【技术实现步骤摘要】
制造半导体产品的方法、半导体产品、设备和测试方法相关申请的交叉引用本申请要求于2020年1月29日提交的专利号102020000001729的意大利申请的优先权,在法律允许的最大范围内,该申请的全部内容通过引用结合于此。
本说明书涉及半导体产品。例如,一个或多个实施例可以应用于具有塑料封装的半导体产品。
技术介绍
减小封装厚度和传递到焊点的应力,并且可能地促进多排封装的视觉检查例如可能是诸如集成电路(IC)等各种类型的半导体产品的兴趣点。低厚度是采用无芯基板的所谓的超薄球栅阵列(BGA)布置追求的特征。这种布置的缺点可能在于,无芯基板可能比标准基板更昂贵,并且在任何情况下,例如比依赖于诸如完全模塑封装的内部工艺的解决方案更昂贵。一种减少传递到焊点的应力的方法可以包括增加模块间距,即如在本文所考虑的产品中使用的半导体管芯或芯片与相关联的支撑元件之间的距离。在依赖于BGA技术的布置中,增加间隔可能导致相邻球之间的间距的不期望的减小。在依赖于QFN(四方扁平无引线)技术的布置中,增加相隔距离(stand-off)可能导致接触抓地力降低。本领域需要克服前述常规解决方案的缺点。
技术实现思路
一个或多个实施例可以涉及一种方法。一个或多个实施例可以涉及相应的半导体产品。一个或多个实施例可以涉及堆叠型的相应半导体设备。一个或多个实施例可以涉及用于半导体设备的测试方法。一个或多个实施例可以提出一种新的封装流程, ...
【技术保护点】
1.一种制造半导体产品的方法,包括:/n在基板的表面上提供粘合层;/n将半导体管芯放置在所述粘合层上,其中所述半导体管芯的前表面背对所述基板;/n在所述半导体管芯周围的位置处将导电体的阵列放置到所述粘合层上,所述导电体具有突出到所述粘合层中的后端部分;/n将材料模塑到所述半导体管芯和导电体的所述阵列上,使得所述半导体管芯和所述导电体被嵌入封装件中,其中所述半导体管芯的所述前表面和所述导电体的前端部分在所述封装件的前表面处未被覆盖;以及/n在未被所述封装模塑材料覆盖的所述半导体管芯的所述前表面和所述导电体的所述前端部分之间形成导电结构,所述导电结构在所述封装件的所述前表面上延伸。/n
【技术特征摘要】
20200129 IT 1020200000017291.一种制造半导体产品的方法,包括:
在基板的表面上提供粘合层;
将半导体管芯放置在所述粘合层上,其中所述半导体管芯的前表面背对所述基板;
在所述半导体管芯周围的位置处将导电体的阵列放置到所述粘合层上,所述导电体具有突出到所述粘合层中的后端部分;
将材料模塑到所述半导体管芯和导电体的所述阵列上,使得所述半导体管芯和所述导电体被嵌入封装件中,其中所述半导体管芯的所述前表面和所述导电体的前端部分在所述封装件的前表面处未被覆盖;以及
在未被所述封装模塑材料覆盖的所述半导体管芯的所述前表面和所述导电体的所述前端部分之间形成导电结构,所述导电结构在所述封装件的所述前表面上延伸。
2.根据权利要求1所述的方法,包括:将包括所述半导体管芯和所述导电体的所述封装件与所述粘合层和所述基板分离,其中所述导电体的所述后端部分从所述封装件的后表面突出。
3.根据权利要求1所述的方法,其中被模塑的所述材料包括可固化的模塑材料,所述可固化的模塑材料一旦被固化,就不会粘附到所述粘合层上。
4.根据权利要求1所述的方法,其中形成导电结构包括:
在所述封装件的所述前表面上印刷导电材料,以提供导电印刷结构;以及
将导电材料电镀到所述导电印刷结构上。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括:
将包括所述半导体管芯和所述导电体的所述封装件与所述粘合层和所述基板分离,其中所述导电体的所述后端部分从所述封装件的后表面突出;以及
在电镀导电材料之前,将所述导电体的所述后端部分电短路。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述导电体具有选自由球、圆柱和棱柱构成的组的形状。
7.根据权利要求1所述的方法,包括通过切割线状元件来提供所述导电体。
8.根据权利要求1所述的方法,包括在所述封装件的所述前表面上提供密封层,在所述封装件的所述前表面上提供密封层包括:在所述半导体管芯的所述前表面上、在所述导电体的所述前端部分上和在所述导电结构上提供密封层。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述密封层由透光密封材料制成。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括通过所述密封层的所述透光密封材料视觉检查所述导电结构。
11.一种半导体产品,包括:
封装件,包括模塑材料的层,在所述模塑材料的层中嵌入有具有前表面的半导体管芯和围绕所述半导体管芯布置的导电体的阵列,所述封装件具有前表面和后表面;
其中所述导电体具有相对的前端部分和后端部分,其中所述导电体的所述前端部分从所述封装件的所述前表面突出,并且所述后端部分从所述封装件的所述后表面突出;以及
导电结构,在所述封装件的所述前表面上延伸,所述导电结构位于所述半导体管芯的所述前表面和所述导电体的所述前端部分之间。
12.根据权利要求11所述的半导体产品,其中所述导电结构包括:
在所述封装件的所述前表面上的...
【专利技术属性】
技术研发人员:F·V·丰塔纳,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:意大利;IT
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