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一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法技术

技术编号:26884420 阅读:48 留言:0更新日期:2020-12-29 15:39
本发明专利技术涉及一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法,属于铁电功能材料领域。一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法,是将LaNiO

【技术实现步骤摘要】
一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法
本专利技术涉及一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法,属于铁电功能材料领域。
技术介绍
采用电卡制冷效应大的材料制成的固态制冷设备与采用气态压缩原理的制冷设备(空调、冰箱等)相比不仅具有更高的制冷效率,而且在制冷过程中没有氟利昂等制冷剂的存在,因此不会产生对环境有影响的温室效应气体。薄膜电卡制冷材料有优异的综合性能,例如大的温度变化(ΔT)、制冷效率(COP)、电卡效率(ΔT/ΔE),在商业化固态电卡制冷器件的研究方面具有很大的应用前景。现有研究主要集中在PLZST体系中,对掺杂的PLZST体系研究较少。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法。本专利技术Nb掺杂铁电材料Pb0.99Nb0.02(ZrxSnyTi1-x-y)0.98O3,其中(x=0.65~0.85;y=0.1~0.3),Nb掺杂的PZST反铁电薄膜是一种性能优良的电卡制冷材料,由于其成分组成位于准同型相界点附近,使其具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:/n1)以Ni(CH

【技术特征摘要】
1.一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
1)以Ni(CH3COO)2、La(NO3)3为原料制备LaNiO3前驱体溶液;
2)将步骤1)得到的LaNiO3前驱体溶液以4000-6000rpm的转速旋涂30-60s在Pt衬底上面;
3)将步骤2)制得的湿膜在180-250℃干燥,然后在450-600℃热解,最后在700-800℃退火,得到一层LaNiO3薄膜;
4)重复步骤2)和步骤3)得到多层LaNiO3/Pt复合基底;
5)制备Pb0.99Nb0.02(ZrxSnyTi1-x-y)0.98O3前驱体,其中x=0.65~0.85;y=0.1~0.3;
6)将步骤5)得到的前驱体溶液使用匀胶机以4000-6000rpm的转速旋涂30-40s在步骤4)得到的LaNiO3/Pt复合基底上面,得到凝胶湿膜;
7)将步骤6)得到的凝胶湿膜在100-200℃干燥,在400-500℃热解,最后在600-750℃退火,得到一层Nb掺杂的PZST薄膜;
8)将步骤6)和步骤7)分别循环往复8次、12次、16次...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭彪林张苗苗
申请(专利权)人:广西大学
类型:发明
国别省市:广西;45

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