金属膜、以及溅射靶制造技术

本发明专利技术以0.05原子％以上且5.00原子％以下的范围含有In，并且Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属膜、以及溅射靶
本专利技术例如涉及一种用作反射膜、电极膜、布线膜的金属膜，及在形成该金属膜时所使用的溅射靶。本申请主张基于2018年12月5日于日本申请的专利申请2018-228366号优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
例如，作为液晶显示器或有机EL显示器、触摸面板等显示装置的反射膜、电极膜、布线膜，例如提出有如专利文献1所示般使用由Ag或Ag合金构成的金属膜。并且，在专利文献2～4中，提出设为透明导电氧化物膜与由Ag或Ag合金构成的金属膜的层叠构造的层叠膜。上述的反射膜、电极膜、布线膜中，如上述的专利文献1～4所示般，例如通过使用蚀刻液的湿蚀刻处理(以下称为蚀刻处理)来形成规定的图案形状。在此，通常在对由Ag或Ag合金构成的金属膜进行蚀刻处理的情况下，例如使用PAN(磷酸+硝酸+乙酸)这类的含硝酸的蚀刻液。不过，在对由Ag或Ag合金构成的金属膜利用含硝酸的蚀刻液进行蚀刻处理的情况下，Ag的溶解速度非常快，因此有时会变得难以高精度地控制蚀刻状态。并且，在对透明导电氧化物膜与金属膜的层叠膜利用含硝酸的蚀刻液进行蚀刻处理的情况下，在透明导电氧化物膜及金属膜的蚀刻速率差距大，而有导致金属膜被过蚀刻，并无法高精度地形成蚀刻后的图案形状这类问题。在此，专利文献2中提出通过使用草酸蚀刻液来抑制金属膜的过蚀刻的方法。并且，专利文献3、4中提出有如下方法：通过规定透明导电氧化物膜的组成，从而减小透明导电氧化物膜与金属膜的蚀刻速率的差，来抑制金属膜的过蚀刻。r>专利文献1：日本国特开2006-028641号公报(A)专利文献2：日本国特许第6020750号公报(B)专利文献3：日本国特开2017-179594号公报(A)专利文献4：日本国特开2017-183274号公报(A)不过，对由Ag或Ag合金构成的金属膜进行蚀刻处理的工序中，如上所述从以往广泛使用PAN等含硝酸的蚀刻液，因此可能会需要使用含硝酸的蚀刻液而高精度地进行蚀刻处理。并且，根据对层叠膜所要求的特性，有时会无法适用专利文献3、4中记载的透明导电氧化物膜。因此，即使在使用PAN等含硝酸的蚀刻液的情况下，也需要可抑制蚀刻速率的金属膜。并且，在由Ag或Ag合金构成的金属膜中，Ag容易和S(硫)反应而生成硫化物，因此例如可能和蚀刻液中含有的S、和/或蚀刻加工后存在于气氛中的S反应而硫化，从而金属膜的电气特性或光学特性劣化。
技术实现思路
本专利技术是鉴于前述情况而完成的，目的在于提供一种即使使用含硝酸的蚀刻液的情况下也可抑制蚀刻速率，而可高精度地进行蚀刻处理，且耐硫化性优异的金属膜、及在形成该金属膜时所使用的溅射靶。为了解决上述的课题，本专利技术人等深入研究的结果，得到了通过对金属膜适量添加In，可提高耐硫化性的见解。并且，有关金属膜的蚀刻速率，获得了如下的见解。在使用含硝酸的蚀刻液对由Ag或Ag合金构成的金属膜进行蚀刻处理时，进行Ag的溶解反应与硝酸的还原反应。此时，若硝酸的还原反应被促进，则Ag的溶解反应也被促进，而蚀刻速率变快。因此，通过限制硝酸的还原反应中作为催化剂起作用的Pd、Pt、Au、Rh这类元素的含量，即使使用含硝酸的蚀刻液也可抑制金属膜的蚀刻速率。本专利技术是基于上述的见解而完成，本专利技术的金属膜，其特征在于，以0.05原子％以上且5.00原子％以下的范围含有In，并且Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。在该构成的金属膜中，以0.05原子％以上且5.00原子％以下的范围含有In，因此耐硫化性提高，能够抑制金属膜的硫化所造成的特性的劣化。然后，在本专利技术的金属膜中，如上所述限制硝酸的还原反应中作为催化剂起作用的Pd、Pt、Au、Rh的含量，因此即使使用含硝酸的蚀刻液进行蚀刻处理的情况下，也能抑制过度进行Ag的溶解反应，而能够抑制蚀刻速率。