阵列基板及显示面板制造技术

技术编号:29456983 阅读:12 留言:0更新日期:2021-07-27 17:23
本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板及显示面板。该阵列基板包括多条数据线;多条扫描线;多个子像素,每一该子像素区域包括次子像素;多个像素驱动电路,包括第三薄膜晶体管单元以及共享电极,该第三薄膜晶体管单元包括第三栅极、以及位于该第三栅极相对两侧的第三源极和第三漏极;该共享电极包括本体和自该本体的侧部朝向该第三源极延伸出的凸起,位于周边区域内的该第三源极与该本体在该凸起的延伸方向上的距离大于零。本发明专利技术实施例通过在共享电极与第三薄膜晶体管单元的第三源极之间设置凸起,在沟道区域外的周边区域中,可以更方便控制第三源极和共享电极的距离,降低了第三源极和共享电极短路的风险,保障了阵列基板的正常工作。

Array substrate and display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示领域,具体涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
近些年,多畴取向液晶显示(Multi-domainalignmentliquidcrystaldisplays,MVALCDs)凭借高对比和广视角的优势在大尺寸液晶显示和电视机应用中得到了广泛的应用。目前,通常是采用8畴3薄膜晶体管单元显示技术来改善视角,即一个像素包括主像素区和子像素区,每个像素区具有4个显示畴,其中子像素区通过增加一个第三薄膜晶体管单元,将该子像素区的部分电压释放到共享电极(Sharebar)上,以实现两个像素区的电压不同,进而产生液晶分子转动角度的差异,改善视角,而在沟道区域外,共享电极与第三薄膜晶体管单元的源极之间的间距过小,容易短路,导致阵列基板工作异常的技术问题。因此,亟需一种阵列基板及显示面板以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板及显示面板,可以解决目前在沟道区域外,共享电极与第三薄膜晶体管单元的源极之间的间距过小,容易短路,导致阵列基板工作异常的技术问题。本专利技术实施例提供了一种阵列基板,包括:多条数据线;多条扫描线,与多条所述数据线交叉设置以形成多个子像素区域;多个子像素,设置在多个所述子像素区域内,每一所述子像素区域包括次子像素;多个像素驱动电路,每个所述像素驱动电路包括第三薄膜晶体管单元以及共享电极,所述第三薄膜晶体管单元包括第三栅极、以及位于所述第三栅极相对两侧的第三源极和第三漏极,所述第三源极连接于对应的所述数据线,所述共享电极连接于所述第三漏极和所述次子像素的次像素电极;其中,所述共享电极包括本体和自所述本体的侧部朝向所述第三源极延伸出的凸起,所述第三薄膜晶体管单元包括与所述第三栅极对应的沟道区域和邻近所述沟道区域的周边区域,位于所述周边区域内的所述第三源极与所述本体在所述凸起的延伸方向上的距离大于零。在一实施例中,位于所述周边区域内的所述第三源极与所述本体在所述凸起的延伸方向上的距离大于所述凸起在所述延伸方向上的宽度。在一实施例中,所述凸起在所述第三栅极上的正投影的形状包括矩形、半圆形及三角形中任一种。在一实施例中,所述本体包括与所述数据线平行的第一段、与所述数据线平行的第三段以及连接在所述第一段和所述第三段之间的第二段,所述第二段朝向远离所述第一段和所述第三段的方向延伸,所述凸起自所述第二段的侧部朝向靠近所述第一段和所述第三段的方向延伸,所述第一段和所述第三段连接所述次子像素的所述次像素电极。在一实施例中,所述子像素还包括主子像素;所述像素驱动电路还包括第一薄膜晶体管单元及第二薄膜晶体管单元;所述第一薄膜晶体管单元的第一漏极与所述主子像素的主像素电极电连接,所述第二薄膜晶体管的第二漏极与所述次子像素电连接,所述第二漏极与所述第三源极电连接。在一实施例中,所述第三薄膜晶体管单元的所述第三源极包括相互连接的第一部分和第二部分,所述第一部分靠近所述第一薄膜晶体管单元,所述第二部分靠近所述共享电极。在一实施例中,所述第二部分包围所述凸起设置。在一实施例中,所述第二部分在所述第三栅极上的正投影的形状与所述凸起在所述第三栅极上的正投影的形状对应。在一实施例中,所述第一部分和所述第二部分平行于所述数据线,所述第一部分与所述第二部分之间通过直线电线连接。本专利技术实施例还提供了一种显示面板,包括如任一上述的阵列基板、位于所述阵列基板上的液晶层及彩膜层。本专利技术实施例通过在共享电极与第三薄膜晶体管单元的第三源极之间设置凸起,在沟道区域外的周边区域中,可以更方便控制第三源极和共享电极的距离,降低了第三源极和共享电极短路的风险,保障了阵列基板的正常工作。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的阵列基板的第一种结构的俯视示意图;图2是本专利技术实施例提供的阵列基板的第二种结构的局部俯视示意图;图3是本专利技术实施例提供的阵列基板的第三种结构的局部俯视示意图;图4是本专利技术实施例提供的阵列基板的第四种结构的局部俯视示意图;图5是本专利技术实施例提供的阵列基板的第五种结构的局部俯视示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术,并不用于限制本专利技术。