集成电路的封装方法及封装结构技术

本申请提供了一种集成电路的封装方法及封装结构。该封装方法包括以下步骤：提供多个设置有静电放电保护电路的芯片，各芯片具有芯片引脚，静电放电保护电路的输出端与芯片引脚连接；将芯片封装到封装基板上，封装基板具有基板引脚，至少两个芯片引脚与同一个基板引脚连接，其中，在集成电路的静电放电保护标准为第一静电放电电压的情况下，使连接至同一个基板引脚的芯片引脚能够通过第二静电放电电压，第二静电放电电压小于第一静电放电电压。上述封装方法能够在使集成电路通过静电放电保护标准的同时，使芯片引脚通过的第二静电放电电压小于静电放电保护标准的第一静电放电电压，从而缩小了芯片版图的设计面积，降低了芯片成本。

【技术实现步骤摘要】
集成电路的封装方法及封装结构
本专利技术涉及集成电路
，具体而言，涉及一种集成电路的封装方法及封装结构。
技术介绍
独立封装的集成电路具有需要通过的静电放电保护标准(ESDspec)，在静电放电(ESD)保护电路设计时，现有方案通常是保证输入输出引脚(IOpad)通过的静电放电电压(ESD电压)均可以达到ESDspec。按照这种做法，对于多芯片封装的集成电路产品，虽然每个芯片的IOpad的静电放电电压(ESD电压)都可以单独通过上述ESDspec，但封装基板上的管脚(Pin)会连接到多个芯片的相同功能的IOpad，导致在封装结构内每个基板管脚(Pin)的ESDlevel会远远高于上述ESDspec，为ESDspec的两倍或者多倍。例如，独立封装的集成电路需要通过的ESDspec为2000V，使每个芯片的IOpad都可以通过2000V的ESD电压，封装结构内两个芯片的IOpad都连接到了封装基板的同一个管脚Pin1上，此时管脚pin1通过的ESD电压达到4000V，远超ESDspec。由于每个芯片都可以单独通过ESDspec，从而使得版图面积过大而导致浪费，增加了芯片成本。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种集成电路的封装方法及封装结构，以解决现有技术中独立封装的集成电路中芯片版图面积过大而导致成本增加的问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种集成电路的封装方法，包括以下步骤：提供多个设置有静电放电保护电路的芯片，各芯片具有芯片引脚，静电放电保护电路的输出端与芯片引脚连接；将芯片封装到封装基板上，封装基板具有基板引脚，至少两个芯片引脚与同一个基板引脚连接，其中，在集成电路的静电放电保护标准为第一静电放电电压的情况下，使连接至同一个基板引脚的芯片引脚能够通过第二静电放电电压，第二静电放电电压小于第一静电放电电压。进一步地，使连接至同一个基板引脚的芯片引脚能够通过第二静电放电电压，包括：设计得到多个第一静电放电保护电路，与第一静电放电保护电路一一对应连接的第一芯片引脚与同一个基板引脚连接，第一芯片引脚通过的第二静电放电电压之和等于第一静电放电电压。进一步地，按照连接至同一个基板引脚的芯片的数量将第一静电放电电压平均分配，以得到第二静电放电电压。进一步地，封装基板具有多个基板引脚，至少一个基板引脚与多个芯片引脚连接。进一步地，各基板引脚与同样数量的芯片引脚连接。进一步地，与同一个基板引脚连接的各芯片中的静电放电保护电路种类相同。根据本专利技术的另一方面，提供了一种集成电路的封装结构，包括：封装基板，具有基板引脚，基板引脚的静电放电保护标准为第一静电放电电压；设置有静电放电保护电路的芯片，封装在封装基板上，各芯片具有芯片引脚，静电放电保护电路的输出端与芯片引脚连接，至少两个芯片引脚与同一个基板引脚连接，连接至同一个基板引脚的芯片引脚能够通过静电放电电压，第二静电放电电压小于第一静电放电电压。进一步地，多个芯片中一一对应地设置有第二静电放电保护电路，各第二静电放电保护电路的输出端与第二芯片引脚一一对应连接，第二芯片引脚连接同一个基板引脚，第二芯片引脚通过的第二静电放电电压之和等于第一静电放电电压。进一步地，各第二芯片引脚通过的第二静电放电电压平分第一静电放电电压。进一步地，封装基板具有多个基板引脚，至少一个基板引脚与多个芯片引脚连接。进一步地，各基板引脚与同样数量的芯片引脚连接。应用本专利技术的技术方案，提供了一种集成电路的封装方法，包括以下步骤：提供多个设置有静电放电保护电路的芯片，各芯片具有芯片引脚，静电放电保护电路的输出端与芯片引脚连接，将芯片封装到封装基板上，封装基板具有基板引脚，至少两个芯片引脚与同一个基板引脚连接，其中，在集成电路的静电放电保护标准为第一静电放电电压的情况下，使连接至同一个基板引脚的芯片引脚能够通过第二静电放电电压，第二静电放电电压小于第一静电放电电压。