铜覆盖住，邦定区邦定为ITO+铜，ITO可靠性较好，目前底发光量产品均为此结构。2.但对于顶发光大尺寸OLED背板，阳极为反射金属层+ITO，一般是银or铝(反射率较高应用于目前的顶发光反射金属)，①由于反射金属的蚀刻液(HNO3,H3PO4等)对铜有严重腐蚀；②反射金属稳定性同样不佳，不能满足邦定区邦定的可靠性需求；因此顶发光大尺寸OLED背板的邦定区邦定设计需要检讨方案。
技术实现思路
本专利技术提供了一种阵列基板，包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，还包括：基板；若干薄膜晶体管，设于所述基板上，且位于所述显示区，所述薄膜晶体管包括栅极层；第一金属层，设于所述基板上，且位于所述邦定区，所述第一金属层和所述栅极层同时制备成型，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板一侧的材料为钼、钛、钼钛合金中的至少一种。可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：有源层，设于所述基板上；栅极绝缘层，设于所述有源层上，所述栅极层设于所述栅极绝缘层上；介电层，设于所述基板上，并覆盖所述有源层和所述栅极层，所述介电层自所述显示区延伸至所述邦定区，并覆盖所述第一金属层；源漏电极，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，所述源漏电极贯穿所述介电层并连接至所述有源层。可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括：钝化层，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，且覆盖所述源漏电极，并从所述显示区延伸至所述邦定区；平坦层，设于所述钝化层远离所述介电层的一侧表面，且从所述显示区延伸至所述邦定区，在所述平坦层对应所述第一金属层处设有一开孔，所述开孔贯穿所述平坦层、所述钝化层和所述介电层；像素电极，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，所述像素电极部分贯穿所述平坦层和所述钝化层，连接至所述源漏电极；挡墙，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，且覆盖所述像素电极，所述挡墙对应所述像素电极处设有像素开孔；发光层，设于所述像素开孔内，并连接至所述像素电极。可选的，在本申请的一些实施例中，阵列基板还包括遮光金属层，设于所述基板上，所述遮光金属层对应所述有源层；缓冲层，设于所述衬底上，且覆盖所述遮光金属层，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设于所述缓冲层上。相应的，本申请实施例还包括一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板制备若干薄膜晶体管，所述薄膜晶体管对应所述显示区；在制备所述薄膜晶体管的栅极层时，在所述邦定区同时制备第一金属层，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板的一侧为钼、钛或钼钛合金材料。可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管和所述第一金属层包括以下制备步骤：在所述基板上制备一层半导体材料，图案化所述半导体材料后形成若干半导体单元，所述半导体单元设于所述显示区中；在基板上制备一层绝缘材料，所述绝缘材料覆盖所述半导体单元，所述绝缘材料自所述显示区延伸至所述邦定区；在所述绝缘材料上制备叠层结构，所述叠层结构包括依次叠层设置的第一钼钛合金层、铜层、第二钼钛合金层，所述叠层结构自所述显示区延伸至所述邦定区；在所述叠层结构上制备一层光刻胶，刻蚀所述光刻胶形成若干第一光刻胶单元以及若干第二光刻胶单元，所述第一光刻胶单元对应所述半导体单元，所述第二光刻胶单元设于所述邦定区中；通过湿法刻蚀所述叠层结构，获得栅极层半成品和第一金属层半成品，其中，所述栅极层半成品对应所述第一光刻胶单元，所述第一金属层半成品对应所述第二光刻胶单元；通过干刻蚀法刻蚀部分所述光刻胶和部分所述叠层结构，导体化所述半导体单元获得有源层；去除所有光刻胶，获得裸露的栅极层和裸露的第一金属层。可选的，在本申请的一些实施例中，所述通过干刻蚀法刻蚀部分所述光刻胶和部分所述叠层结构的制备步骤如下：通过氧气刻蚀所述第一光刻胶单元和所述第二光刻胶单元，刻蚀后的第一光刻胶单元在所述基板上的投影，与所述第一光刻胶对应的铜层在所述基板上的投影完全重合，刻蚀后的第二光刻胶单元在所述基板上的投影，与所述第二光刻胶对应的铜层在所述基板上的投影完全重合；通过混合气体刻蚀裸露于所述第一光刻胶边缘处以及所述第二光刻胶边缘处的第一钼钛合金层和第二钼钛合金层，获得栅极层和第一金属层；刻蚀裸露于所述栅极层和所述第一金属层外的绝缘材料，获得若干栅极绝缘层和若干第一绝缘层；导体化所述栅极层对应的半导体单元，获得有源层。可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管和所述第一金属层还包括以下步骤：在所述基板上制备一层介电层，所述介电层覆盖所述栅极层、所述有源层以及所述第一金属层；在所述介电层对应所述有源层处刻蚀源漏电极通孔，在所述介电层上制备源漏电极，所述源漏电极填充所述源漏电极通孔并连接至所述有源层；在所述介电层上制备一层钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏电极；在所述钝化层上制备一层平坦层；刻蚀所述平坦层、所述钝化层以及所述介电层形成一开孔，所述开孔对应第一金属层。