半导体装置的形成方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体装置的形成方法。提供负电容场效晶体管与铁电场效晶体管装置与其形成方法。栅极介电堆叠包括铁电栅极介电层。依序沉积非晶的高介电常数的介电层与掺质源层，接着进行沉积后退火。沉积后退火可将非晶的高介电常数的介电层转换成多晶的高介电常数膜，其具有掺质所稳定的结晶晶粒于结晶相中，其中高介电常数的介电层为高介电常数的铁电介电层。在沉积后退火之后，可移除残留的掺质源层。形成栅极于残留的掺质源层(若存在)与多晶的高介电常数膜上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本公开实施例涉及高介电常数的铁电介电层的形成方法。
技术介绍
半导体装置已用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数码相机、或其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，并采用微影图案化多种材料层以形成电路构件与单元于基板上。半导体产业持续减少最小结构尺寸以改善多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容器、或类似物)的集成密度，可将更多构件整合至给定区域。然而随着最小结构缩小，产生必须解决的额外问题。
技术实现思路
在一实施例中，半导体装置的形成方法包括形成界面层于基板上；形成高介电常数的介电层于界面层上，其中高介电常数的介电层的至少一部分为非晶；形成掺质源层于高介电常数的介电层上；以及进行第一退火，使高介电常数的介电层转变成高介电常数的铁电介电层，且高介电常数的铁电介电层为多晶。在一实施例中，半导体装置的形成方法包括：形成界面层于基板上；形成氧化铪层于界面层上，其中氧化铪层的至少一部分为非晶；形成掺质源层于氧化铪层上；在形成掺质源本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n形成一界面层于一基板上；/n形成一高介电常数的介电层于该界面层上，其中该高介电常数的介电层的至少一部分为非晶；/n形成一掺质源层于该高介电常数的介电层上；以及/n进行一第一退火，使该高介电常数的介电层转变成一高介电常数的铁电介电层，且该高介电常数的铁电介电层为多晶。/n

【技术特征摘要】
20200320 US 16/825,7501.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成一界面层于一基板上；
形成一高介电常数的介电层于该界面层上，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖德洋，彭峻彦，张志宇，杨柏峰，杨世海，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71