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一种半导体装置与其制作方法，在制作半导体装置的方法中，通过移除牺牲栅极电极形成栅极空间，在栅极空间中形成栅极介电层，在栅极介电层上形成导电层以完全填充栅极空间，凹陷栅极介电层及导电层以形成凹陷的栅极电极，以及在凹陷的栅极电极上形成接触金属层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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