用于基板处理腔室的泵送设备与方法技术

本公开内容涉及用于基板处理腔室的泵送装置、泵送装置的部件以及与泵送装置相关联的方法。在一个示例中，一种用于基板处理腔室的泵送环包括主体。主体包括上壁、下壁、内径向壁和外径向壁。泵送环还包括由上壁、下壁、内径向壁和外径向壁限定的环状体。泵送环还包括在主体中的第一排气口和在主体中的第二排气口，第一排气口流体耦接至环状体，第二排气口流体耦接至环状体。泵送环还包括设置在环状体中与第一排气口相邻的第一挡板，以及设置在环状体中与第二排气口相邻的第二挡板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基板处理腔室的泵送设备与方法
技术介绍

本公开内容的各方面总体上涉及用于基板处理腔室的泵送装置、泵送装置的部件以及与泵送装置相关联的方法。相关技术说明有时需要在诸如化学气相沉积(CVD)操作之类的基板处理操作期间或之后排出基板处理腔室中的流体。然而，基板周围的流体的排空有时是不对称的，这可能导致腔室中的不均匀处理和残留物的形成，这可对操作产生有害影响。残留物会在处理期间剥落到基板上，从而在基板中产生缺陷。使流体排空更加对称的努力已导致泵送排气流速降低，从而影响了操作时间线和整个处理系统的产量。这些努力还导致设计受到基板处理腔室中或周围的其他部件的限制，从而导致腔室的部件的尺寸和/或构造的改变。因此，需要一种增加排气操作的对称性并维持泵送能力的泵送装置。
技术实现思路
本公开内容的实施方式总体上涉及用于基板处理腔室的泵送装置。在一个示例中，一种用于基板处理腔室的泵送环包括主体。主体包括上壁、下壁、内径向壁和外径向壁。泵送环还包括由上壁、下壁、内径向壁和外径向壁限定的环状体。泵送环还包括在主体中的第一排气口和在主体中的第二排气口，第一排气口流体耦接至环状体，第二排气口流体耦接至环状体。泵送环还包括设置在环状体中与第一排气口相邻的第一挡板，以及设置在环状体中与第二排气口相邻的第二挡板。在一个示例中，用于基板处理腔室的泵送环包括主体，主体具有上表面、上壁、下壁、内径向壁和外径向壁。泵送环还包括在主体中的一个或多个开口，所述一个或多个开口被配置成引导流体通过其中。泵送环还包括在主体中的第一排气口和在主体中的第二排气口。在一个示例中，基板处理腔室包括腔室主体、设置在腔室主体中的底座、以及围绕底座设置的泵送环。泵送环具有上壁、下壁、内径向壁和外径向壁。环状体由上壁、下壁、内径向壁和外径向壁限定。基板处理腔室还包括在泵送环中的第一排气口和在泵送环中的第二排气口，第一排气口流体耦接至环状体，第二排气口流体耦接至环状体。基板处理腔室还包括前级管道，所述前级管道流体耦接到第一排气口和第二排气口。附图说明为了详细理解本公开内容的上述特征的方式，可参考实施方式对以上简要概述的本公开内容进行更具体描述，附图中示出了实施方式中的一些。然而，应注意到，附图仅示出本公开内容的一般实施方式，并且因此不应被视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。图1A是根据一种实施方式的基板处理腔室的示意性截面图。图1B是根据一种实施方式的图1A中所示的基板处理腔室的放大的示意性局部截面图。图1C是根据一种实施方式的图1B中所示的基板处理腔室的放大的示意性局部截面图。图1D是根据一种实施方式的图1A中所示的泵送装置的放大的示意性局部截面图。图1E是根据一种实施方式的图1B中所示的沿着线1E-1E截取的泵送装置与底座的示意性局部截面图。图1F是根据一种实施方式的图1D所示的泵送装置的底部示意性局部视图。为了促进理解，已尽可能使用相同的附图标记来指示附图中共有的相同元件。已构想到，在一种实施方式中公开的元件可有益地用于其他实施方式而无需具体叙述。具体实施方式本公开内容涉及用于基板处理腔室的泵送装置、泵送装置的部件以及与泵送装置相关联的方法。图1A是根据一种实施方式的基板处理腔室100的示意性截面图。基板处理腔室100可以例如是化学气相沉积(CVD)腔室或等离子体增强CVD腔室。基板处理腔室100具有腔室主体102和腔室盖104。腔室主体102在其中包括内部容积106。内部容积106是由腔室主体102和腔室盖104限定的空间。基板处理腔室100包括气体分配组件116，气体分配组件116耦接至腔室盖104或设置在腔室盖104中，以将一种或多种气体的气流输送到处理区域110中。气体分配组件116包括气体歧管118，气体歧管118耦接至形成在腔室盖104中的气体入口通道120。气体歧管118从一个或多个气体源122(示出了两个)接收气体流。从一个或多个气体源122接收的气体流分布在气体箱124上，流过背板126的多个开口191，并且进一步分布在由背板126和面板130限定的气室128上。气体流然后通过面板130的多个开口132流入内部容积106的处理区域110中。内部容积106包括设置在腔室主体102中的底座138。底座138在基板处理腔室100内支撑基板136。底座138将基板136支撑在底座138的支撑表面139上。底座138包括加热器和设置在其中的电极。电极可以向内部空间106和/或处理区域110供应直流(DC)电压、射频(RF)能量或交流(AC)能量。底座138通过升降系统195可移动地设置在内部容积106中。底座138的移动促进穿过狭缝阀往返于内部容积106转移基板136，所述狭缝阀穿过腔室主体102形成。底座138也可以移动到用于处理基板136的不同处理位置。在基板处理期间，当气体流过多个开口132并流入处理区域110中时，加热器加热底座138和支撑表面139。同样在基板处理期间，底座138中的电极传播射频(RF)能量、交流(AC)或直流(DC)电压，以促进在处理区域110中的等离子体生成和/或促进将基板136吸附至底座138。来自底座138中的电极的热量、气体和能量促进在基板处理期间将膜沉积到基板136上。面板130(经由耦合到腔室主体102而接地)和底座138的电极促进电容性等离子体耦合的形成。当向底座138中的电极供电时，在面板130和底座138之间产生电场，使得存在于底座138和面板130之间的处理区域110中的气体原子被电离并释放电子。被电离的原子加速到底座138，以促进基板136上的膜形成。泵送装置103设置在基板处理腔室100中。泵送装置103促进从内部容积106和处理区域110去除气体。泵送装置103排出的气体包括处理气体和/或处理残留物中的一者或多者。处理残留物可由将膜沉积到基板136上的工艺产生。泵送装置103包括设置在腔室主体102的台阶表面193上的泵送环160。台阶表面193从腔室主体102的底表面154向上升阶。台阶表面193支撑泵送环160。泵送环160包括主体107(在图1B中示出)。泵送环160的主体107由包括铝、氧化铝和/或氮化铝中的一种或多种的材料制成。泵送环160通过第一导管176和第二导管178流体耦接至前级管道172。前级管道172包括第一垂直导管131、第二垂直导管134、水平导管135和出口导管143。在一个示例中，出口导管143是第三垂直导管。在一个示例中，第一导管176和第二导管178是形成在腔室主体102中的开口，并且从台阶表面193延伸到腔室主体102的下部外表面129。本公开内容构想到第一导管176和第二导管178可以是在腔室主体102的表面(诸如底表面154)与泵送环160之间延伸的其他流动装置的管。作为示例，第一导管176和第二导管178可以分别是第一垂直导管131和第二垂直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于基板处理腔室的泵送环，包括：/n主体，所述主体包括上壁、下壁、内径向壁和外径向壁；/n环状体，所述环状体由所述上壁、所述下壁、所述内径向壁和所述外径向壁限定；/n在所述主体中的第一排气口，所述第一排气口流体耦接至所述环状体；/n在所述主体中的第二排气口，所述第二排气口流体耦接至所述环状体；/n第一挡板，所述第一挡板设置在所述环状体中与所述第一排气口相邻；以及/n第二挡板，所述第二挡板设置在所述环状体中与所述第二排气口相邻。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190108 US 62/789,905;20190329 US 62/826,4071.一种用于基板处理腔室的泵送环，包括：
主体，所述主体包括上壁、下壁、内径向壁和外径向壁；
环状体，所述环状体由所述上壁、所述下壁、所述内径向壁和所述外径向壁限定；
在所述主体中的第一排气口，所述第一排气口流体耦接至所述环状体；
在所述主体中的第二排气口，所述第二排气口流体耦接至所述环状体；
第一挡板，所述第一挡板设置在所述环状体中与所述第一排气口相邻；以及
第二挡板，所述第二挡板设置在所述环状体中与所述第二排气口相邻。


