一种低温烧结温度稳定型复合微波介质陶瓷及其制备方法技术

一种低温烧结温度稳定型复合微波介质陶瓷及其制备方法，所述复合微波介质陶瓷材料的组成成分包括：负谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料、正谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料，以负谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料或正谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料为主料，通过两相复合方法，添加具有结构相同且具有相反谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料为调料，复合形成复相陶瓷材料或者固溶体，获得接近零谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料。解决了现有微波介质陶瓷烧结温度高、谐振频率温度系数随温度变化较大的问题。在LTCC低温烧结微波介质陶瓷材料中具有广泛的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种低温烧结温度稳定型复合微波介质陶瓷及其制备方法
本专利技术属于电子元器件领域，具体来说，属于微波电子元器件领域，更进一步来说，属于微波电子元器件陶瓷材料领域。
技术介绍
微波介质陶瓷(MWDC)是指应用于微波频段(300MHz～300GHz)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷材料。在微波电子元器件中，微波介质陶瓷作为制作微波谐振器和滤波器的关键材料，其理想的性能体现在：以高介电常数实现器件的体积小型化、以高品质因数保证器件的工作高频化、以近零的谐振频率温度系数来保证器件的工作稳定性。目前，广泛采用的微波介质陶瓷材料虽然在性能上满足一些电子元器件的使用要求，但随着现代电子信息技术不断升级(如5G技术)，各种移动通讯设备更新换代和普及，电子元器件集成化、高频化、小型化、轻量化和便携化发展已成必然趋势，采用低温共烧陶瓷(LTCC，LowTemperatureCo～firedCeramic)技术是实现高密度封装和电子元器件集成化、小型化、轻量化、高可靠性等技术发展的重要手段。对于传统的微波介质陶瓷而言，虽然具有较高性能并获得了广泛本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温烧结温度稳定型复合微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述复合微波介质陶瓷材料的组成成分包括：负谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料、正谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料，以负谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料或正谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料为主料，通过两相复合方法，添加具有结构相同且具有相反谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料为调料，复合形成复相陶瓷材料或者固溶体，获得接近零谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种低温烧结温度稳定型复合微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述复合微波介质陶瓷材料的组成成分包括：负谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料、正谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料，以负谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料或正谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料为主料，通过两相复合方法，添加具有结构相同且具有相反谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料为调料，复合形成复相陶瓷材料或者固溶体，获得接近零谐振频率温度系数的低温烧结型微波介质陶瓷材料。


2.如权利要求1所述的一种低温烧结温度稳定型复合微波介质陶瓷材料，其特征在于：所述主料为具有负谐振频率温度系数的Li2/3Ni2/3MoO4微波介质陶瓷材料，所述调料为具有正谐振频率温度系数的(Li//2Bi1/2)MoO4微波介质陶瓷材料，通过向Li2/3Ni2/3MoO4微波介质陶瓷材料中添加(Li//2Bi1/2)MoO4微波介质陶瓷材料，形成一种具有低温烧结的且谐振频率温度系数接近于零的微波介质陶瓷材料{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Lix/2Ni2(1-x)/3)}MoO4。


3.如权利要求2所述的一种低温烧结温度稳定型复合微波介质陶瓷材料，其特征在于：所述Li2/3Ni2/3MoO4微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数为-68.86ppm/℃，所述(Li//2Bi1/2)MoO4微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数为+240ppm/℃。


4.如权利要求2所述的一种低温烧结温度稳定型复合微波介质陶瓷材料，其特征在于：所述{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Lix/2Ni2(1-x)/3)}MoO4微波介质陶瓷材料中的x＝0.2～0.6。


5.如权利要求2至权利要求4之一所述的一种低温烧结温度稳定型复合微波介质陶瓷材料，其特征在于：所述{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Lix/2Ni2(1-x)/3)}MoO4微波介质陶瓷材料的烧结温度范围：500℃～700℃。


6.如权利要求2至权利要求4之一所述的一种低温烧结温度稳定型复合微波介质陶瓷材料，其特征在于：所述{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Lix/2Ni2(1-x)/3)}MoO4微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数范围：-30ppm/℃～+30ppm/℃；介电常数范围：9～25；品质因数范围：18000GHz～40000GHz。


7.如权利要求2所述的一种低温烧结温度稳定型复合微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述{(Li2(1-x)/3Bix/2)(Lix/2Ni2(1-x)/3)}MoO4微波介质陶瓷材料中：
x＝0.2时，介电常数为10.9，品质因数为34538GHz，谐振频率温度系数为-33.15ppm/℃；
x＝0.3时，介电常数为13.5，品质因数为24538GHz，谐振频率温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒国劲，庞锦标，窦占明，韩玉成，袁世逢，刘凯，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州;52