可选的，在本申请的一些实施例中，所述混合气体包括氯气、三氯化硼气体、六氟化硫气体、氧气中的至少两种气体混合。可选的，在本申请的一些实施例中，所述刻蚀裸露于所述栅极层和所述第一金属层外的绝缘材料步骤中，采用的刻蚀气体为四氟化碳和/或氧气。本专利技术的有益效果在于：本专利技术的阵列基板及其制备方法将邦定区的第一金属层采用三层金属叠层结构，具有耐酸性蚀刻液腐蚀的特性，提升了邦定时的可靠性，同时采用先湿刻蚀后干刻蚀的方式，解决了由于三层金属刻蚀速率不同导致的“顶层帽檐”和“底层拖尾”问题，解决了后续绝缘层覆盖时的开裂问题，提升了阵列基板的良品率，同时第一金属层和栅极层采用同一光罩制备形成，减少了一道光罩，节约了制备成本和制备时间。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1是实施例中的阵列基板侧视图；图2是实施例中刻蚀光刻胶对应的阵列基板局部图；图3是实施例中刻蚀叠层结构对应的阵列基板局部图；图4是实施例中干刻蚀法第一步对应的阵列基板局部图；图5是实施例中干刻蚀法第二步对应的阵列基板局部图；图6是实施例中干刻蚀法第三步对应的阵列基板局部图；图7是实施例中干刻蚀法第四步对应的阵列基板局部图；图8是实施例中干刻蚀法第五步对应的阵列基板局部图；图9是实施例中阵列基板制备方法的流程图；图10是实施例中薄膜晶体管和第一金属层制备方法的流程图。图中标号如下：基板100；显示区11；邦定区12；开孔121；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，其特征在于，还包括：/n基板；/n若干薄膜晶体管，设于所述基板上，且位于所述显示区，所述薄膜晶体管包括栅极层；/n第一金属层，设于所述基板上，且位于所述邦定区，所述第一金属层和所述栅极层同时制备成型，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板一侧的材料为钼、钛、钼钛合金中的至少一种。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，其特征在于，还包括：
基板；
若干薄膜晶体管，设于所述基板上，且位于所述显示区，所述薄膜晶体管包括栅极层；
第一金属层，设于所述基板上，且位于所述邦定区，所述第一金属层和所述栅极层同时制备成型，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板一侧的材料为钼、钛、钼钛合金中的至少一种。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述薄膜晶体管还包括：
有源层，设于所述基板上；
栅极绝缘层，设于所述有源层上，所述栅极层设于所述栅极绝缘层上；
介电层，设于所述基板上，并覆盖所述有源层和所述栅极层，所述介电层自所述显示区延伸至所述邦定区，并覆盖所述第一金属层；
源漏电极，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，所述源漏电极贯穿所述介电层并连接至所述有源层。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
钝化层，设于所述介电层远离所述基板的一侧表面，且覆盖所述源漏电极，并从所述显示区延伸至所述邦定区；
平坦层，设于所述钝化层远离所述介电层的一侧表面，且从所述显示区延伸至所述邦定区，在所述平坦层对应所述第一金属层处设有一开孔，所述开孔贯穿所述平坦层、所述钝化层和所述介电层；
像素电极，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，所述像素电极部分贯穿所述平坦层和所述钝化层，连接至所述源漏电极；
挡墙，设于所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面，且覆盖所述像素电极，所述挡墙对应所述像素电极处设有像素开孔；
发光层，设于所述像素开孔内，并连接至所述像素电极。


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括
遮光金属层，设于所述基板上，所述遮光金属层对应所述有源层；
缓冲层，设于所述衬底上，且覆盖所述遮光金属层，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设于所述缓冲层上。


5.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和邦定区，所述邦定区设于所述显示区的边侧，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板制备若干薄膜晶体管，所述薄膜晶体管对应所述显示区；
在制备所述薄膜晶体管的栅极层时，在所述邦定区同时制备第一金属层，所述第一金属层为叠层结构，所述第一金属层远离所述基板的一侧为钼、钛或钼钛合金材料。


6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，制备所述薄膜晶体管和所述第一金属层包括以下步骤：
在所述基板上制备一层半导体材料，图案化所述半导体材料后形成若干半导体单元，所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑智琳，唐甲，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44