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一种低温烧结的锑锰酸铅‑锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有硬性陶瓷烧结温度高、压电性能较低的技术问题。本发明的一种低温烧结的锑锰酸铅‑锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷的化学通式为0.05Pb(M...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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