一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，包括：第一启动电路、第二启动电路和核心电路；第一启动电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和电阻R1；M1的源极、M2的源极以及M3的漏极均接入电源；M1的栅极、M2的栅极和M3的源极彼此连接，并与R1串联后接地；M1的漏极、M2的漏极和M3的栅极均与核心电路连接；第二启动电路包括第四MOS管M4、第五MOS管M5、三极管J1和比较器U1；U1的同相输入端分别与M4的漏极和J1的发射极连接；J1的基极和集电极连接后接地；U1的反相输入端与核心电路连接，输出端与M5的栅极连接；M5的源极接地，漏极与M4的栅极连接；M4的源极接入电源。本实用新型专利技术可以工作在1V甚至更低的工作电压场景下。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路
本技术涉及集成电路
，更具体的说是涉及一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路。
技术介绍
随着智慧物联的崛起，超低电压芯片广泛应用于物联网射频、电池管理、传感前端和能量采集等各类场景中。带隙基准电路作为一种通用模拟技术，其工作原理是：根据硅材料的带隙电压与温度无关的特性，利用双极性晶体管的基极-发射极的电压的负温度系数与不同电流密度下两个双极性晶体管基极-发射极电压的差值的正温度系数相互补偿，使输出的电压达到很低的温度漂移。现有的技术的带隙基准电路通常需要较高的电压，大约高于1.5V以上的电压，产生大概1.2V的基准电压输出，无法适应超低压1.0V以下的电压场景。因此，如何提供一种可以工作在1V甚至更低的工作电压场景下的带隙基准电路是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，可以工作在1V甚至更低的工作电压场景下。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，包括：依次连接的第一启动电路、第二启动电路和核心电路；/n所述第一启动电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和电阻R1；第一MOS管M1的源极、第二MOS管M2的源极以及第三MOS管M3的漏极均接入电源；第一MOS管M1的栅极、第二MOS管M2的栅极和第三MOS管M3的源极彼此连接，并与电阻R1串联后接地；第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的漏极和第三MOS管M3的栅极均与所述核心电路连接；/n所述第二启动电路包括第四MOS管M4、第五MOS管M5、三极管J1和比较器U1；比较器U1的同相输入端分别与第四MOS...

【技术特征摘要】
1.一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，包括：依次连接的第一启动电路、第二启动电路和核心电路；
所述第一启动电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和电阻R1；第一MOS管M1的源极、第二MOS管M2的源极以及第三MOS管M3的漏极均接入电源；第一MOS管M1的栅极、第二MOS管M2的栅极和第三MOS管M3的源极彼此连接，并与电阻R1串联后接地；第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的漏极和第三MOS管M3的栅极均与所述核心电路连接；
所述第二启动电路包括第四MOS管M4、第五MOS管M5、三极管J1和比较器U1；比较器U1的同相输入端分别与第四MOS管M4的漏极和三极管J1的发射极连接；三极管J1的基极和集电极连接后接地；比较器U1的反相输入端与核心电路连接，输出端与第五MOS管M5的栅极连接；第五MOS管M5的源极接地，漏极与第四MOS管M4的栅极连接；第四MOS管M4的源极接入所述电源。


2.根据权利要求1所述的一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，其特征在于，所述核心电路包括第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、运算放大器U2、三极管J2和三极管J3；其中，运算放大器U2的同相输入端分别与比较器U1的反相输入端和三极管J2的发射极连接；三极管J2的基极和集电极均接地；运算放大器U2的反相输入端分别与三极管J3的发射极、第一MOS管M1的漏极和第二MOS管M2的漏极连接；三极管J3的基极和集电极均接地；运算放大器U1的输出端分别与第三MOS管M3的栅极、第四MOS管M4的栅极、第五MOS管M5的漏极、第六MOS管M6的栅极、第七MOS管M7的栅极和第八MOS管M8的栅极连接；第六MOS管M6的漏极、第七MOS管M7的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋利军，邹亮，
申请(专利权)人：英彼森半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31