本申请上述方法中依据集成电路需要通过的静电放电保护标准，通过设计静电放电保护电路，对芯片引脚通过的静电放电电压进行调整，与现有技术中芯片单独均可以通过静电放电保护标准的集成电路相比，能够在使集成电路通过静电放电保护标准的同时，使芯片引脚通过的第二静电放电电压小于静电放电保护标准的第一静电放电电压，从而缩小了芯片版图的设计面积，降低了芯片成本。附图说明构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1示出了在本申请实施方式所提供的一种集成电路的封装结构的连接关系示意图；图2示出了在本申请实施方式所提供的一种集成电路的封装结构中，芯片所具有的一种基于二极管的静电放电保护电路的电路图；图3示出了在本申请实施方式所提供的一种集成电路的封装结构中，芯片所具有的一种基于MOS管的静电放电保护电路的电路图；图4示出了在本申请实施方式所提供的一种集成电路的封装结构中，芯片所具有的一种RCNMOS型的静电放电保护电路的电路图；图5示出了在本申请实施方式所提供的一种集成电路的封装结构中，芯片所具有的一种GGNMOS型的静电放电保护电路的电路图；图6示出了在本申请实施方式所提供的一种集成电路的封装结构中，芯片所具有的一种SCR型的静电放电保护电路的电路图。其中，上述附图包括以下附图标记：10、封装基板；110、基板引脚；20、芯片；210、芯片引脚；220、核心电路。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。正如
技术介绍
部分所描述的，在静电放电(ESD)保护电路设计时，现有方案通常是保证输入输出引脚(IOpad)通过的静电放电电压(ESD电压)均可以达到ESDspec，由于每个芯片都可以单独通过ESDspec，从而使得版图面积过大而导致浪费，增加了芯片成本；并且，由于封装基板的Pin上连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供多个设置有静电放电保护电路的芯片，各所述芯片具有芯片引脚，所述静电放电保护电路的输出端与所述芯片引脚连接；/n将所述芯片封装到封装基板上，所述封装基板具有基板引脚，至少两个所述芯片引脚与同一个所述基板引脚连接，/n其中，在所述集成电路的静电放电保护标准为第一静电放电电压的情况下，使连接至同一个所述基板引脚的所述芯片引脚能够通过第二静电放电电压，所述第二静电放电电压小于所述第一静电放电电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电路的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供多个设置有静电放电保护电路的芯片，各所述芯片具有芯片引脚，所述静电放电保护电路的输出端与所述芯片引脚连接；
将所述芯片封装到封装基板上，所述封装基板具有基板引脚，至少两个所述芯片引脚与同一个所述基板引脚连接，
其中，在所述集成电路的静电放电保护标准为第一静电放电电压的情况下，使连接至同一个所述基板引脚的所述芯片引脚能够通过第二静电放电电压，所述第二静电放电电压小于所述第一静电放电电压。


2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述使连接至同一个所述基板引脚的所述芯片引脚能够通过第二静电放电电压，包括：
设计得到多个第一静电放电保护电路，与所述第一静电放电保护电路一一对应连接的第一芯片引脚与同一个所述基板引脚连接，所述第一芯片引脚通过的所述第二静电放电电压之和等于所述第一静电放电电压。


3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，按照连接至同一个所述基板引脚的所述芯片的数量将所述第一静电放电电压平均分配，以得到所述第二静电放电电压。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装方法，其特征在于，所述封装基板具有多个所述基板引脚，至少一个所述基板引脚与多个所述芯片引脚连接。


5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，各所述基板引脚与同样数量的所述芯片引脚连接。


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【专利技术属性】
技术研发人员：李志国，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42