光学器件及其制备方法、显示面板技术

本申请提出了一种光学器件及其制备方法、显示面板，该光学器件包括电连接的开关元件与光传感器，光传感器包括第一有源区，第一有源区内设置有第一沟道区和位于第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区中掺杂的离子种类与第二掺杂区中掺杂的离子种类不相同，第一掺杂区包括第一主掺杂区和第一次掺杂区，第一次掺杂区位于第一主掺杂区与第一沟道区之间，第一次掺杂区的离子掺杂浓度低于第一主掺杂区与第二掺杂区的离子掺杂浓度。本申请通过将光传感器设置成包括第一沟道区，位于第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区、位于第一主掺杂区与第一沟道区之间的第一次掺杂区的结构，降低光传感器的噪声，提高光传感器的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
光学器件及其制备方法、显示面板
本申请涉及显示面板领域，特别涉及一种光学器件及其制备方法、显示面板。
技术介绍
随着显示面板的快速发展，显示面板已经成为电子产品中不可或缺的一部分，如今用户除了要求显示面板具有高分辨、宽视角、低功耗等优异性能外，同时对显示面板提出了其它方面的要求，比如为了丰富面板功能，增加人机互动。目前为了提高显示面板的竞争力，增加人机互动是目前显示面板的主要发展方向之一，其中，利用环境光传感器实现人机互动是显示面板厂商的开发热点。但是，根据当前显示面板厂的低温多晶硅的生产工艺，生产出来的光传感器的暗电流较大，影响了光传感器的灵敏度，从而降低了显示面板人机互动的响应速度，导致用户体验感较差。因此，亟需一种光学器件以解决上述技术问题。
技术实现思路
本申请提供一种光学器件及其制备方法、显示面板，以改善现有感光传感器在人机互动过程中灵敏度差的技术问题。为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：本申请提供了一种光学器件，包括：衬底；位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括：开关元件；光传感器，所述光传感器与所述开关元件电连接；所述光传感器包括第一有源区，所述第一有源区包括第一沟道区和位于所述第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；其中，所述第一掺杂区中掺杂的离子种类与所述第二掺杂区中掺杂的离子种类不相同，所述第一掺杂区包括第一主掺杂区和第一次掺杂区，所述第一次掺杂区位于所述第一主掺杂区与所述第一沟道区之间，所述第一次掺杂区的离子掺杂浓度低于所述第一主掺杂区与所述第二掺杂区的离子掺杂浓度。本申请提供的光学器件中，所述开关元件包括第二有源区，所述第二有源区包括第二沟道区和分别位于所述第二沟道区两侧的两个第三掺杂区；所述第三掺杂区与所述第一掺杂区中掺杂的离子种类相同，所述第二掺杂区与其中一个所述第三掺杂区电连接。本申请提供的光学器件中，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区中掺杂的离子为磷离子，所述第二掺杂区中掺杂的离子为硼离子。本申请提供的光学器件中，任一所述第三掺杂区包括第三主掺杂区及位于所述第二沟道区与所述第三主掺杂区之间的第三次掺杂区；其中，所述第三主掺杂区的离子掺杂浓度大于所述第三次掺杂区的离子掺杂浓度。本申请提供的光学器件中，所述第一沟道区中沟道的宽度小于所述第二沟道区中沟道的宽度。本申请提供的光学器件中，所述驱动电路层还包括：覆盖所述第一有源区与所述第二有源区的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第一金属层；位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层；以及位于所述第二绝缘层上的第二金属层，所述第二金属层包括与所述第二掺杂区电连接的第一连接电极、与所述第三掺杂区电连接的第二连接电极、以及连接所述第一连接电极和所述第二连接电极的第三连接电极。本申请还提出了一种光学器件的制备方法，包括：在衬底上形成一有源材料层，并图案化处理形成第一有源区和第二有源区；对所述第一有源区和所述第二有源区进行离子注入；其中，对所述第一有源区进行离子注入，形成第一沟道区和位于所述第一沟道区两侧的第一掺杂区与第二掺杂区，所述第一掺杂区中掺杂的离子种类与所述第二掺杂区中掺杂的离子种类不相同，所述第一掺杂区包括第一主掺杂区和第一次掺杂区，所述第一次掺杂区位于所述第一主掺杂区与所述第一沟道区之间，所述第一次掺杂区的离子掺杂浓度低于所述第一主掺杂区与所述第二掺杂区的离子掺杂浓度。在本申请的光学器件的制备方法中，对所述第二有源区进行离子注入，形成第二沟道区和分别位于所述第二沟道区两侧的两个第三掺杂区，任一所述第三掺杂区包括第三主掺杂区及位于所述第二沟道区与所述第三主掺杂区之间的第三次掺杂区，所述第三掺杂区与所述第一掺杂区中掺杂的离子种类相同，所述第二掺杂区与其中一个所述第三主掺杂区电连接。在本申请的光学器件的制备方法中，对所述第一有源区以及所述第二有源区中的有源材料进行离子注入的步骤包括：对所述第一有源区以及所述第二有源区注入具有第一浓度的第一离子，以在所述第一有源区中形成第一主掺杂区以及在所述第二有源区中形成第三主掺杂区；在所述第一有源区以及所述第二有源区上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成包括图案化的第一金属层，所述第一金属层包括与所述第一沟道区对应的第一遮挡金属，以及与所述第二沟道区对应第二遮挡金属；对所述第一有源区和所述第二有源区注入具有第二浓度的第一离子，以使所述第一主掺杂区与所述第一沟道区之间的部分所述第一有源区形成第一次掺杂区，所述第一沟道区与所述第二有源区之间的部分所述第一有源区形成第二次掺杂区，以使所述第三主掺杂区与所述第二沟道区之间的部分所述第二有源区形成第三次掺杂区；对所述第二次掺杂区注入具有第三浓度的第二离子，以使所述第二次掺杂区形成第二掺杂区。本申请还提出了一种显示面板，包括上述所述的光学器件。有益效果：本申请的光传感器包括第一有源区，所述第一有源区包括第一沟道区和位于所述第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，所述第一掺杂区中掺杂的离子种类与所述第二掺杂区中掺杂的离子种类不相同，所述第一掺杂区包括第一主掺杂区和第一次掺杂区，所述第一次掺杂区位于所述第一主掺杂区与所述第一沟道区之间，所述第一次掺杂区的离子掺杂浓度低于所述第一主掺杂区与所述第二掺杂区的离子掺杂浓度。通过将所述光学传感器设置成上述结构，一方面，可以基于开关元件的生产工艺，不需要增加工序即可制备光传感器，简化光学器件的制备工艺；另一方面，由于在所述第一次掺杂区与所述第二掺杂区之间设有所述第一沟道区，从而降低了光传感器的噪声，提高了光传感器的灵敏度。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请光学器件的结构示意图。图2至图9为本申请光学器件的制备步骤图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在现有的显示面板生产工艺中，通常采用低温多晶硅的生产工艺，生产出来的光传感器的有源区都有离子掺杂，使得光传感器在反偏高电压状态下，暗电流上翘变大，灵敏度降低。本申请基于上述技术问题提出了下列技术方案：请参阅图1至图9，本申请提供了一种光学器件100，包括衬底101；位于所述衬底101上的驱动电路层，所述驱动电路层包括：开关元件100B；光传感器100A，所述光传感器100A与所述开关元件100B电连接；所述光传感器100A包括第一有源区105，所述第一有源区105包括第一沟道区1052和位于所述第一沟道区两侧的第一掺杂区1051和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括：/n开关元件；/n光传感器，所述光传感器与所述开关元件电连接；/n所述光传感器包括第一有源区，所述第一有源区包括第一沟道区和位于所述第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；/n其中，所述第一掺杂区中掺杂的离子种类与所述第二掺杂区中掺杂的离子种类不相同，所述第一掺杂区包括第一主掺杂区和第一次掺杂区，所述第一次掺杂区位于所述第一主掺杂区与所述第一沟道区之间，所述第一次掺杂区的离子掺杂浓度低于所述第一主掺杂区与所述第二掺杂区的离子掺杂浓度。/n

