半导体结构制造技术

本公开实施例是有关于一种半导体结构。半导体结构包含第一层间介电层，第一层间介电层设置于半导体基板的上方。下导电结构设置于第一层间介电层之内。覆盖层沿着下导电结构的顶表面连续地延伸。上层间介电结构覆盖于下导电结构之上。导电体设置于上层间介电结构之内。导电体的底面直接覆盖于下导电结构的顶面之上。导电体的底面的宽度小于下导电结构的顶面的宽度。扩散阻挡层设置于导电体与上层间介电结构之间。扩散阻挡层从直接设置于导电体的底面和下导电结构的顶面之间的区域侧向偏移一非零距离。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本公开实施例涉及一种半导体结构，尤其涉及一种包含用于导电通孔的扩散阻挡层的半导体结构，以降低接触电阻。
技术介绍
现今，集成芯片包含数百万个半导体装置。半导体装置通过在集成芯片上的装置之上形成的线路后端(back-end-of-the-line)金属互连层电性互连。典型的集成芯片包含多个线路后端金属互连层，其包含与金属接点(即，通孔)垂直耦合在一起的不同尺寸的金属线。
技术实现思路
本公开实施例提出一种半导体结构，半导体结构包含：一第一层间介电层，设置于一半导体基板的上方；一下导电结构，设置于第一层间介电层之内；一覆盖层，沿着下导电结构的一顶表面连续地延伸；一上层间介电结构，覆盖于下导电结构与第一层间介电层之上；一导电体，设置于上层间介电结构之内且直接覆盖于覆盖层之上，其中导电体的底面直接覆盖于下导电结构的顶面之上，其中导电体的底面的宽度小于下导电结构的顶面的宽度；以及一第一扩散阻挡层，设置于导电体的侧壁与上层间介电结构的侧壁之间，其中第一扩散阻挡层从直接设置于导电体的底面和下导电结构的顶面之间的区域侧向偏移一非本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n第一层间介电层，设置于半导体基板的上方；/n下导电结构，设置于所述第一层间介电层之内；/n覆盖层，沿着所述下导电结构的顶表面连续地延伸；/n上层间介电结构，覆盖于所述下导电结构与所述第一层间介电层之上；/n导电体，设置于所述上层间介电结构之内且直接覆盖于所述覆盖层之上，其中所述导电体的底面直接覆盖于所述下导电结构的顶面之上，其中所述导电体的所述底面的宽度小于所述下导电结构的所述顶面的宽度；以及/n第一扩散阻挡层，设置于所述导电体的侧壁与所述上层间介电结构的侧壁之间，其中所述第一扩散阻挡层从直接设置于所述导电体的所述底面和所述下导电结构的所述顶面之间的区域侧向偏移非...

【技术特征摘要】
20200310 US 16/814,1161.一种半导体结构，包括：
第一层间介电层，设置于半导体基板的上方；
下导电结构，设置于所述第一层间介电层之内；
覆盖层，沿着所述下导电结构的顶表面连续地延伸；
上层间介电结构，覆盖于所述下导电结构与所述第一层间介电层之上；
导电体，设置于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛琇文，傅安教，曾雅晴，陈启平，杨能杰，李亚莲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71