【技术实现步骤摘要】
有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法。
技术介绍
目前,在大尺寸有机发光显示器中,为减少走线阻抗,背板一般采用金属铜作为金属走线。在顶栅薄膜晶体管中,通常将竖直方向上层间距离较远的遮光(LineShied,LS)层和源漏极层作为金属走线用于信号传输,栅极层不作为走线。其中,在顶发光大尺寸有机发光显示器中,背板一般采用反射金属层和氧化铟锡的层叠膜层。反射金属层的材料一般是银或铝,当然反射金属层的材料也可以采用其他反射率较高的反射金属。但是,其一,金属走线采用的铜稳定性差,暴露在外部环境时容易氧化,而且反射金属的蚀刻液对于铜有严重腐蚀;其二,反射金属层稳定性也不佳。因此金属走线和阳极都不能达到焊盘区引脚的可靠性需求。因此,现有面板厂家一般在源漏极层上制作一层引脚层,引脚层的材料为耐铝酸或银酸的金属或氧化物,且引脚层采用的材料化学性质稳定。但是这样会增加一道光罩制程,从而增加成本。因此,怎么在不增加成本的前提下制作达到焊盘区引脚的可靠性需求的引脚层是现有面板厂家需要努力攻克的难关。
技术实现思路
本申请实施例提供一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法,可以解决现有的有机发光显示面板无法在不增加成本的前提下制作达到焊盘区引脚的可靠性需求的引脚层的技术问题。本申请实施例提供一种有机发光显示器件的阵列基板,包括薄膜晶体管区和焊盘区,所述有机发光显示器件的阵列基板包括:衬底层,所述衬底层包括相对 ...
【技术保护点】
1.一种有机发光显示器件的阵列基板,包括薄膜晶体管区和焊盘区,其特征在于,所述有机发光显示器件的阵列基板包括:/n衬底层,所述衬底层包括相对设置的第一面和第二面;/n第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述第一面上;/n第一金属层,所述第一金属层包括第一金属子层和第二金属子层,其中,所述第一金属子层设置在所述第一绝缘层远离所述衬底层的一面上,所述第二金属子层设置在所述第一金属子层远离所述衬底层的一面上,所述第一金属层部分位于所述焊盘区;/n层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述第一金属层远离所述衬底层的一面上,且覆盖所述第一金属层,且所述层间绝缘层上设置有第一通孔,所述第一通孔贯穿所述层间绝缘层;/n第二金属层,所述第二金属层设置在所述层间绝缘层远离所述衬底层的一面上,且经所述第一通孔与所述第一金属层连接,所述第二金属层部分位于所述焊盘区;/n第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述第二金属层远离所述衬底层的一面上,且覆盖所述第二金属层,所述第二绝缘层上设置有第二通孔,所述第二通孔依次贯穿所述第二绝缘层和所述层间绝缘层,以使所述第一金属层裸露。/n
【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示器件的阵列基板,包括薄膜晶体管区和焊盘区,其特征在于,所述有机发光显示器件的阵列基板包括:
衬底层,所述衬底层包括相对设置的第一面和第二面;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述第一面上;
第一金属层,所述第一金属层包括第一金属子层和第二金属子层,其中,所述第一金属子层设置在所述第一绝缘层远离所述衬底层的一面上,所述第二金属子层设置在所述第一金属子层远离所述衬底层的一面上,所述第一金属层部分位于所述焊盘区;
层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述第一金属层远离所述衬底层的一面上,且覆盖所述第一金属层,且所述层间绝缘层上设置有第一通孔,所述第一通孔贯穿所述层间绝缘层;
第二金属层,所述第二金属层设置在所述层间绝缘层远离所述衬底层的一面上,且经所述第一通孔与所述第一金属层连接,所述第二金属层部分位于所述焊盘区;
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述第二金属层远离所述衬底层的一面上,且覆盖所述第二金属层,所述第二绝缘层上设置有第二通孔,所述第二通孔依次贯穿所述第二绝缘层和所述层间绝缘层,以使所述第一金属层裸露。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器件的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层还包括第三金属子层,所述第三金属子层设置在所述第一金属子层和所述第二金属子层之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示器件的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层还包括粘接层,所述粘接层设置在所述第一金属子层靠近所述第一绝缘层的一面上。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示器件的阵列基板,其特征在于,所述第二金属层包括第四金属子层和第五金属子层,所述第四金属子层设置在所述层间绝缘层远离所述衬底层的一面上,所述第五子金属层设置在所述第四子金属层远离所述衬底层的一面上。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示器件的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层包括间隔设置的栅极绝缘层和支撑层,所述栅极绝缘层位于所述薄膜晶体管区,所述支撑层位于所述焊盘区,所述栅极绝缘层设置在所述第一面上,所述支撑层设置在所述第一面上。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示器件的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层包括间隔设置的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述薄膜晶体管区,所述第二部分位于所述焊盘区,所述第一部分位于所述栅极绝缘层远离所述衬底层一面上...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑智琳,唐甲,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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