半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件，包括第一存储晶圆以及第二存储晶圆，第一存储晶圆包括彼此电连接的相变存储阵列和第一键合层，第二存储晶圆包括NAND存储阵列、以及与NAND存储阵列均电连接的第二键合层、第一驱动电路、第二驱动电路以及控制电路，第一键合层和第二键合层相键合以形成共同键合层，控制电路经第一驱动电路以及共同键合层控制相变存储阵列，控制电路通过第二驱动电路控制NAND存储阵列，由于本发明专利技术中的控制电路可以同时控制相变存储阵列以及NAND存储阵列，从而当半导体器件需要进行存储器的变更等操作时，无需借助外部电路以及走线便可进行数据通信，因而有效地提高了半导体器件中不同存储阵列之间的数据通信速度。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
随着技术的发展，半导体工业不断寻求新的方式生产，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。为了进一步提高存储器的存储密度，已经开发出三维结构的存储器件，三维存储器包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。在非易失性存储器中，已设计出具有32层、64层，甚至更高的层数的3DNANDFlash(三维NAND闪存)存储器。在现有技术中，通常会使用相变存储器(PhaseChangeMemory，PCM)作为3DNANDFlash存储器的缓冲器，以提高3DNANDFlash存储器的速度和性能。这种设计下的混合型存储器，具有两个控制器(PCM控制器以及NAND控制器)，分别用以控制相变存储器以及3DNANDFlash存储器。一般情况下，混合型存储器的PCM控制器接收到外部主机传输的数据后，会根据该数据使用的场景，选择将数据发送至相变存储器或NAND控制器。当该数据被发送至NAND本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：/n第一存储晶圆，所述第一存储晶圆包括相变存储阵列和第一键合层，所述相变存储阵列和所述第一键合层电连接；/n第二存储晶圆，所述第二存储晶圆包括NAND存储阵列、以及与所述NAND存储阵列均电连接的第二键合层、第一驱动电路、第二驱动电路以及控制电路；/n其中，所述第一键合层和所述第二键合层相键合以形成共同键合层，所述控制电路经所述第一驱动电路以及所述共同键合层控制所述相变存储阵列，所述控制电路通过所述第二驱动电路控制所述NAND存储阵列。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
第一存储晶圆，所述第一存储晶圆包括相变存储阵列和第一键合层，所述相变存储阵列和所述第一键合层电连接；
第二存储晶圆，所述第二存储晶圆包括NAND存储阵列、以及与所述NAND存储阵列均电连接的第二键合层、第一驱动电路、第二驱动电路以及控制电路；
其中，所述第一键合层和所述第二键合层相键合以形成共同键合层，所述控制电路经所述第一驱动电路以及所述共同键合层控制所述相变存储阵列，所述控制电路通过所述第二驱动电路控制所述NAND存储阵列。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二存储晶圆包括依次层叠设置的衬底、器件层以及存储阵列层，所述第一驱动电路、所述第二驱动电路以及所述控制电路设置于所述器件层内，所述NAND存储阵列设置于所述存储阵列层内。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二存储晶圆还包括设置于所述衬底上的互连层，所述第一驱动电路以及所述控制电路经所述互连层电连接至所述共同键合层，并经所述共同键合层电控制所述相变存储阵列。


4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述存储阵列层包括位于所述器件层上的源极层，所述NAND存储阵列设置于所述源极层上方。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一存储晶圆还包括彼此电连接的焊盘以及垂直引出触点，所述焊盘经所述垂直引出触点电连接至所述第一键合层。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述控制电路用以将所述相变存储阵列保存的数据写入所述NAND存储阵列。


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【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42