单相T型交错并联结构的三电平整流充电器制造技术

单相T型交错并联结构的三电平整流充电器，该整流充电器包括开关管S

【技术实现步骤摘要】
单相T型交错并联结构的三电平整流充电器
本专利技术涉及多电平整流器
，具体涉及一种单相T型交错并联结构的三电平整流充电器。
技术介绍
功率因数校正变换器设备在工业中广泛应用，主要需要实现单位功率因数和交流波形的低谐波失真。在逆变电路中，多电平技术已有相对成熟的研究，目前正逐步对多电平技术在整流充电器中研究。传统的两电平变换器已经在工业中应用了数十年，但是由于其所承受的电压应力高、输入电流谐波大等缺点，它们正在被新兴的多电平整流充电器技术所取代。多电平变流器产生更多的电压电平，同时以较低的开关频率工作，从而大大降低了电压和电流谐波，此外，多电平变流器还具有效率高、整流充电器体积小、电压应力低等优势。
技术实现思路
本专利技术提供一种单相T型交错并联结构的三电平整流充电器，设计有双T形开关管于桥臂结构，该整流充电器能工作在较高功率场所，具有比较低的交流谐波、高可靠性的优点。本专利技术采取的技术方案为：单相T型交错并联结构的三电平整流充电器，该整流器包括：开关管Sa1、Sa2、Sa3、Sa4、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.单相T型交错并联结构的三电平整流充电器，其特征在于该充电器包括：/n开关管S

【技术特征摘要】
1.单相T型交错并联结构的三电平整流充电器，其特征在于该充电器包括：
开关管Sa1、Sa2、Sa3、Sa4、Sb1、Sb2、Sb3、Sb4，二极管D1、D2，电感L1、L2，电容C1、C2；
交流电源ug一端分别连接二极管D1阳极、二极管D2阴极；
交流电源ug另一端分别连接电感L1一端、电感L2一端；
电感L1另一端分别连接开关管Sa1源极、开关管Sa3源极、开关管Sa2漏极；
电感L2另一端分别连接开关管Sb1源极、开关管Sb3源极、开关管Sb2漏极；
二极管D1阴极分别连接开关管Sa1漏极、开关管Sb1漏极、电容C1正极；
二极管D2阳极分别连接开关管Sa2源极、开关管Sb2源极、电容C2负极；
开关管Sa3漏极连接开关管Sa4漏极，开关管Sa4源极分别连接电容C1负极、电容C2正极；开关管Sa4漏极连接开关管Sb3漏极；
负载RL两端分别连接电容C1正极、电容C2负极。


2.根据权利要求1所述单相T型交错并联结构的三电平整流充电器，其特征在于：所述电容C1、C2为串联分裂电容，串联分裂电容C1、C2组成直流母线，且电容C1、C2取相同型号，每个电容承受直流母线电压Udc的一半，实现三电平中的±0.5Udc电平。


3.根据权利要求1所述单相T型交错并联结构的三电平整流充电器，其特征在于：所述开关管Sa1、Sa2、Sa3、Sa4、Sb1、Sb2、Sb3、Sb4为全控型功率器件绝缘栅型双极晶体管IGBT、或者电力场效应管MOSFET。


4.根据权利要求1所述单相T型交错并联结构的三电平整流充电器，其特征在于：所述开关管Sa1、Sa2、Sa3、Sa4、Sb1、Sb2、Sb3、Sb4均反向并联了二极管。


5.根据权利要求1所述单相T型交错并联结构的三电平整流充电器，其特征在于：该整流充电器包括交错并联T型桥臂结构Sa1、Sa2、Sa3、Sa4和Sb1、Sb2、Sb3、Sb4并联组成的三电平结构。


6.根据权利要求1～5所述任意一项单相T型交错并联结构的三电平整流充电器，
其特征在于：包括以下6种工作模式：
(1)工作模式一：
电路工作在电网电压正半周期，电压UaN＝0V，UbN＝0V；a点所连的T形开关管结构的开关管Sa2导通，b点所连开关管桥臂的开关管Sb2导通，二极管D2导通，其余半导体器件均关断；电网电流ig分别通过电感L1、L2流过并联T形开关管结构的开关管Sa2和开关管Sb2，后通过二极管D2形成通路，实现电路0电平；电容C1、C2放电对负载RL供电；交流电源ug对电感L1、L2充电，电感L1、L2储能，其电流iL1、iL1增加；
(2)工作模式二：
电路工作在电网电压正半周期，电压UaN＝Udc/2，UbN＝Udc/2；a点所连T形开关管结构的开关管Sa3体二极管导通、Sa4导通，b点所连T形开关管结构的开关管Sb3体二极管导通、Sb4导通，二极管D2...

【专利技术属性】
技术研发人员：马辉，敬成，徐甜川，刘昊邦，
申请(专利权)人：三峡大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42