显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。所述制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成所述第一有源层；在第一有源层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第二有源层；在第二有源层上形成第二绝缘层，第二有源层的刻蚀选择比大于第一绝缘层的刻蚀选择比；同时形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔；形成第一电极、第二电极、第三电极及第四电极，第一电极部分位于第一接触孔内且与第一有源层接触，第二电极部分位于第二接触孔内且与第一有源层接触；第三电极部分位于第三接触孔内且与第二有源层接触，第四电极部分位于第四接触孔内且与第二有源层接触；形成显示膜层。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置
本申请涉及显示
，特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
LTPO(LowTemperaturePolycrystallineOxide，低温多晶氧化物)显示面板技术，即显示面板同时包括低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管，LTPO显示面板具有反应速度高、亮度高及功耗低等优势。在制备LTPO显示面板的过程中，由于低温多晶硅薄膜晶体管的有源层与氧化物半导体薄膜晶体管的有源层之间存在绝缘层，为了避免刻蚀的过程中对低温多晶硅薄膜晶体管的有源层造成损伤，两种薄膜晶体管的有源层上方的用以容纳源电极与漏电极的接触孔不能同时形成，需采用两张掩膜版及通过两次刻蚀工艺形成，使得显示面板的制备工艺比较复杂，制备成本较高。
技术实现思路
本申请实施例的第一方面提供了一种显示基板的制备方法。所述显示基板包括位于显示区的低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层、第一电极及第二电极；所述氧化物半导体薄膜晶体管包括第二有源层、第三电极及第四电极；所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成所述第一有源层；在所述第一有源层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二有源层；在所述第二有源层上形成第二绝缘层，所述第二有源层的刻蚀选择比大于所述第一绝缘层的刻蚀选择比；对所述第一绝缘层与所述第二绝缘层进行刻蚀，同时形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔；所述第一接触孔与所述第二接触孔贯穿所述第一绝缘层及所述第二绝缘层，且分别暴露部分所述第一有源层；所述第三接触孔与所述第四接触孔贯穿所述第二绝缘层，且分别暴露部分所述第二有源层；形成第一电极、第二电极、第三电极及第四电极，所述第一电极部分位于所述第一接触孔内且与所述第一有源层接触，所述第二电极部分位于所述第二接触孔内且与所述第一有源层接触；所述第三电极部分位于所述第三接触孔内且与所述第二有源层接触，所述第四电极部分位于所述第四接触孔内且与所述第二有源层接触；形成显示膜层。在一个实施例中，所述第二有源层的材料为多晶金属氧化物半导体；或者所述第二有源层包括层叠设置的两层或两层以上的子膜层，所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的材料为多晶金属氧化物半导体。在一个实施例中，所述第二有源层的材料为多晶金属氧化物半导体时，所述第二有源层的厚度范围为10nm～100nm；所述第二有源层包括两层或两层以上的子膜层时，所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的厚度范围为10nm～100nm。在一个实施例中，所述显示基板还包括绑定区及邻接所述绑定区与所述显示区的弯折区，所述显示基板的制备方法还包括：形成位于所述弯折区的开孔，所述开孔未贯穿所述衬底，所述绑定区可通过所述弯折区弯折至所述衬底背离所述第一绝缘层的一侧；所述形成位于所述弯折区的开孔的步骤、与所述对所述第一绝缘层与所述第二绝缘层进行刻蚀，同时形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔的步骤同步进行。在一个实施例中，所述开孔贯穿所述第一绝缘层与所述第二绝缘层。本申请实施例的第二方面提供了一种显示基板，所述显示基板包括显示区；所述显示基板包括衬底、低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、第一绝缘层及第二绝缘层；所述低温多晶硅薄膜晶体管与所述氧化物半导体薄膜晶体管位于所述显示区，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层、第一电极及第二电极；所述氧化物半导体薄膜晶体管包括第二有源层、第三电极及第四电极；所述第二有源层的刻蚀选择比大于所述第一绝缘层的刻蚀选择比；所述第一绝缘层位于所述第一有源层上，所述第二有源层位于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层位于所述第二有源层上；所述显示基板还设有贯穿所述第一绝缘层及所述第二绝缘层且暴露部分所述第一有源层的第一接触孔和第二接触孔、贯穿所述第一绝缘层且暴露部分所述第二有源层的第三接触孔和第四接触孔；所述第一电极部分位于所述第一接触孔内且与所述第一有源层接触，所述第二电极部分位于所述第二接触孔内且与所述第一有源层接触；所述第三电极部分位于所述第三接触孔内且与所述第二有源层接触，所述第四电极部分位于所述第四接触孔内且与所述第二有源层接触；所述显示膜层位于所述第一电极上。在一个实施例中，所述第二有源层的材料为多晶金属氧化物半导体；所述第二有源层的厚度范围为10nm～100nm；或者，所述第二有源层包括层叠设置的两层或两层以上的子膜层，所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的材料为多晶金属氧化物半导体；所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的厚度范围为10nm～100nm。在一个实施例中，所述显示基板还包括绑定区及邻接所述绑定区与所述显示区的弯折区，所述显示基板还设有位于所述弯折区的开孔，所述开孔未贯穿所述衬底；所述绑定区通过所述弯折区弯折至所述衬底背离所述第一绝缘层的一侧；所述开孔贯穿所述第一绝缘层与所述第二绝缘层。本申请实施例的第三方面提供了一种显示面板，所述显示面板包上述的显示基板。本申请实施例的第四方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。本申请实施例所达到的主要技术效果是：本申请实施例提供的显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置，显示基板包括低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管，可使得显示面板的功耗较低，续航能力较强，有助于提升用户的使用体验；由于第二有源层的刻蚀选择比大于第一绝缘层的刻蚀选择比，可采用一张掩膜版、通过一次刻蚀工艺同时形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔，第二有缘层受到的刻蚀损伤较小，不会影响氧化物半导体薄膜晶体管的器件特性。因而本申请实施例提供的显示基板的制备方法可降低显示基板的制备成本、降低制备工艺的复杂度。附图说明图1是本申请一示例性实施例提供的显示面板的制备方法的流程图；图2是本申请一示例性实施例提供的显示面板的第一中间结构的结构示意图；图3是本申请一示例性实施例提供的显示面板的第二中间结构的结构示意图；图4是本申请一示例性实施例提供的显示面板的第三中间结构的结构示意图；图5是本申请一示例性实施例提供的显示面板的第四中间结构的结构示意图；图6是本申请一示例性实施例提供的显示面板的第五中间结构的结构示意图；图7是本申请一示例性实施例提供的显示面板的第六中间结构的结构示意图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括位于显示区的低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层、第一电极及第二电极；所述氧化物半导体薄膜晶体管包括第二有源层、第三电极及第四电极；所述制备方法包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上形成所述第一有源层；/n在所述第一有源层上形成第一绝缘层；/n在所述第一绝缘层上形成第二有源层；/n在所述第二有源层上形成第二绝缘层，所述第二有源层的刻蚀选择比大于所述第一绝缘层的刻蚀选择比；/n对所述第一绝缘层与所述第二绝缘层进行刻蚀，同时形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔；所述第一接触孔与所述第二接触孔贯穿所述第一绝缘层及所述第二绝缘层，且分别暴露部分所述第一有源层；所述第三接触孔与所述第四接触孔贯穿所述第二绝缘层，且分别暴露部分所述第二有源层；/n形成第一电极、第二电极、第三电极及第四电极，所述第一电极部分位于所述第一接触孔内且与所述第一有源层接触，所述第二电极部分位于所述第二接触孔内且与所述第一有源层接触；所述第三电极部分位于所述第三接触孔内且与所述第二有源层接触，所述第四电极部分位于所述第四接触孔内且与所述第二有源层接触；/n形成显示膜层。/n...

