一种等离子蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术为一种等离子蚀刻装置，包括箱体，所述箱体包括真空腔以及隔离门，所述箱体的内部设有压力泵，所述箱体的顶端设有气源管，所述箱体的一侧设有气压口，所述真空腔设有介电板以及支撑座，所述支撑座的顶端设有电极板，所述箱体的内部设有真空检测器，所述箱体的一侧设有控制面板，通过隔离门将真空腔进行隔离，通过气压泵将真空腔的内部气压进行调整，刻蚀气体通过气源管进入压力泵中，通过压力泵传输到真空腔的内部，一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在介电板与电极板的射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，与刻蚀气体生成挥发性物质。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子蚀刻装置
本技术涉及等离子蚀刻设备
，具体为一种等离子蚀刻装置。
技术介绍
众所周知，等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等，等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面，某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况，进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分，工件送入被真空泵抽空的反应室，气体被导入并与等离子体进行交换，等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走，等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。如对比公开专利“CN201720989277.0”名为“半导体晶片等离子蚀刻装置”，包括蚀刻腔和喷气装置，蚀刻腔呈中空结构，其上端敞口，在敞口处配置有介电板，喷气装置竖向穿设在介电板上，其下端与蚀刻腔内部连通，介电板的上表面设有TCP线圈；蚀刻腔内设有支撑座，支撑座上水平安装有下部电极板；喷气装置包括第一主体和第二主体，二者均由蓝宝石材料加工而成；第一主体上设有注气孔；第二主体内设有流动孔，流动孔贯穿第二主体上下两端，第二主体的下端周向外缘设有至少一个与流动孔相连通的排出孔，该装置制造成本高，在使用过程中不方便工作人员操作。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了一种生产效率高，方便操作的等离子蚀刻装置。(二)技术方案为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种等离子蚀刻装置，包括箱体，所述箱体包括真空腔以及隔离门，所述真空腔位于所述箱体的内部，所述隔离门安装在所述箱体的一侧，且所述隔离门连通所述真空腔，所述箱体的内部设有压力泵，所述压力泵安装在所述真空腔的一侧，所述箱体的顶端设有气源管，所述箱体的一侧设有气压口，所述压力泵连通所述真空腔、气源管以及气压口，所述真空腔设有介电板以及支撑座，所述介电板安装在所述真空腔的内部顶端，所述支撑座安装在所述真空腔的内部底端，所述支撑座的顶端设有电极板，所述箱体的内部设有真空检测器，所述真空检测器连通所述真空腔，所述箱体的一侧设有控制面板，所述控制面板与所述压力泵以及真空检测器之间设有电路线连接。为了方便工作人员打开盖装置，本技术改进有，所述隔离门的一端设有把手,所述把手的材质为防静电材质。为了方便工作人员清理残留物，本技术改进有，所述支撑座的内部设有排污管，所述排污管连通所述支撑座以及箱体的底端。为了更加便捷的清理残留物，本技术改进有，所述排污管的内部设有排污阀，所述控制面板与所述排污阀之间设有电路线连接。为了防止残留物清理过程中腐蚀该装置，本技术改进有，所述排污管的内表面涂有防腐层。为了防止该装置运行时因外界的静电影响内部正常蚀刻的情况，本技术改进有，所述真空腔的外表面涂有防静电涂料。为了增加作业环境的温度，来提高刻蚀率，本技术改进有，所述箱体的内部设有加热器，所述加热器设有加热管，所述加热管安装在所述真空腔的外侧，所述加热管设有多个，所述控制面板与所述加热器之间设有电路线连接。为了方便工作人员检测运行环境的温度，本技术改进有，所述箱体的内部设有温度检测器，所述温度检测器连通所述真空腔，所述控制面板与所述温度检测器之间设有电路线连接。(三)有益效果与现有技术相比，本技术提供了一种等离子蚀刻装置，具备以下有益效果：该等离子蚀刻装置，通过隔离门将真空腔进行隔离，通过气压泵将真空腔的内部气压进行调整，在真空低气压下，刻蚀气体通过气源管进入压力泵中，通过压力泵传输到真空腔的内部，通过真空检测器方便工作人员检测或调整真空腔内部的气压以及真空度，一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在介电板与电极板的射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，通过控制面板方便工作人员操作，结构简单，方便工作人员使用。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术结构正视半剖图；图3为本技术结构俯视半剖图。图中：1、箱体；2、真空腔；3、隔离门；4、把手；5、介电板；6、电极板；7、支撑座；8、气源管；9、排污阀；10、压力泵；11、气压口；12、真空检测器；13、控制面板；14、加热器；15、加热管；16、温度检测器；17、排污管。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3，本技术为一种等离子蚀刻装置，包括箱体1，所述箱体1包括真空腔2以及隔离门3，所述真空腔2位于所述箱体1的内部，所述隔离门3安装在所述箱体1的一侧，且所述隔离门3连通所述真空腔2，所述箱体1的内部设有压力泵10，所述压力泵10安装在所述真空腔2的一侧，所述箱体1的顶端设有气源管8，所述箱体1的一侧设有气压口11，所述压力泵10连通所述真空腔2、气源管8以及气压口11，所述真空腔2设有介电板5以及支撑座7，所述介电板5安装在所述真空腔2的内部顶端，所述支撑座7安装在所述真空腔2的内部底端，所述支撑座7的顶端设有电极板6，所述箱体1的内部设有真空检测器12，所述真空检测器12连通所述真空腔2，所述箱体1的一侧设有控制面板13，所述控制面板13与所述压力泵10以及真空检测器12之间设有电路线连接。综上所述，该等离子蚀刻装置，在使用时，工作人员将该装置接入电源，通过控制面板13开启该装置，控制面板13通过电路线进行控制压力泵10和真空检测器12，通过隔离门3将箱体1内部的真空腔2进行隔离，通过支撑座7放入需刻蚀的物体，通过真空检测器12方便工作人员检测或调整真空腔2内部的气压以及真空度，通过气压泵将真空腔2的内部气压从气压口11排出，在真空低气压下，刻蚀气体通过气源管8进入压力泵10中，通过压力泵10传输到真空腔2的内部，一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在介电板5与电极板6的射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，结构简单，方便工作人员使用。本实施例中，所述隔离门3的一端设有把手4,所述把手4的材质为防静电材质，方便工作人员打开盖装置。本实施例中，所述支撑座7的内部设有排污管17，所述排污管17连通所述支撑座7以及箱体1的底端，方便工作人员清理残留物。本实施例中，所述排污管17的内部设有排污阀9，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子蚀刻装置，其特征在于，包括箱体(1)，所述箱体(1)包括真空腔(2)以及隔离门(3)，所述真空腔(2)位于所述箱体(1)的内部，所述隔离门(3)安装在所述箱体(1)的一侧，且所述隔离门(3)连通所述真空腔(2)，所述箱体(1)的内部设有压力泵(10)，所述压力泵(10)安装在所述真空腔(2)的一侧，所述箱体(1)的顶端设有气源管(8)，所述箱体(1)的一侧设有气压口(11)，所述压力泵(10)连通所述真空腔(2)、气源管(8)以及气压口(11)，所述真空腔(2)设有介电板(5)以及支撑座(7)，所述介电板(5)安装在所述真空腔(2)的内部顶端，所述支撑座(7)安装在所述真空腔(2)的内部底端，所述支撑座(7)的顶端设有电极板(6)，所述箱体(1)的内部设有真空检测器(12)，所述真空检测器(12)连通所述真空腔(2)，所述箱体(1)的一侧设有控制面板(13)，所述控制面板(13)与所述压力泵(10)以及真空检测器(12)之间设有电路线连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子蚀刻装置，其特征在于，包括箱体(1)，所述箱体(1)包括真空腔(2)以及隔离门(3)，所述真空腔(2)位于所述箱体(1)的内部，所述隔离门(3)安装在所述箱体(1)的一侧，且所述隔离门(3)连通所述真空腔(2)，所述箱体(1)的内部设有压力泵(10)，所述压力泵(10)安装在所述真空腔(2)的一侧，所述箱体(1)的顶端设有气源管(8)，所述箱体(1)的一侧设有气压口(11)，所述压力泵(10)连通所述真空腔(2)、气源管(8)以及气压口(11)，所述真空腔(2)设有介电板(5)以及支撑座(7)，所述介电板(5)安装在所述真空腔(2)的内部顶端，所述支撑座(7)安装在所述真空腔(2)的内部底端，所述支撑座(7)的顶端设有电极板(6)，所述箱体(1)的内部设有真空检测器(12)，所述真空检测器(12)连通所述真空腔(2)，所述箱体(1)的一侧设有控制面板(13)，所述控制面板(13)与所述压力泵(10)以及真空检测器(12)之间设有电路线连接。


2.根据权利要求1所述的一种等离子蚀刻装置，其特征在于，所述隔离门(3)的一端设有把手(4),所述把手(4)的材质为防静电材质。


3.根据权利要求1所述的一种等...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯嘉荔，
申请(专利权)人：冯嘉荔，
类型：新型
国别省市：广东;44