一种化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷及其制备方法，该陶瓷化学式为Ag

【技术实现步骤摘要】
一种化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷及其制备方法
本专利技术涉及一种化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷及其制备方法，属于功能陶瓷材料

技术介绍
随着电子工业的快速发展，新型储能材料的开发已成为人们关注的焦点。电介质储能电容器作为储能系统的一个重要分支，因其充放电速率快、功率密度高而被广泛应用于各种大功率设备中。然而，由于电介质储能电容器的储能密度(Wrec)较低，故其在实际应用中受到很大的限制。在所有电介质中，具有较低剩余极化(Pr)和较高储能效率的反铁电储能陶瓷(AFE)受到了研究者的广泛关注。铌酸银(AN)基陶瓷材料以较低的烧结温度和优异的反铁电性逐渐成为了近年来备受瞩目的新型绿色无铅储能材料。然而，纯AN陶瓷的储能密度较低，目前一般是通过掺杂改性来提高AN基陶瓷的反铁电性，进而提高储能性能。然而，掺杂改性就需要引入其他离子，且需要稍大的掺杂量，造成原料的浪费，不利于节约成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷及其制备方法，提供一种新型的高储能密度、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷，其特征在于，所述无铅反铁电陶瓷化学式为Ag

【技术特征摘要】
1.一种化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷，其特征在于，所述无铅反铁电陶瓷化学式为Ag0.985La0.005Nb1-xO3-2.5x，其中x为摩尔百分比，x的取值满足电中性。


2.根据权利要求1所述的化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷，其特征在于，所述x的取值为：0<x≤0.1。


3.根据权利要求2所述的化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷，其特征在于，在室温下，所述的高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷的击穿电场为210kV/cm～325kV/cm。


4.根据权利要求2所述的化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷，其特征在于，在室温下，所述的高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷的极化强度为56μC/cm2～74μC/cm2。


5.根据权利要求2所述的化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷，其特征在于，在室温下，所述的高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷的储能密度为3.5J/cm3～7.05J/cm3，储能效率为42％～55％。


6.一种权利要求1所述的化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)选用高纯度Ag2O粉体、高纯度Nb2O5粉体、高纯度La2O3粉体作为原料粉体，按化学式Ag0.985La0.005Nb1-xO3-2.5x称...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭艳艳，张盟，张冲，曾春香，赵江，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32