因此，即使使用含硝酸的蚀刻液进行蚀刻处理，也能稳定控制蚀刻状态，而可高精度地形成图案形状。在此，在本专利技术的金属膜中，可进一步以总计0.05原子％以上含有Sb、Zn、Sn、Pb、Ti中的至少一种或两种以上作为添加元素，并且In及Sb、Zn、Sn、Pb、Ti的总含量设为5.00原子％以下。Sb、Zn、Sn、Pb、Ti起到作为抑制硝酸的还原反应的催化毒物(catalystpoison)的作用，因此通过以上述的范围含有这些添加元素，能够进一步抑制硝酸的还原反应，并能够进一步抑制金属膜的蚀刻速率。并且，本专利技术的溅射靶，其特征在于，以0.05原子％以上且5.00原子％以下的范围含有In，并且Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。在该构成的溅射靶中，以0.05原子％以上且5.00原子％以下的范围含有In，因此可形成耐硫化性优异的金属膜。然后，在本专利技术的溅射靶中，如上所述限制硝酸的还原反应中作为催化剂起作用的Pd、Pt、Au、Rh的含量，因此在所形成的金属膜中也能限制Pd、Pt、Au、Rh的含量，即使使用含硝酸的蚀刻液进行蚀刻处理，也能形成可抑制蚀刻速率的金属膜。在此，在本专利技术的溅射靶中，可进一步以总计0.05原子％以上含有Sb、Zn、Sn、Pb、Ti中的至少一种或两种以上作为添加元素，并且In及Sb、Zn、Sn、Pb、Ti的总含量设为5.00原子％以下。此时，含有作为抑制硝酸的还原反应的催化毒物起作用的Sb、Zn、Sn、Pb、Ti，因此在所形成的金属膜中也会以上述范围含有这些添加元素，而能够进一步抑制硝酸的还原反应，即使使用含硝酸的蚀刻液进行蚀刻处理，也能形成可抑制蚀刻速率的金属膜。并且，本专利技术的溅射靶中，优选为，根据溅射面的多个测定点中的Sb、Zn、Sn、Pb、Ti的总含量值的平均值μT与标准差σT所算出的分布DT＝(σT/μT)×100(％)为20％以下。在含有Sb、Zn、Sn、Pb、Ti这类添加元素的情况下，根据溅射面的多个测定点中的添加元素的总含量值的平均值μT与标准差σT所算出的分布DT被控制在20％以下，由于溅射面中添加元素会均一地存在，而可稳定地形成均一地分散有这些添加元素的金属膜。根据本专利技术，可提供一种即使在使用含硝酸的蚀刻液的情况下也可抑制蚀刻速率，而可高精度地进行蚀刻处理，且耐硫化性优异的金属膜、及在形成该金属膜时所使用的溅射靶。附图说明图1表示矩形平板型的溅射靶中的溅射面的添加元素的含量的测定位置的说明图。图2表示圆板型溅射靶中的溅射面的添加元素的含量的测定位置的说明图。图3A表示圆筒型溅射靶中的溅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属膜，其特征在于，/n以0.05原子％以上且5.00原子％以下的范围含有In，并且Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181205 JP 2018-2283661.一种金属膜，其特征在于，
以0.05原子％以上且5.00原子％以下的范围含有In，并且Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。


2.根据权利要求1所述的金属膜，其特征在于，
进一步以总计0.05原子％以上含有Sb、Zn、Sn、Pb、Ti中的至少一种或两种以上作为添加元素，并且In及Sb、Zn、Sn、Pb、Ti的总含量为5.00原子％以下。


3.一种溅射靶，其特征在于，
以0.05原子％以上且5.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：岁森悠人，野中庄平，小见山昌三，林雄二郎，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP