阵列基板制作方法及阵列基板技术

本申请属于显示面板技术领域，提供了一种阵列基板制作方法及阵列基板，其中阵列基板制作方法包括以下步骤：S1、在衬底上依次制作半导体层、金属层和光阻层；S2、采用湿蚀刻法对金属层进行处理；S3、采用完成第一道湿蚀刻的金属层作为光罩对光阻层进行曝光和显影；S4、采用干蚀刻法将半导体层暴露在光阻层外的区域去除；S5、采用湿蚀刻法再次对金属层进行处理，形成数据线和半导体尾巴；阵列基板采用阵列基板制作方法制作完成。本申请提供的阵列基板制作方法及阵列基板通过在步骤S2和步骤S4之间增加步骤S3，使得光阻层的覆盖宽度减小，进而使对半导体层进行干蚀刻时半导体层的覆盖宽度减小，从而有效地缩短了半导体尾巴的长度。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板制作方法及阵列基板
本申请属于显示面板
，更具体地说，是涉及一种阵列基板制作方法及阵列基板。
技术介绍
随着信息时代的飞速发展，显示装置在信息技术的发展过程中占据了十分重要的地位，各类仪器仪表上的显示屏为人们的日常生活和工作提供着大量的信息，可以说没有显示装置就不会有当今飞速发展的信息技术。TFT-LCD(Thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示屏)因亮度好、对比度高、层次感强、颜色鲜艳、制作简单、性能稳定等特点，被广泛应用到人们的生活和工作中。TFT-LCD一般由阵列基板与彩膜基板贴合后形成，在阵列基板的制作过程中通常会搭配使用4Mask(光罩)工艺，目前的4Mask工艺一般包括：曝光显影、一道湿蚀刻、再一道干蚀刻和最后一道湿蚀刻，其中，曝光显影后的结构示意图如图1所示，第一道湿蚀刻后的结构示意图如图2所示，第一道干蚀刻后的结构示意图如图3所示，最后一道湿蚀刻的结构示意图如图4所示。然而在使用4Mask工艺制作数据线的过程中，在数据线的底部会形成一小段Astail(半导体尾巴，如图4中的100)，由于半导体尾巴与Acom(公共电极，如图5中的15)的距离不能太近，如果距离太近会导致串扰，那么半导体尾巴的长度就会决定数据线与公共电极之间的距离，半导体尾巴的长度越长，TFT-LCD的光穿透率就越低。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种阵列基板制作方法及阵列基板，其包括但不限于解决现有的半导体尾巴较长的技术问题。>本申请是这样实现的，提供了一种阵列基板制作方法，包括以下步骤：S1、在衬底上依次制作半导体层、金属层和光阻层；S2、采用湿蚀刻法将金属层暴露在光阻层外的区域去除；S3、采用完成第一道湿蚀刻的金属层作为光罩对光阻层进行曝光和显影，将光阻层暴露在金属层外的区域去除；S4、采用干蚀刻法将半导体层暴露在光阻层外的区域去除；S5、采用湿蚀刻法将金属层位于薄膜晶体管的沟道内的金属去除，形成数据线和半导体尾巴。在一个实施例中，在所述S3和所述S4之间还包括步骤：对光阻层进行灰化处理。在一个实施例中，所述灰化处理采用的气体为氧气。在一个实施例中，在所述氧气中混合有三氟化氮气体或六氟化硫气体。在一个实施例中，所述氧气的流量为10000-20000sccm，所述三氟化氮气体或所述六氟化硫气体的流量为200-600sccm。在一个实施例中，所述S1包括如下具体步骤：S11、在具有栅极的衬底上依次沉积栅极绝缘层、有源层、掺杂层和金属层；S12、在金属层上涂布正性光阻材料；S13、采用半色调光罩对正性光阻材料进行曝光和显影，形成光阻层。在一个实施例中，所述干蚀刻法采用的气体为氯气。在一个实施例中，在所述氯气中混合有三氟化氮气体或六氟化硫气体。在一个实施例中，所述氯气的流量为4000-6000sccm，所述三氟化氮气体或所述六氟化硫气体的流量为1000-2000sccm。本申请还提供了一种阵列基板，采用上述阵列基板制作方法制作完成，所述阵列基板包括衬底、半导体层、公共电极和数据线，所述半导体层和所述公共电极设于所述衬底上，且所述半导体层和所述公共电极之间具有间隙，所述数据线设于所述半导体层上。本申请提供的阵列基板制作方法及阵列基板的有益效果在于：通过在步骤S2和步骤S4之间增加步骤S3，采用完成第一道湿蚀刻的金属层作为光罩对光阻层进行曝光和显影，使得光阻层的覆盖宽度减小，进而使对半导体层进行干蚀刻时半导体层的覆盖宽度减小，从而有效地缩短了半导体尾巴的长度，解决了现有的半导体尾巴较长的技术问题，有利于减小数据线与公共电极之间的距离以及提高显示面板的光穿透率。