一种Ta制造技术

本发明专利技术给出了一种Ta

【技术实现步骤摘要】
一种Ta2O5陶瓷靶材及其制备方法
本专利技术属于镀膜材料
，具体涉及一种Ta2O5陶瓷靶材及其制备方法。
技术介绍
Ta2O5作为镀膜材料，其薄膜的光谱透过波段在0.3～10μm，是可见光到近红外波段重要的高折射率材料之一。Ta2O5薄膜具有较高的折射率(2.1)和热稳定性、低吸收、机械强度高，强激光不易损伤、无定形微结构和耐化学腐蚀等优点，广泛应用于制备多种光学元件的高反射薄膜、减反射薄膜、分光薄膜和滤光薄膜等光学多层膜领域。其薄膜制备通常以靶材为镀膜材料，以射频(RF)磁控溅射、脉冲激光沉积(PLD)、离子束溅射等方法制备薄膜。采用上述方法制备薄膜，Ta2O5靶材材料特性对薄膜性能具有重要影响，如靶材密度、化学组成形态等。由于低密度靶材表面和内部具有大量微气孔，易于造成镀膜过程中靶材表面粉化、结瘤，致使薄膜良品率、生产效率降低。同时，Ta2O5在真空、还原条件下高温烧结失氧产生三氧化二钽、二氧化钽等低价态氧化钽共存，而不同价态氧化钽成膜速率不同，不利于薄膜生产的稳定性、一致性。
技术实现思路
本专利技术的目的之一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Ta

【技术特征摘要】
1.一种Ta2O5陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
步骤一、将Ta(OH)5粉末依次进行低温煅烧和高温煅烧，得到Ta2O5粉末；
所述低温煅烧的温度为600～750℃，低温煅烧的时间为3～6小时，低温煅烧的气氛为空气气氛；
所述高温煅烧的温度为800～1200℃，高温煅烧的时间为2～8小时，高温煅烧的气氛为氧气气氛；
步骤二、将去离子水和分散剂加入Ta2O5粉末中，得到Ta2O5料浆后依次进行研磨、雾化造粒、团化、模压、冷等静压和常压氧气气氛烧结，得到镀膜用的Ta2O5陶瓷靶材。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述Ta(OH)5粉末的纯度4N，比表面积为50～100m2/g；
所述Ta2O5粉末的比表面积为5～25m2/g。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述去离子水、分散剂和Ta2O5粉末的质量比为35～65、0.1～1.0和100。


4.根据权利要求3中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述分散剂为十八碳烯胺醋酸铵、顺-9-十八烯酸、聚乙二醇600中的一种。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘秉宁，左宁伟，征卫星，罗文，饶晓方，
申请(专利权)人：宁夏中色新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：宁夏;64