密封组合物及半导体装置制造方法及图纸

密封组合物含有：环氧树脂；硬化剂；无机填充材，包含比表面积为100m

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】密封组合物及半导体装置
本公开涉及一种密封组合物及半导体装置。
技术介绍
近年来，伴随小型化及高集成化，担心半导体封装体内部的发热。由于存在因发热而产生具有半导体封装体的电气零件或电子零件的性能下降之虞，因此对半导体封装体中所使用的构件要求高的导热性。因此，要求对半导体封装体的密封材进行高导热化。例如，通过高填充无机填充材，密封材的高导热化成为可能。作为高填充有无机填充材的密封材的例子，已知有一种半导体密封用环氧树脂组合物，其以(A)环氧树脂、(B)硬化剂以及(D)含有球状氧化铝及球状二氧化硅的无机填充材为必需成分，所述半导体密封用环氧树脂组合物的特征在于，所述球状氧化铝包含(d1)平均粒径40μm以上且70μm以下的第一球状氧化铝及(d2)平均粒径10μm以上且15μm以下的第二球状氧化铝，所述球状二氧化硅包含(d3)平均粒径4μm以上且8μm以下的第一球状二氧化硅、(d4)平均粒径0.05μm以上～1.0μm以下的第二球状二氧化硅，相对于全部无机填充材(d3)+(d4)的合计量为17％以上且23％以下，(d3)/(d4)的比本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种密封组合物，含有：/n环氧树脂；/n硬化剂；/n无机填充材，包含比表面积为100m

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181221 JP 2018-2392541.一种密封组合物，含有：
环氧树脂；
硬化剂；
无机填充材，包含比表面积为100m2/g以上的二氧化硅粒子；以及
硅烷化合物，具有碳数6以上的链状烃基键结于硅原子的结构。


2.根据权利要求1所述的密封组合物，其中将密封组合物在硬化温度175℃及硬化时间90秒的条件下加热硬化时所获得的硬化物的萧氏D所表示的热时硬度为70以上。


3.根据权利要求1或2所述的密封组合物，其中相对于密封组合物整体，所述无机填充材的含有率为78体积％以上。

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【专利技术属性】
技术研发人员：田中实佳，石桥健太，児玉拓也，堀慧地，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP