本实用新型专利技术公开了大容量半导体切割液混合供液装置，包括托板，所述托板的上方安装有箱体，所述箱体包括纯水腔体、切割液腔体、混合腔体和成液腔体，所述纯水腔体开设有纯水口，所述切割液腔体开设有切割液口，所述成液腔体开设有成液口，所述成液腔体的底部设置有供液管，所述供液管连接成液腔体底部内部的供液排水阀，所述纯水腔体的底部设置连通管连接混合腔体，所述切割液腔体的底部设置连通管连接混合腔体，所述连通管上均设置有电磁控制阀，所述混合腔体的底部外表面设置有混合排水阀，所述混合排水阀设置混合连接管连接混合腔体的上部，所述混合腔体通过设置供液机构连通所述成液腔体。通过四个腔体控制液体的混合和输送，过程互不干扰。
【技术实现步骤摘要】
大容量半导体切割液混合供液装置
本技术特别涉及大容量半导体切割液混合供液装置。
技术介绍
现有技术情况：半导体切割液是为IC芯片及半导体材料的砂轮切割工艺开发的特殊水基清洗产品，能够减少工件和划片机砂轮之间的摩擦，加快散热速度，通过降低热应力和减少钢砂疲劳来改善润滑和金属键合效果，改善晶圆表面冲洗效果，但是这种切割液在使用时，需要跟纯水按照一定比例搅拌混合后使用，但是现有的搅拌混合方式大多为在水箱内进行搅拌，然后运送至划片机附近，过程繁琐，且划片机运行时无法同时进行切割液和纯水的添加、搅拌，需要将切割设备暂停、影响设备稼动率，为此，本技术提出了大容量半导体切割液混合供液装置，用于解决上述的技术问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术的目的在于提供大容量半导体切割液混合供液装置，包括托板，所述托板的上方安装有箱体，所述箱体包括纯水腔体、切割液腔体、混合腔体和成液腔体，所述纯水腔体开设有纯水口，所述切割液腔体开设有切割液口，所述成液腔体开设有成液口，所述成液腔体的底部设置有供液管，所述供液管连接成液腔体底部内部的供液排水阀，所述纯水腔体的底部设置连通管连接混合腔体，所述切割液腔体的底部设置连通管连接混合腔体，所述连通管上均设置有电磁控制阀，所述混合腔体的底部外表面设置有混合排水阀，所述混合排水阀设置混合连接管连接混合腔体的上部，所述混合腔体通过设置供液机构连通所述成液腔体。作为优选，所述供液机构包括绞龙输送管所述绞龙输送管的顶部通过联轴器连接有驱动电机，所述绞龙输送管的底部靠近所述混合腔体的下底面，所述绞龙输送管的上部设置有出液口，所述出液口上设置有单向阀，所述绞龙输送管位于所述成液口的下方。作为优选，所述成液腔体的内部底面设置有水位监测器，所述水位监测器通过电线连接有外部设置的水位显示器。作为优选，所述混合排水阀通过管路连通所述混合腔体的内腔，所述混合排水阀设置两个，分别设置在所述纯水腔体和切割液腔体的下方，所述混合排水阀通过60°弯管连接有混合连接管，所述混合连接管呈60°角连接在对立方向的纯水腔体或者切割液腔体的下方，所述两个混合连接管的交叉处设置连接弯管，所述连接弯管由90°弯管组合连接设置。作为优选，所述托板的下底面周向设置4个支撑腿，所述纯水口、切割液口和成液口均设置有盖板，所述盖板设置有把手。作为优选，所述纯水腔体与所述切割液腔体的容量相同，所述混合腔体的容量大于所述纯水腔体与所述切割液腔体的组合容量，所述成液腔体的容量大于混合腔体的三倍容量。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：通过本装置可以实现成液的缓冲过程，四个腔体之间的配合使用，可以保证实时混合并添加成液，并且不会出现液体混合不充分就进行使用的情况，并且混合速度较快，成液液位实时监测，便于控制。附图说明图1本技术俯视结构示意图；图2本技术后视结构示意图；图3本技术盖板结构示意图；图4本技术连接弯管结构示意图；图5本技术侧视结构示意图。以上各图中，1、托板，2、纯水口，3、成液口，4、切割液口，5、供液管，6、盖板，7、纯水腔体，8、切割液腔体，9、混合腔体，10、支撑腿，11、混合排水阀，12、混合连接管，13、进液口，14、电磁控制阀，15、绞龙输送管，16、驱动电机，17、出液口，18、水位显示器，19、水位监测器，20、成液腔体，21、工业排水阀，121、连接弯管。具体实施方式下面将结合本技术的实施例提供的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的较佳实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的较佳实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。下面对本技术作进一步详细说明。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。