2.如权利要求1所述的泵送环，其中所述主体进一步包括一个或多个开口，所述一个或多个开口被配置成将流体引导到所述环状体中，并且所述第一排气口和所述第二排气口流体耦接至前级管道。


3.如权利要求1所述的泵送环，其中所述第一挡板和所述第二挡板两者都是弯曲的。


4.如权利要求1所述的泵送环，其中所述第一排气口和所述第二排气口在其间限定线性轴线，并且所述第一挡板和所述第二挡板以在相应的所述第一挡板或第二挡板的一端与所述线性轴线之间测得的挡板角度来设置，其中所述挡板角度在大约30度到大约55度的范围内。


5.如权利要求4所述的泵送环，其中所述第一挡板和所述第二挡板的所述挡板角度为大约30度。


6.如权利要求5所述的泵送环，其中所述第一排气口和所述第二排气口围绕所述主体的圆周轴线彼此等距地设置。


7.如权利要求1所述的泵送环，其中所述第一挡板和所述第二挡板被配置成围绕每个相应的第一挡板和第二挡板的第一端和第二端引导流体，所述流体包括处理气体和处理残留物。


8.一种用于基板处理腔室的泵送环，包括：
主体，所述主体包括上表面、上壁、下壁、内径向壁和外径向壁；
在所述主体中的一个或多个开口，所述一个或多个开口被配置成引导流体通过其中；
在所述主体中的第一排气口；以及
在所述主体中的第二排气口。


9.如权利要求8所述的泵送环，其中所述第一排气口和所述第二排气口围绕所述主体的圆周轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·高希，D·伯拉尼克，A·K·班塞尔，T·A·恩古耶，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US