一种低温烧结的锑锰酸铅-锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷及其制备方法技术

一种低温烧结的锑锰酸铅‑锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷及其制备方法。本发明专利技术属于压铁电材料领域。本发明专利技术是为了解决现有硬性陶瓷烧结温度高、压电性能较低的技术问题。本发明专利技术的一种低温烧结的锑锰酸铅‑锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷的化学通式为0.05Pb(Mn

【技术实现步骤摘要】
一种低温烧结的锑锰酸铅-锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷及其制备方法
本专利技术属于压铁电材料领域，具体涉及一种低温烧结的锑锰酸铅-锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷及其制备方法。
技术介绍
随着电子产品的不断微型化，电子元器件都逐渐在向小、轻、薄的方向发展。而多层陶瓷电容器(MLCC)作为片状的元器件中应用极广的一类，广泛应用在医疗、导航、通讯和致动系统等高新
对于多层陶瓷，需要降低烧结温度，以利于陶瓷与内部电极(如银钯合金)的共烧成型。此外，较低的烧结温度也将降低生产过程中的能耗和氧化铅的挥发，减少金属离子向陶瓷内部扩散。因此，研发新一代的低烧结温度、高电学性能的压电材料成具有重大社会意义和经济价值。PZT基陶瓷因其制备工艺简单、成本较低、电性能优异等特点广泛应用于各种器件中。但一般的PZT基陶瓷其烧结温度在1200℃以上，这严重限制了其在多层陶瓷制备中电极的选择。一般地，能稳定在1200℃以上实现共烧的内电极浆料为纯铂电极，这极大的提高了多层制备的成本。而当烧结温度低于1000℃时，内电极浆料的选择便有了极大的拓展，比如镍内电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温烧结的锑锰酸铅-锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷，其特征在于，该低介电损耗压电陶瓷的化学通式为0.05Pb(Mn

【技术特征摘要】
1.一种低温烧结的锑锰酸铅-锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷，其特征在于，该低介电损耗压电陶瓷的化学通式为0.05Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-0.47PbZrO3-0.48PbTiO3+xwt％Li2CO3，其中0<x≤1。


2.根据权利要求1所述的所述低温烧结的锑锰酸铅-锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷，其特征在于，该低介电损耗压电陶瓷的化学式为0.05Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-0.47PbZrO3-0.48PbTiO3+1wt％Li2CO3。


3.如权利要求1或2所述的一种低温烧结的锑锰酸铅-锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷的制备方法，其特征在于，该制备方法按以下步骤进行：
步骤一、配料：以MnO2、PbO、TiO2、ZrO2、Sb2O3、LiCO3作为原料，按照低温烧结的锑锰酸铅-锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷的化学计量比称取原料，其中PbO的物质的量过量1.5％，球磨烘干；
步骤二、预烧：将步骤一烘干的粉体置于坩埚中，然后在马弗炉中预烧粉体；
步骤三、压片：将步骤二得到的预烧粉体二次球磨烘干，然后加入聚乙烯醇溶液研磨均匀，过筛后压制成胚体；
步骤四、排胶：将步骤三得到的胚体放入马弗炉中进行排胶，得到排胶后胚件；
步骤五、烧结：将步骤四得到的排胶后胚件放于马弗炉中，以同组分粉料覆盖胚件进行埋烧，以3℃/min～10℃/min的升温速度升至930～970℃，并在该温度下保温1.5h～3h，保温结束自然冷却至室温，得到陶瓷片；
步骤六、烧银：将步骤五烧结好的陶瓷片表面打磨处理，然后在陶瓷片的上、下表面涂抹银浆，再置于马弗炉中进行烧银，自然冷却至室温，得到被银的陶瓷片；
步骤七、极化：将步骤六得到的被银的陶瓷片置于100～140℃的硅油中，施加电场进行极化，得到低温烧结的锑锰酸铅-锆钛酸铅低...

【专利技术属性】
技术研发人员：边浪，曹文武，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23