温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本公开实施例是有关于一种半导体结构。半导体结构包含第一层间介电层,第一层间介电层设置于半导体基板的上方。下导电结构设置于第一层间介电层之内。覆盖层沿着下导电结构的顶表面连续地延伸。上层间介电结构覆盖于下导电结构之上。导电体设置于上层间介电结...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本公开实施例是有关于一种半导体结构。半导体结构包含第一层间介电层,第一层间介电层设置于半导体基板的上方。下导电结构设置于第一层间介电层之内。覆盖层沿着下导电结构的顶表面连续地延伸。上层间介电结构覆盖于下导电结构之上。导电体设置于上层间介电结...