用于通过局部加热来控制蚀刻深度的方法技术

技术编号:29420018 阅读:21 留言:0更新日期:2021-07-23 23:15
本公开内容的多个实施方式涉及通过提供在整个基板上的局部加热来控制蚀刻深度的方法。用于控制整个基板上的温度的方法可包括个别地控制设置在基板支承组件的介电主体中的多个加热小单元。多个加热小单元在基板的第一表面上提供温度分布,基板设置在介电主体的支承表面上。温度分布对应于待暴露于离子束的基板的第二表面上至少一个光栅的多个部分。此外,可通过个别地控制发光二极管(LED)阵列的LED来控制温度。将基板暴露于离子束,以在至少一个光栅上形成多个鳍片。至少一个光栅具有对应于温度分布的深度分布。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于通过局部加热来控制蚀刻深度的方法背景
本公开内容的多个实施方式一般涉及通过局部加热来控制蚀刻深度的方法以及系统。
技术介绍
虚拟现实(virtualreality)通常被认为是计算机生成的仿真环境,其中用户具有明显的实体存在感。虚拟现实体验可以以3D形式产生,并以头戴式显示器(HMD)观看,头戴式显示器(HMD)例如是眼镜或具有作为透镜的近眼显示面板的其他可穿戴式显示设备,以显示取代实际环境的虚拟现实环境。然而,增强现实(augmentedreality)能够实现这样一种体验:其中用户仍然能够通过眼镜或其他HMD装置的显示透镜看,从而观看周围的环境,也可以看为了显示而产生且显现为环境的部分的虚拟对象的图像。增强现实可包括任何类型的输入,例如音频和触觉输入,以及能够强化或增强用户体验的环境的虚拟图像、图形以及视频。作为新兴技术,增强现实存在许多挑战和设计约束。虚拟图像被覆盖在周围环境上以对用户提供增强的现实体验。波导用于辅助覆盖影像。产生的光传播通过波导,直到光离开波导并覆盖在周围环境上。光学装置通常需要在同一基板上的具有不同物理特性的多重波导,以便引导不同波长的光。增强现实的一个挑战是,在基板上制造波导是一种困难的处理。经常难以控制材料特性,例如基板的温度,这会影响设置在基板上的光栅的深度轮廓。整个基板上不受控制的温度导致整个基板上的光栅的深度轮廓不受控制且不一致。因此,需要一种通过提供整个基板上的局部加热来控制蚀刻深度的方法。
技术实现思路
一个实施方式中,一种用于控制整个基板的不同区域上的温度的方法包括以下步骤:个别地(individually)控制设置在基板支承组件的介电主体中的多个加热小单元(heatingpixels),多个加热小单元在基板的第一表面上提供温度分布,基板设置在介电主体的支承表面上,温度分布对应于待暴露于离子束的基板的第二表面上至少一个光栅的多个部分;以及将基板暴露于离子束,以在至少一个光栅上形成多个鳍片,至少一个光栅具有对应于温度分布的深度分布,其中:温度分布包括在至少一个光栅的多个部分的第一部分处的第一温度,以及在至少一个光栅的多个部分的第二部分处的第二温度;以及第一温度不同于第二温度。在另一实施方式中,一种用于控制整个基板的不同区域上的温度的方法包含以下步骤:个别地控制发光二极管(LED)阵列的LED,以在基板的表面上提供温度分布,温度分布对应于待暴露于离子束的基板的表面上的至少一个光栅的多个部分;以及将基板暴露于离子束,以在至少一个光栅上形成多个鳍片,至少一个光栅具有对应于温度分布的深度分布,其中:温度分布包括在至少一个光栅的多个部分的第一部分处的第一温度以及在至少一个光栅的多个部分的第二部分处的第二温度;以及第一温度不同于第二温度。在另一实施方式中,一种用于控制整个基板的不同区域上的温度的方法包含以下步骤:个别地控制设置在基板支承组件的介电主体中的多个加热小单元,多个加热小单元在基板的第一表面上提供温度分布,基板设置在介电主体的支承表面上,温度分布对应于待暴露于离子束的基板的第二表面上的至少一个光栅的多个部分;个别地控制发光二极管(LED)阵列的LED,以在基板的第二表面上提供温度分布,温度分布对应于待暴露于离子束的基板的该表面上至少一个光栅的多个部分;以及将基板暴露于离子束,以在至少一个光栅上形成多个鳍片,至少一个光栅具有对应于温度分布的深度分布,其中:温度分布包括在至少一个光栅的多个部分的第一部分处的第一温度,以及在至少一个光栅的多个部分的第二部分处的第二温度;以及第一温度不同于第二温度。附图说明本公开内容的上述特征可以此方式详细理解,以上简要概述的本公开内容的更具体说明可通过参考实施方式而获得,一些实施方式图示在附图中。然而,应理解附图仅图示示例性实施方式,且因此不应考虑为其范围的限制,且可认可其他均等效果的实施方式。图1A是根据本文所述的至少一个实施方式,有多个透镜布置在基板上的基板的立体主视图;图1B是根据本文所述的至少一个实施方式,波导合路器(waveguidecombiner)的立体主视图;图2A是根据本文所述的至少一个实施方式,包括基板支承组件以及具有发光二极管(LED)阵列的抽取电极(extractionelectrode)的系统的示意性剖面图;图2B是根据本文所述的至少一个实施方式,系统的基板支承组件的立体主视图;图2C是根据本文所述的至少一个实施方式,系统的LED阵列的示意图;图3是根据本文所述的至少一个实施方式,控制基板的不同区域的温度的方法的流程图;以及图4是根据本文所述的至少一个实施方式,基板和光栅的示意性剖视图。