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本实用新型公开了一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，包括：第一启动电路、第二启动电路和核心电路；第一启动电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和电阻R1；M1的源极、M2的源极以及M3的漏极均接入电源；M1的栅极、...
该专利属于英彼森半导体(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英彼森半导体(上海)有限公司授权不得商用。

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