一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板技术

本申请公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，通过将阵列基板中的第一栅极金属层氧化，得到第二栅极金属层；第二栅极金属层包括靠近基板一侧的金属层和背离基板一侧的氧化金属层。使得对栅极金属层进行酸性蚀刻时，相同蚀刻时间内，氧化金属层的蚀刻速率大于金属层的蚀刻速率，使得氧化金属层的横向蚀刻量增加且大于金属层的横向蚀刻量，降低栅极金属层与基板之间形成的倾角的角度，进而改善栅极绝缘层和源漏极金属层在栅极金属层形成的爬坡结构处断线的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板。
技术介绍
传统薄膜晶体管液晶显示器（ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFTLCD）工艺因产品设计需求，源漏极金属层金属走线经过栅极金属层位置时，需要进行爬坡。受爬坡位置形貌影响，光阻涂布过程中，光阻流平性不佳，爬坡位置光阻填充不完全，在金属与光阻间易产生孔隙，使得蚀刻过程药液渗透至孔隙中，产生孔隙腐蚀，导致爬坡断线异常发生，大大影响阵列基板的良率。行业内降低栅极金属层爬坡位置处的倾角通常通过栅极金属层铜酸配方调整进行控制，但铜酸开发周期长，投入资源成本多。
技术实现思路
本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及阵列基板，旨在解决现有技术中栅极绝缘层和源漏极金属层容易发生爬坡断线的问题。第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：提供基板；在所述基板上形成第一栅极金属层；对所述第一栅极金属层进行氧化形成第二栅极金属层，其中所述第二栅极金属层包括靠近所述基板一侧的金属层和背离所述基板一侧的氧化金属层；利用蚀刻液对所述第二栅极金属层进行蚀刻，以形成图案化的栅极层，其中，所述蚀刻液对所述氧化金属层的蚀刻速率大于对所述金属层的蚀刻速率。进一步的，所述在所述基板上形成第一栅极金属层的步骤包括：采用物理气相沉积的方式在所述基板上形成所述第一栅极金属层。<br>进一步的，所述对所述第一栅极金属层进行氧化形成第二栅极金属层的步骤，包括：在物理气相沉积产生的高温环境下，通入预设氧气含量的气体对所述第一栅极金属层进行氧化，使得所述第一栅极金属层上远离所述基板的一侧被氧化，而靠近所述基板一侧未被氧化。进一步的，所述利用蚀刻液对所述第二栅极金属层进行蚀刻，以形成图案化的栅极层，包括：对所述第二栅极金属层进行处理，得到图案化的第二栅极金属层；对所述图案化的第二栅极金属层进行蚀刻，得到图案化的栅极层。进一步的，所述对所述第二栅极金属层进行处理，得到图案化的第二栅极金属层，包括：在所述第二栅极金属层上方制备光刻胶层；利用预设掩膜版对所述光刻胶层进行曝光显影，得到图案化的光刻胶层。进一步的，所述方法还包括：利用酸性溶液对所述第二栅极金属层进行蚀刻，去除所述第二栅极金属层中第一区域内的金属层和第二区域内的氧化金属层，得到图案化的第二栅极金属层；其中，第一区域的范围大于第二区域内的范围。进一步的，所述方法还包括：剥离所述图案化的第二栅极金属层上方的所述图案化的光刻胶层，形成所述图案化的栅极层。第二方面，本申请实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板；图案化的栅极层，所述图案化的栅极层位于所述基板的上方，所述图案化的栅极层包括背离所述基板一侧的氧化金属层和靠近所述基板一侧的金属层，且所述图案化的栅极层中的第一区域内的氧化金属层和第二区域内的金属层被去除；其中，所述第一区域的范围大于所述第二区域的范围。进一步的，所述阵列基板还包括：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述图案化的栅极层上方；源漏极金属层，所述源漏极金属层设置在所述栅极绝缘层的上方。第三方面，本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括对置基板、液晶层和如上任一项所述的阵列基板，所述对置基板与所述阵列基板相对设置，所述液晶层夹设在所述阵列基板和所述对置基板之间。本申请实施例提供的阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，通过将阵列基板中的第一栅极金属层氧化，得到第二栅极金属层；而第二栅极金属层包括靠近基板一侧的金属层和背离基板一侧的氧化金属层。使得对第二栅极金属层进行酸性蚀刻时，相同蚀刻时间内，氧化金属层的蚀刻速率大于金属层的蚀刻速率，使得氧化金属层的横向蚀刻量增加且大于金属层的横向蚀刻量，达到降低栅极金属层倾角的效果，进而改善栅极绝缘层和源漏极金属层在栅极金属层爬坡结构处断线的问题。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法一实施例流程示意图；图2为本申请实施例提供的第二栅极金属层的一实施例结构示意图；图3为本申请实施例提供的阵列基板曝光时的一实施例结构示意图；图4为本申请实施例提供的栅极金属层蚀刻后的一实施例侧视图；图5为本申请实施例提供的阵列基板一实施例结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供基板；/n在所述基板上形成第一栅极金属层；/n对所述第一栅极金属层进行氧化形成第二栅极金属层，其中所述第二栅极金属层包括靠近所述基板一侧的金属层和背离所述基板一侧的氧化金属层；/n利用蚀刻液对所述第二栅极金属层进行蚀刻，以形成图案化的栅极层，其中，所述蚀刻液对所述氧化金属层的蚀刻速率大于对所述金属层的蚀刻速率。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成第一栅极金属层；
对所述第一栅极金属层进行氧化形成第二栅极金属层，其中所述第二栅极金属层包括靠近所述基板一侧的金属层和背离所述基板一侧的氧化金属层；
利用蚀刻液对所述第二栅极金属层进行蚀刻，以形成图案化的栅极层，其中，所述蚀刻液对所述氧化金属层的蚀刻速率大于对所述金属层的蚀刻速率。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成第一栅极金属层的步骤包括：采用物理气相沉积的方式在所述基板上形成所述第一栅极金属层。


3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一栅极金属层进行氧化形成第二栅极金属层的步骤包括：
在物理气相沉积产生的高温环境下，通入预设氧气含量的气体对所述第一栅极金属层进行氧化，使得所述第一栅极金属层上远离所述基板的一侧被氧化而靠近所述基板一侧未被氧化。


4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述利用蚀刻液对所述第二栅极金属层进行蚀刻，以形成图案化的栅极层，包括：
对所述第二栅极金属层进行处理，得到图案化的第二栅极金属层；
对所述图案化的第二栅极金属层进行蚀刻，得到图案化的栅极层。


5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第二栅极金属层进行处理，得到图案化的第二栅极金属层，包括：
在所述第二栅极金属层上方制...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭芳，
申请(专利权)人：苏州华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32