对由于块氧化物减薄引起的编程速度变化进行补偿的存储器设备制造技术

本发明专利技术提供了用于优化存储器设备中的编程操作以补偿由于块氧化物减薄引起的编程速度变化的技术。在一种方法中，在编程操作期间，从具有最高编程速度和最低编程速度的子块采集指示编程速度的编程电压。可以基于采集的编程电压和中间子块的位置来确定中间子块的初始编程电压。如果编程被中断，则该技术可以适应采集的编程电压中的一者或两者的丢失。在另一种方法中，从一个子块采集指示编程速度的编程电压，并且对于稍后编程的子块，从表中定位适当的偏移并且与采集的编程电压求和以确定最佳初始编程电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对由于块氧化物减薄引起的编程速度变化进行补偿的存储器设备
技术介绍
本技术涉及存储器设备的操作。半导体存储器设备已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备。电荷存储材料(诸如浮栅)或电荷俘获材料可以用于此类存储器设备中以存储表示数据状态的电荷。电荷俘获材料可以被垂直布置在三维(3D)堆叠的存储器结构中，或者被水平布置在二维(2D)存储器结构中。3D存储器结构的一个示例是位成本可扩展(BiCS)体系结构，该体系结构包括交替的导电层和介电层的堆叠。存储器设备包括可以例如串联布置在NAND串(例如，NAND链)中的存储器单元。然而，在操作此类存储器设备时存在各种挑战。附图说明图1是示例存储器设备的框图。图2是描绘图1的感测块51的一个实施方案的框图。图3描绘了图1的用于将电压提供给存储器单元的块的功率控制模块116的示例具体实施。图4是存储器设备500的透视图，该存储器设备500包括图1的存储器结构126本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，包括：/n多个存储器单元(704-714,724-734,744-754,764-774,1900)，所述多个存储器单元布置在块(BLK0)的多个子块(790-793)中的NAND串(700n,710n,720n,730n)中，所述NAND串包括多个同心层，所述同心层包括阻挡氧化物层(663,663a,663b,663c)，并且所述阻挡氧化物层的厚度(Th)在所述多个子块中的不同子块中是不同的；和/n控制电路(110,122)，所述控制电路被配置为：/n在对所述块的一个子块的存储器单元进行编程期间，当所述一个子块的所述存储器单元的子组的阈值电压超过验证电压时，确定施加到所述一个子...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190111 US 16/245,4911.一种装置，包括：
多个存储器单元(704-714,724-734,744-754,764-774,1900)，所述多个存储器单元布置在块(BLK0)的多个子块(790-793)中的NAND串(700n,710n,720n,730n)中，所述NAND串包括多个同心层，所述同心层包括阻挡氧化物层(663,663a,663b,663c)，并且所述阻挡氧化物层的厚度(Th)在所述多个子块中的不同子块中是不同的；和
控制电路(110,122)，所述控制电路被配置为：
在对所述块的一个子块的存储器单元进行编程期间，当所述一个子块的所述存储器单元的子组的阈值电压超过验证电压时，确定施加到所述一个子块的所述存储器单元的第一编程电压；以及
基于所述第一编程电压和另一个子块的位置来确定用于对所述块的所述另一个子块的存储器单元进行编程的初始编程电压(Vpgm_init)。


2.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述另一个子块位于所述一个子块与所述块的边缘子块(1410,1416)之间；并且
所述控制电路被配置为：
在对所述边缘子块的存储器单元进行编程期间，当所述边缘子块的所述存储器单元的子组的阈值电压超过所述验证电压时，确定施加到所述边缘子块的所述存储器单元的第二编程电压；以及
通过在所述第一编程电压和所述第二编程电压之间进行插值来确定所述初始编程电压。


3.根据权利要求2所述的装置，其中：
包括所述另一个子块的多个子块位于所述一个子块与所述边缘子块之间；并且
所述第一编程电压和所述第二编程电压之间的所述插值基于所述多个子块中的所述另一个子块的位置。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中：
所述另一个子块位于所述一个子块与所述块的边缘子块(1410,1416)之间；并且
所述控制电路被配置为：
将识别所述第一编程电压的数据存储在易失性存储位置(119)；
在对所述边缘子块的存储器单元进行编程期间，当所述边缘子块的所述存储器单元的子组的阈值电压超过所述验证电压时，确定施加到所述边缘子块的所述存储器单元的第二编程电压；
将识别所述第二编程电压的数据存储在所述易失性存储位置；以及
如果识别所述第一编程电压的所述数据和识别所述第二编程电压的所述数据在所述另一个子块的所述存储器单元的所述编程开始时在所述易失性存储位置中可用，则将所述初始编程电压确定为在所述第一编程电压和所述第二编程电压之间的电压。


5.根据权利要求4所述的装置，其中：
在所述另一个子块的所述存储器单元的所述编程开始时如果识别所述第一编程电压的所述数据在所述易失性存储位置中不可用但是识别所述第二编程电压的所述数据在所述易失性存储位置中可用，则基于所述第二编程电压(而不是所述第一编程电压)来确定所述初始编程电压。


6.根据权利要求5所述的装置，其中：
当在所述一个子块的所述存储器单元的所述编程与所述另一个子块的所述存储器单元的所述编程开始之间存在另一个块的存储器单元的编程时，在所述另一个子块的所述存储器单元的所述编程开始时，识别所述第一编程电压的所述数据在所述易失性存储位置中不可用。


7.根据权利要求5所述的装置，其中：
当在所述边缘子块的所述存储器单元的所述编程与所述另一个子块的所述存储器单元的所述编程开始之间不存在另一个块的存储器单元的编程时，在所述另一个子块的所述存储器单元的所述编程开始时，识别所述第二编程电压的所述数据在所述易失性存储位置中可用。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其中：
所述一个子块是所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢庆煌，A·巴拉斯卡尔，V·迪普，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US