半导体装置与其制作方法制造方法及图纸

一种半导体装置与其制作方法，在制作半导体装置的方法中，通过移除牺牲栅极电极形成栅极空间，在栅极空间中形成栅极介电层，在栅极介电层上形成导电层以完全填充栅极空间，凹陷栅极介电层及导电层以形成凹陷的栅极电极，以及在凹陷的栅极电极上形成接触金属层。凹陷的栅极电极并不包含钨，并且接触金属层包含钨。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置与其制作方法
本揭露的一些实施方式是关于半导体装置与其制作方法，尤其是关于栅极与其制作方法。
技术介绍
随着半导体业界已进展至纳米技术制程节点以追求更高装置密度、更高效能及更低成本，源于制造及设计问题所造成的挑战已致使三维设计的研发，诸如，多栅极场效晶体管(multi-gatefieldeffecttransistor，FET)，包含鳍式场效晶体管(FinFET)及全环绕栅极(gate-all-around，GAA)场效晶体管。在鳍式场效晶体管中，栅极电极邻近通道区域的三个侧表面，在通道区域间有插入的(interposed)栅极介电层。鳍式场效晶体管的栅极电极包含通过栅极替代技术形成的一或多层金属性材料。
技术实现思路
根据本揭露的一个态样，在一种制作半导体装置的方法中，通过移除牺牲栅极电极形成栅极空间，在栅极空间中形成栅极介电层，在栅极介电层上形成导电层以完全填充栅极空间，凹陷栅极介电层及导电层以形成凹陷的栅极电极，以及在凹陷的栅极电极上形成接触金属层。凹陷的栅极电极并不包含钨层，并且接触金属层包含钨。根本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作一半导体装置的方法，其特征在于，包含：/n通过移除一牺牲栅极电极形成一栅极空间；/n形成一栅极介电层于该栅极空间中；/n形成多个导电层于该栅极介电层上以完全填充该栅极空间；/n凹陷该栅极介电层及所述多个导电层以形成一凹陷的栅极电极；以及/n形成一接触金属层于该凹陷的栅极电极上，/n其中该凹陷的栅极电极并不包含一钨层，并且/n该接触金属层包含钨。/n

【技术特征摘要】
20200429 US 63/017,497;20210208 US 17/169,8921.一种制作一半导体装置的方法，其特征在于，包含：
通过移除一牺牲栅极电极形成一栅极空间；
形成一栅极介电层于该栅极空间中；
形成多个导电层于该栅极介电层上以完全填充该栅极空间；
凹陷该栅极介电层及所述多个导电层以形成一凹陷的栅极电极；以及
形成一接触金属层于该凹陷的栅极电极上，
其中该凹陷的栅极电极并不包含一钨层，并且
该接触金属层包含钨。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该接触金属层覆盖该栅极介电层的一顶部。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该接触金属层的一上表面具有朝向该凹陷的栅极电极的一凸出形状。


4.一种制作一半导体装置的方法，其特征在于，包含：
形成自置于一基板之上的一隔离绝缘层突出的一鳍式结构；
形成一牺牲栅极介电层于该鳍式结构之上；
形成一牺牲栅极电极层于该牺牲栅极介电层之上；
形成多个栅极侧壁间隔物；
形成一或多个介电层；
通过移除该牺牲栅极电极层及该牺牲栅极介电层来形成一栅极空间；
在形成该栅极空间之后，凹陷所述多个栅极侧壁间隔物；
形成一栅极介电层于该栅极空间中；
形成多个导电层于该栅极介电层上以完全填充该栅极空间；
凹陷该栅极介电层及所述多个导电层以形成一凹陷的栅极电极；以及
形成一接触金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊傑，白岳青，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71