【技术特征摘要】
1.一种光学器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括：
开关元件；
光传感器，所述光传感器与所述开关元件电连接；
所述光传感器包括第一有源区，所述第一有源区包括第一沟道区和位于所述第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；
其中，所述第一掺杂区中掺杂的离子种类与所述第二掺杂区中掺杂的离子种类不相同，所述第一掺杂区包括第一主掺杂区和第一次掺杂区，所述第一次掺杂区位于所述第一主掺杂区与所述第一沟道区之间，所述第一次掺杂区的离子掺杂浓度低于所述第一主掺杂区与所述第二掺杂区的离子掺杂浓度。


2.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述开关元件包括第二有源区，所述第二有源区包括第二沟道区和分别位于所述第二沟道区两侧的两个第三掺杂区；
所述第三掺杂区与所述第一掺杂区中掺杂的离子种类相同，所述第二掺杂区与其中一个所述第三掺杂区电连接。


3.根据权利要求2所述的光学器件，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区中掺杂的离子为磷离子，所述第二掺杂区中掺杂的离子为硼离子。


4.根据权利要求2所述的光学器件，其特征在于，任一所述第三掺杂区包括第三主掺杂区及位于所述第二沟道区与所述第三主掺杂区之间的第三次掺杂区；
其中，所述第三主掺杂区的离子掺杂浓度大于所述第三次掺杂区的离子掺杂浓度。


5.权利要求2至4任一项所述的光学器件，其特征在于，所述第一沟道区中沟道的宽度小于所述第二沟道区中沟道的宽度。


6.权利要求5所述的光学器件，其特征在于，所述驱动电路层还包括：
覆盖所述第一有源区与所述第二有源区的第一绝缘层；
位于所述第一绝缘层上的第一金属层；
位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层；以及
位于所述第二绝缘层上的第二金属层，所述第二金属层包括与所述第二掺杂区电连接的第一连接电极、与所述第三掺杂区电连接的第二连接电极、以及连接所述第一连接电极和所述第二连接电极的第三连接电极。


7.一种光学器件的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚帆，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42