为了便于理解,已尽可能地使用相同的附图标记代表各图共有的相同元件。应考虑的是,一个实施方式的元件和特征可有益地并入其他实施方式中而无须进一步说明。具体实施方式在以下说明中,提出数个具体细节以提供本公开内容的实施方式的更通透理解。然而,对本领域技术人员显而易见的是,无须一个或多个这些具体细节即可执行本公开内容的一个或多个实施方式。在其他实例中,并未说明公知特征以便避免使本公开内容的一个或多个实施方式令人费解。本公开内容的多个实施方式一般涉及通过提供整个基板上的局部加热来控制蚀刻深度的方法。用于控制整个基板的不同区域上的温度的方法可包括:个别地控制设置在基板支承组件的介电主体中的多个加热小单元。多个加热小单元在基板的第一表面上提供温度分布,基板设置在介电主体的支承表面上。温度分布对应于待暴露于离子束的基板的第二表面上至少一个光栅的多个部分。此外,可通过个别地控制发光二极管(LED)阵列的LED来控制温度。将基板暴露于离子束,以在至少一个光栅上形成多个鳍片。至少一个光栅具有对应于温度分布的深度分布。图1A图示了根据至少一个实施方式,基板101的立体主视图。基板101被构造成在光学装置中使用。基板101可以是在本领域中使用的任何基板。举例而言,基板101包含半导体材料,例如硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)和/或III-V族半导体,例如砷化镓(GaAs)。在另一示例中,基板101包含透明材料,例如玻璃和/或塑料。基板101可具有在基板上的任何数量的绝缘层、半导体层或金属层。如所显示,基板101包括设置在表面134上的多个透镜103。根据基板101的用途,多个透镜103被构造成对光聚焦。多个透镜103以行和列的栅格设置在基板101上。应考虑的是,根据本文所述的实施方式,可以实现在基板101上设置多个透镜103的其他适合的布置。在本文所述的制作波导合路器的方法之后,多个透镜103的各个透镜包括波导合路器100。图1B图示了根据一个实施方式,波导合路器100的立体主视图。波导合路器100被构造成引导电磁辐射(例如,光)。如所显示,波导合路器100包括多个区域,每个区域包括多个光栅102。多个光栅102被构造成接收来自微显示器(microdisplay)的具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于控制整个基板的不同区域上的温度的方法,包含以下步骤:/n个别地控制设置在基板支承组件的介电主体中的多个加热小单元,所述多个加热小单元在所述基板的第一表面上提供温度分布,所述基板设置在所述介电主体的支承表面上,所述温度分布对应于待暴露于离子束的所述基板的第二表面上至少一个光栅的多个部分;以及/n将所述基板暴露于所述离子束,以在所述至少一个光栅上形成多个鳍片,所述至少一个光栅具有对应于所述温度分布的深度分布,其中:/n所述温度分布包括在所述至少一个光栅的所述多个部分的第一部分处的第一温度,以及在所述至少一个光栅的所述多个部分的第二部分处的第二温度;以及/n所述第一温度不同于所述第二温度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181217 US 62/780,8021.一种用于控制整个基板的不同区域上的温度的方法,包含以下步骤:
个别地控制设置在基板支承组件的介电主体中的多个加热小单元,所述多个加热小单元在所述基板的第一表面上提供温度分布,所述基板设置在所述介电主体的支承表面上,所述温度分布对应于待暴露于离子束的所述基板的第二表面上至少一个光栅的多个部分;以及
将所述基板暴露于所述离子束,以在所述至少一个光栅上形成多个鳍片,所述至少一个光栅具有对应于所述温度分布的深度分布,其中:
所述温度分布包括在所述至少一个光栅的所述多个部分的第一部分处的第一温度,以及在所述至少一个光栅的所述多个部分的第二部分处的第二温度;以及
所述第一温度不同于所述第二温度。


2.如权利要求1所述的方法,其中至少一个透镜设置在所述基板上。


3.如权利要求2所述的方法,其中所述至少一个光栅包含光栅材料。


4.如权利要求3所述的方法,其中所述光栅材料通过图案化的硬模而暴露。


5.如权利要求1所述的方法,其中所述离子束被构造成以相对于所述基板的表面法线的优化的角度引导至所述基板。


6.一种用于控制整个基板的不同区域上的温度的方法,包含以下步骤:
个别地控制发光二极管(LED)阵列的LED,以在所述基板的表面上提供温度分布,所述温度分布对应于待暴露于离子束的所述基板的所述表面上至少一个光栅的多个部分;以及
将所述基板暴露于所述离子束,以在所述至少一个光栅上形成多个鳍片,所述至少一个光栅具有对应于所述温度分布的深度分布,其中:
所述温度分布包括在所述至少一个光栅的所述多个部分的第一部分处的第一温度,以及在所述至少一个光栅的所述多个部分的第二部分处的第二温度;以及<...

【专利技术属性】
技术研发人员:摩根·埃文斯约瑟夫·C·奥尔森
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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