用于编程抑制的方法和装置制造方法及图纸

本公开涉及用于编程抑制的方法和装置。在实例中，一种方法可包含：将施加到串联连接存储器单元串中的未经编程第一存储器单元的电压从第一电压增加到第二电压，同时使施加到所述串联连接存储器单元串中的第二存储器单元的电压处于所述第一电压；及将施加到所述第二存储器单元的所述电压从所述第一电压增加到通过电压，同时将施加到所述未经编程第一存储器单元的所述电压从所述第二电压增加到编程电压。

【技术实现步骤摘要】
用于编程抑制的方法和装置分案申请的相关信息本申请是申请号为201680012724.5、申请日为2016年7月27日、专利技术名称为“用于编程抑制的方法和装置”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术一般来说涉及将存储器装置编程，且特定来说，本专利技术涉及存储器装置中的编程抑制。
技术介绍
快闪存储器装置(例如，NAND、NOR等)已发展成用于宽广范围的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。非易失性存储器是在不施加电力的情况下可将其数据值保持达某一延长时间段的存储器。快闪存储器装置通常使用单晶体管存储器单元。通过电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)的编程(有时其称为写入)或其它物理现象(例如，相位改变或极化)，单元的阈值电压的改变确定每一单元的数据值。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见使用包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、器具、运载工具、无线装置、移动电话及可装卸式存储器模块，且非易失性存储器的使用范围不断扩大。NAND快闪存储器装置是常见类型的快闪存储器装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，其包括：/n存储器单元阵列，其包括多个串联连接存储器单元串；/n多个存取线，其中所述多个存取线中的每个存取线连接到所述多个串联连接存储器单元串中的每个串联连接存储器单元串中的相应存储器单元的控制栅极，且其中所述多个存取线中的特定存取线在所述多个存取线的第一存取线子集与所述多个存取线的第二存取线子集之间；/n控制器，其用于存取所述存储器单元阵列，其中，在所述多个串联连接存储器单元串中的特定串联连接存储器单元串的所述特定存取线的所述相应存储器单元的编程操作期间，所述控制器经配置以使所述存储装置执行以下操作：/n当施加到所述第一存取线子集和所述第二存取线子集的电压处于第一电压时，...

【技术特征摘要】
20160503 US 15/145,2041.一种存储器装置，其包括：
存储器单元阵列，其包括多个串联连接存储器单元串；
多个存取线，其中所述多个存取线中的每个存取线连接到所述多个串联连接存储器单元串中的每个串联连接存储器单元串中的相应存储器单元的控制栅极，且其中所述多个存取线中的特定存取线在所述多个存取线的第一存取线子集与所述多个存取线的第二存取线子集之间；
控制器，其用于存取所述存储器单元阵列，其中，在所述多个串联连接存储器单元串中的特定串联连接存储器单元串的所述特定存取线的所述相应存储器单元的编程操作期间，所述控制器经配置以使所述存储装置执行以下操作：
当施加到所述第一存取线子集和所述第二存取线子集的电压处于第一电压时，将施加到所述特定存取线的电压从所述第一电压增加到第二电压；且
将施加到所述第一存取线子集和所述第二存取线子集的所述电压从所述第一电压增加到用于所述编程操作的通过电压，同时将施加到所述特定存取线的所述电压从所述第二电压增加到用于所述编程操作的编程电压。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在所述编程操作期间，禁止编程所述多个串联连接存储器单元串中的不同串联连接存储器单元串的所述特定存取线的所述相应存储器单元。


3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述不同串联连接存储器单元串的所述第一存取线子集的所述相应存储器单元包括所述不同串联连接存储器单元串的经编程存储器单元，且其中所述特定存取线的所述相应存储器单元和所述不同串联连接存储器单元串的所述第二存取线子集包括所述不同串联连接存储器单元串的未经编程存储器单元。


4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，当施加到所述第一存取线子集和所述第二存取线子集上的所述电压处于所述第一电压及当施加到所述第一存取线子集和所述第二存取线子集的所述电压处于所述通过电压时，激活所述不同串联连接存储器单元串的所述未经编程存储器单元且去激活所述不同串联连接存储器单元串的所述经编程存储器单元。


5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述不同串联连接存储器单元串的所述未经编程存储器单元位于所述不同串联连接存储器单元串的所述特定存取线的所述相应存储器单元的数据线侧，且所述不同串联连接存储器单元串的所述经编程存储器单元位于所述不同串联连接存储器单元串的所述特定存取线的所述相应存储器单元的源极侧。


6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程电压和所述第二电压之间的电压差等于所述通过电压和所述第一电压之间的电压差。


7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一电压是接地电压。


8.根据权利要求2所述的存储器装置，其进一步包括当施加到所述特定存取线的所述电压处于所述第二电压及当施加到所述特定存取线的所述电压处于所述编程电压时，将抑制电压施加到所述不同串联连接存储器单元串。


9.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·卢特拉，K·F·陈，郭晓江，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US