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为现有的4Mask工艺中曝光显影工序后的局部结构示意图；图2为现有的4Mask工艺中第一道湿蚀刻工序后的局部结构示意图；图3为现有的4Mask工艺中第一道干蚀刻工序后的局部结构示意图；图4为现有的4Mask工艺中第二道湿蚀刻工序后的局部结构示意图；图5为本申请实施例提供的显示面板的局部结构示意图；图6为本申请实施例提供的阵列基板制作方法的工艺流程图；图7为本申请实施例提供的阵列基板制作方法中第二道曝光显影工序后的局部结构示意图；图8为本申请实施例提供的阵列基板制作方法中灰化处理后的局部结构示意图；图9为本申请实施例提供的阵列基板制作方法中第一道干蚀刻工序后的局部结构示意图；图10为本申请实施例提供的阵列基板制作方法中第二道湿蚀刻工序后的局部结构示意图。其中，图中各附图标记：1—阵列基板、、2—彩膜基板、3—半色调光罩、11—衬底、12—半导体层、13—金属层、14—光阻层、15—公共电极、21—遮光区域、100—半导体尾巴、130—数据线。具体实施方式为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。需说明的是：当部件被称为“固定在”或“设置在”另一个部件，它可以直接在另一个部件上或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接在”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。术语“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。本申请提供的阵列基板制作方法包括以下步骤：S1、请参阅图1，在衬底11上依次制作半导体层12、金属层13和光阻层14；S2、请参阅图2，采用湿蚀刻法将金属层13暴露在光阻层14外的区域去除；S3、请参阅图7，采用完成第一道湿蚀刻的金属层13作为光罩对光阻层14进行曝光和显影，将光阻层14暴露在金属层13外的区域去除；S4、请参阅图9，采用干蚀刻法将半导体层12暴露在光阻层14外的区域去除；S5、请参阅图10，采用湿蚀刻法将金属层13位于薄膜晶体管的沟道(未图示)内的金属去除，形成数据线130和半导体尾巴100。具体地，请参阅图1，步骤S1包括如下具体步骤：S11、在具有栅极的衬底11上依次沉积栅极绝缘层、有源层、掺杂层和金属层13；S12、在金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、在衬底上依次制作半导体层、金属层和光阻层；/nS2、采用湿蚀刻法将金属层暴露在光阻层外的区域去除；/nS3、采用完成第一道湿蚀刻的金属层作为光罩对光阻层进行曝光和显影，将光阻层暴露在金属层外的区域去除；/nS4、采用干蚀刻法将半导体层暴露在光阻层外的区域去除；/nS5、采用湿蚀刻法将金属层位于薄膜晶体管的沟道内的金属去除，形成数据线和半导体尾巴。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在衬底上依次制作半导体层、金属层和光阻层；
S2、采用湿蚀刻法将金属层暴露在光阻层外的区域去除；
S3、采用完成第一道湿蚀刻的金属层作为光罩对光阻层进行曝光和显影，将光阻层暴露在金属层外的区域去除；
S4、采用干蚀刻法将半导体层暴露在光阻层外的区域去除；
S5、采用湿蚀刻法将金属层位于薄膜晶体管的沟道内的金属去除，形成数据线和半导体尾巴。


2.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在所述S3和所述S4之间还包括步骤：对光阻层进行灰化处理。


3.如权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述灰化处理采用的气体为氧气。


4.如权利要求3所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在所述氧气中混合有三氟化氮气体或六氟化硫气体。


5.如权利要求4所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述氧气的流量为10000-20000sccm，所述三氟化氮气体或所述六氟化硫气体的流量为200-600sccm。
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯军，周佑联，许哲豪，袁海江，
申请(专利权)人：北海惠科光电技术有限公司，惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45