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对由于块氧化物减薄引起的编程速度变化进行补偿的存储器设备制造技术
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下载对由于块氧化物减薄引起的编程速度变化进行补偿的存储器设备的技术资料
文档序号:29503515
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本发明提供了用于优化存储器设备中的编程操作以补偿由于块氧化物减薄引起的编程速度变化的技术。在一种方法中,在编程操作期间,从具有最高编程速度和最低编程速度的子块采集指示编程速度的编程电压。可以基于采集的编程电压和中间子块的位置来确定中间子块的...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。
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