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括位于显示区的低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层、第一电极及第二电极；所述氧化物半导体薄膜晶体管包括第二有源层、第三电极及第四电极；所述制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成所述第一有源层；
在所述第一有源层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第二有源层；
在所述第二有源层上形成第二绝缘层，所述第二有源层的刻蚀选择比大于所述第一绝缘层的刻蚀选择比；
对所述第一绝缘层与所述第二绝缘层进行刻蚀，同时形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔；所述第一接触孔与所述第二接触孔贯穿所述第一绝缘层及所述第二绝缘层，且分别暴露部分所述第一有源层；所述第三接触孔与所述第四接触孔贯穿所述第二绝缘层，且分别暴露部分所述第二有源层；
形成第一电极、第二电极、第三电极及第四电极，所述第一电极部分位于所述第一接触孔内且与所述第一有源层接触，所述第二电极部分位于所述第二接触孔内且与所述第一有源层接触；所述第三电极部分位于所述第三接触孔内且与所述第二有源层接触，所述第四电极部分位于所述第四接触孔内且与所述第二有源层接触；
形成显示膜层。


2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第二有源层的材料为多晶金属氧化物半导体；或者所述第二有源层包括层叠设置的两层或两层以上的子膜层，所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的材料为多晶金属氧化物半导体。


3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第二有源层的材料为多晶金属氧化物半导体时，所述第二有源层的厚度范围为10nm～100nm；所述第二有源层包括两层或两层以上的子膜层时，所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的厚度范围为10nm～100nm。


4.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板还包括绑定区及邻接所述绑定区与所述显示区的弯折区，所述显示基板的制备方法还包括：
形成位于所述弯折区的开孔，所述开孔未贯穿所述衬底，所述绑定区可通过所述弯折区弯折至所述衬底背离所述第一绝缘层的一侧；
所述形成位于所述弯折区的开孔的步骤、与所述对所述第一绝缘层与所述第二绝缘层进行刻蚀，同时形成第一接触孔、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨维，袁广才，宁策，卢鑫泓，周天民，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11