在本专利技术中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。目前,通常是采用8畴3薄膜晶体管单元显示技术来改善视角,即一个像素包括主像素区和子像素区,每个像素区具有4个显示畴,其中子像素区通过增加一个第三薄膜晶体管单元,将该子像素区的部分电压释放到共享电极(Sharebar)上,以实现两个像素区的电压不同,进而产生液晶分子转动角度的差异,改善视角,而在沟道区域外,共享电极与第三薄膜晶体管单元的源极之间的间距过小,容易短路,导致阵列基板工作异常的技术问题。请参阅图1~图5,本专利技术实施例提供了一种阵列基板100,所述阵列基板100包括:多条数据线140;多条扫描线,与多条所述数据线140线交叉设置以形成多个子像素区域;多个子像素,设置在多个所述子像素区域内,每一所述子像素区域包括次子像素620;多个像素驱动电路,每个所述像素驱动电路包括第三薄膜晶体管单元以及共享电极400,所述第三薄膜晶体管单元包括第三栅极、以及位于所述第三栅极相对两侧的第三源极310和第三漏极,所述第三源极310连接于对应的所述数据线140,所述共享电极400连接于所述第三漏极和所述次子像素620的次像素电极;其中,所述共享电极400包括本体和自所述本体的侧部朝向所述第三源极310延伸出的凸起500,所述第三薄膜晶体管单元包括与所述第三栅极对应的沟道区域120和邻近所述沟道区域120的周边区域121,位于所述周边区域121内的所述第三源极310与所述本体在所述凸起500的延伸方向上的距离大于零。本专利技术实施例通过在共享电极与第三薄膜晶体管单元的第三源极之间设置凸起,在沟道区域外的周边区域中,可以更方便控制第三源极和共享电极的距离,降低了第三源极和共享电极短路的风险,保障了阵列基板的正常工作。现结合具体实施例对本专利技术的技术方案进行描述。所述阵列基板100包括多条数据线140;多条扫描线,与多条所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:/n多条数据线;/n多条扫描线,与多条所述数据线交叉设置以形成多个子像素区域;/n多个子像素,设置在多个所述子像素区域内,每一所述子像素区域包括次子像素;/n多个像素驱动电路,每个所述像素驱动电路包括第三薄膜晶体管单元以及共享电极,所述第三薄膜晶体管单元包括第三栅极、以及位于所述第三栅极相对两侧的第三源极和第三漏极,所述第三源极连接于对应的所述数据线,所述共享电极连接于所述第三漏极和所述次子像素的次像素电极;/n其中,所述共享电极包括本体和自所述本体的侧部朝向所述第三源极延伸出的凸起,所述第三薄膜晶体管单元包括与所述第三栅极对应的沟道区域和邻近所述沟道区域的周边区域,位于所述周边区域内的所述第三源极与所述本体在所述凸起的延伸方向上的距离大于零。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
多条数据线;
多条扫描线,与多条所述数据线交叉设置以形成多个子像素区域;
多个子像素,设置在多个所述子像素区域内,每一所述子像素区域包括次子像素;
多个像素驱动电路,每个所述像素驱动电路包括第三薄膜晶体管单元以及共享电极,所述第三薄膜晶体管单元包括第三栅极、以及位于所述第三栅极相对两侧的第三源极和第三漏极,所述第三源极连接于对应的所述数据线,所述共享电极连接于所述第三漏极和所述次子像素的次像素电极;
其中,所述共享电极包括本体和自所述本体的侧部朝向所述第三源极延伸出的凸起,所述第三薄膜晶体管单元包括与所述第三栅极对应的沟道区域和邻近所述沟道区域的周边区域,位于所述周边区域内的所述第三源极与所述本体在所述凸起的延伸方向上的距离大于零。


2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,位于所述周边区域内的所述第三源极与所述本体在所述凸起的延伸方向上的距离大于所述凸起在所述延伸方向上的宽度。


3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凸起在所述第三栅极上的正投影的形状包括矩形、半圆形及三角形中任一种。


4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述本体包括与所述数据线平行的第一段、与所述数据线平行的第三段以及连接在所述第一段和所述第三段之间的第二段,所述第二段朝向远离所述第一段和...

【专利技术属性】
技术研发人员:高蓉
申请(专利权)人:TCL华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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