前述定义仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的结构必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。如图1-5所示，本技术提供大容量半导体切割液混合供液装置，包括托板1，所述托板1的上方安装有箱体，所述箱体包括纯水腔体7、切割液腔体8、混合腔体9和成液腔体20，所述纯水腔体7开设有纯水口2，所述切割液腔体8开设有切割液口4，所述成液腔体20开设有成液口3，所述成液腔体20的底部设置有供液管5，所述供液管5连接成液腔体20底部内部的供液排水阀21，所述纯水腔体7的底部设置连通管连接混合腔体9，所述切割液腔体8的底部设置连通管连接混合腔体9，所述连通管上均设置有电磁控制阀14，所述混合腔体7的底部外表面设置有混合排水阀11，所述混合排水阀11设置混合连接管12连接混合腔体7的上部，所述混合腔体9通过设置供液机构连通所述成液腔体20。所述供液机构包括绞龙输送管15所述绞龙输送管15的顶部通过联轴器连接有驱动电机16，所述绞龙输送管15的底部靠近所述混合腔体9的下底面，所述绞龙输送管15的上部设置有出液口17，所述出液口17上设置有单向阀，所述绞龙输送管15位于所述成液口3的下方。所述成液腔体20的内部底面设置有水位监测器19，所述水位监测器19通过电线连接有外部设置的水位显示器18。所述混合排水阀11通过管路连通所述混合腔体9的内腔，所述混合排水阀11设置两个，分别设置在所述纯水腔体7和切割液腔体8的下方，所述混合排水阀11通过60°弯管连接有混合连接管12，所述混合连接管12呈60°角连接在对立方向的纯水腔体7或者切割液腔体8的下方，所述两个混合连接管12的交叉处设置连接弯管121，所述连接弯管121由90°弯管组合连接设置。所述托板1的下底面周向设置4个支撑腿10，所述纯水口2、切割液口4和成液口3均设置有盖板6，所述盖板6设置有把手。所述纯水腔体7与所述切割液腔体8的容量相同，所述混合腔体9的容量大于所述纯水腔体7与所述切割液腔体8的组合容量，所述成液腔体20的容量大于混合腔体9的三倍容量。装置使用时，首先将需要混合的纯水和切割液分别从纯水口2和切割液口4注入，之后通过控制电磁控制阀14分别向混合腔体9内注入需要混合的纯水和切割液，在此过程中，由于混合腔体9低于所述纯水腔体7和切割液腔体8，所以开启电磁控制阀14后液体会自然流入所述混合腔体9，之后通过开启混合排水阀11，通过水循环的方式将液体进行混合，混合之后通过绞龙输送管15输入所述成液腔体20，混合液体可以通过供液排水阀21和供液管5向需要混合液体的机器进行供液，所述水位显示器18用于观察水位监测器19的检测信息，及时进行混合液体的添加。最后说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.大容量半导体切割液混合供液装置，其特征在于，包括托板，所述托板的上方安装有箱体，所述箱体包括纯水腔体、切割液腔体、混合腔体和成液腔体，所述纯水腔体开设有纯水口，所述切割液腔体开设有切割液口，所述成液腔体开设有成液口，所述成液腔体的底部设置有供液管，所述供液管连接成液腔体底部内部的供液排水阀，所述纯水腔体的底部设置连通管连接混合腔体，所述切割液腔体的底部设置连通管连接混合腔体，所述连通管上均设置有电磁控制阀，所述混合腔体的底部外表面设置有混合排水阀，所述混合排水阀设置混合连接管连接混合腔体的上部，所述混合腔体通过设置供液机构连通所述成液腔体。/n
【技术特征摘要】
1.大容量半导体切割液混合供液装置，其特征在于，包括托板，所述托板的上方安装有箱体，所述箱体包括纯水腔体、切割液腔体、混合腔体和成液腔体，所述纯水腔体开设有纯水口，所述切割液腔体开设有切割液口，所述成液腔体开设有成液口，所述成液腔体的底部设置有供液管，所述供液管连接成液腔体底部内部的供液排水阀，所述纯水腔体的底部设置连通管连接混合腔体，所述切割液腔体的底部设置连通管连接混合腔体，所述连通管上均设置有电磁控制阀，所述混合腔体的底部外表面设置有混合排水阀，所述混合排水阀设置混合连接管连接混合腔体的上部，所述混合腔体通过设置供液机构连通所述成液腔体。
2.根据权利要求1所述的大容量半导体切割液混合供液装置，其特征在于，所述供液机构包括绞龙输送管所述绞龙输送管的顶部通过联轴器连接有驱动电机，所述绞龙输送管的底部靠近所述混合腔体的下底面，所述绞龙输送管的上部设置有出液口，所述出液口上设置有单向阀，所述绞龙输送管位于所述成液口的下方。
3.根据权利要求1所述的大容量半导体切割液混合供液...
【专利技术属性】
技术研发人员：霍建忠，朱万杰，
申请(专利权)人：苏州思达优科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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