一种用于碳化硅预对准晶圆制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于碳化硅预对准晶圆。所述用于碳化硅预对准晶圆通过在碳化硅晶圆的正面的边缘处设置圆环状的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括硅化物层或金属层或硅层，且所述屏蔽结构的宽度在2mm～10mm的范围内。如此，可使得所述用于碳化硅预对准晶圆在后续加工时可顺利采用传统的激光对射技术，以确定所述碳化硅晶圆的平边位置。本实用新型专利技术制备工艺简单且成本低，易于实现碳化硅晶圆预对准的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅预对准晶圆
本技术涉及一种用于碳化硅预对准晶圆。
技术介绍
碳化硅材料属于第三代宽禁带化合物半导体材料，由于其三倍于硅的禁带宽度，高的临界击穿电场、热导率和载流子饱和漂移速度，使得其成为制备电力电子领域核心功率器件绝佳的材料。为了降低研发成本，通常都是基于传统硅衬底的半导体预对准工艺进行开发，即利用激光对射原理来确定晶圆衬底的平边位置，可是与传统硅衬底不同之处在于纯净的碳化硅衬底是一种无色透明的材料。因此通常的处理方法是在碳化硅晶圆的背面沉积一层不透明的材料，然后再继续做后续的工艺流程，但该方法在器件加工完成后需要做背面减薄，将背面不透明材料去除，同时在晶圆背面额外沉积一定厚度的材料后也会增加背面的不平整型，影响背面的吸附力以及整片晶圆的平整度；另外在对晶圆背面做沉积时，难免会对晶圆正面做吸附、传送动作，这些动作的操作过程会增加划伤晶圆正面的风险。以上
技术介绍
内容的公开仅用于辅助理解本技术的技术构思及技术方案，其并不必然属于本专利申请的现有技术，在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日已经公开的情况下，上述
技术介绍
不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种成本低且制备工艺简单的用于碳化硅预对准晶圆，以利于实现碳化硅晶圆预对准的目的。本技术为达上述目的所提出的技术方案如下：一种用于碳化硅预对准晶圆，所述用于碳化硅预对准晶圆包括碳化硅晶圆及屏蔽结构，所述屏蔽结构为圆环状，且形成于所述碳化硅晶圆的正面的边缘处。进一步地，所述屏蔽结构包括硅化物层或金属层或硅层中的一种。进一步地，所述屏蔽结构还包括二氧化硅层，所述二氧化硅层形成于所述碳化硅晶圆的正面上。进一步地，所述屏蔽结构的宽度在2mm～10mm的范围内。上述用于碳化硅预对准晶圆通过在碳化硅晶圆的正面的边缘处设置圆环状的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括硅化物层或金属层或硅层，并设置所述屏蔽结构的宽度在2mm～10mm的范围内。如此，可使得所述用于碳化硅预对准晶圆在后续加工时可顺利采用传统的激光对射技术，以确定所述碳化硅晶圆的平边位置。本技术工艺简单且成本低，易于实现碳化硅晶圆预对准的目的。附图说明图1是本技术提供的用于碳化硅预对准晶圆的一较佳实施方式的结构示意图。图2是本技术提供的用于碳化硅预对准晶圆的一较佳实施方式的截面示意图。图3是本技术提供的用于碳化硅预对准晶圆的制备方法过程中形成非透光层的一较佳实施方式的截面示意图。图4是本技术提供的用于碳化硅预对准晶圆的制备方法过程中的刻蚀设备的结构示意图。图5是本技术提供的用于碳化硅预对准晶圆的制备方法中实施例一所形成的非透光层的截面示意图。图6是本技术提供的用于碳化硅预对准晶圆的制备方法中实施例二所形成的非透光层的截面示意图。图7是本技术提供的用于碳化硅预对准晶圆的制备方法中实施例三所形成的非透光层的截面示意图。主要元件符号说明用于预对准晶圆01碳化硅晶圆001非透光层002二氧化硅层0022氮化硅层0023金属层0024多晶硅层0025刻蚀设备003压环结构004镂空区域005屏蔽结构006如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本技术。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1所示，本技术提供一种用于碳化硅预对准晶圆01，包括碳化硅晶圆001及屏蔽结构006，所述屏蔽结构006为圆环状，且形成于所述碳化硅晶圆001的正面的边缘处。在本实施方式中，所述屏蔽结构006包括硅化物层或金属层或硅层中的一种。在本实施方式中，所述屏蔽结构006的宽度在2mm～10mm的范围内。如图2所示，在本实施方式中，所述屏蔽结构006还包括二氧化硅层0022，所述二氧化硅层0022形成于所述碳化硅晶圆001的正面上。所述二氧化硅层0022的厚度在10nm～50nm的范围内。如此一来，所述用于碳化硅预对准晶圆01通过在所述碳化硅晶圆001正面的边缘处设置合适宽度的屏蔽结构006，从而解决了晶圆在后续加工过程中的预对准环节时激光射线不能被接收到的问题，同时也不会影响晶圆正常产出的芯片晶粒数量。该方法避免了光刻工步，简化了碳化硅晶圆后续加工工艺，节省了开发成本。下面详细说明本技术提供的用于碳化硅预对准晶圆01的制备方法：在碳化硅晶圆001的正面形成一非透光层002，请参考图3。提供一带压环结构004的刻蚀设备003，请参考图4，所述压环结构004的中间形成有镂空区域005，所述镂空区域005的尺寸小于所述碳化硅晶圆001的尺寸。将所述刻蚀设备003与形成所述非透光层002后的的碳化硅晶圆001进行预对准，以使得所述刻蚀设备003的压环结构004对应于所述非透光层002的边缘处压紧所述碳化硅晶圆001。由于所述碳化硅晶圆001的正面已形成了所述非透光层002，所以可以正常通过刻蚀设备003的预对准环节。通过所述刻蚀设备003对所述镂空区域005处的非透光层004进行干法刻蚀，以露出所述碳化硅晶圆001的正面，并保留所述碳化硅晶圆001的边缘处的非透光层002，以形成用于碳化硅晶圆001预对准的屏蔽结构006，请参考图5。在该技术方案中，所述镂空区域005的形状可为规则的圆柱状。如此，可使得所形成的屏蔽结构006为规则的圆环型，并均匀分布在碳化硅晶圆001正面的边缘处。在该技术方案中，所述屏蔽结构006的宽度为所述镂空区域005与所述碳化硅晶圆001的尺寸差，所述屏蔽结构006的宽度在2mm～10mm的范围内。实施例一：请参考图5，所述在碳化硅晶圆001的正面形成一非透光层002的具体步骤为：采用化学气相沉积或热氧化生长的工艺在所述碳化硅晶圆001的正面形成二氧化硅层0022。在本实施例中，所述二氧化硅层0022的厚度在10nm～50nm的范围内。在形成所述二氧化硅层0022后，采用化学气相沉积工艺在所述碳化硅晶圆001的正面形成氮化硅层0023，即此时所述二氧化硅层0022处于所述碳化硅晶圆001及所述氮化硅层0023之间。所述氮化硅层0023的厚度在100nm～2um的范围内。在该技术方案中，所述碳化硅晶圆001的正面自下而上依次形成有二氧化硅层0022、氮化硅层0023，所述刻蚀设备003将对所述镂空区域005处的氮化硅层0023及二氧化硅层0022进行干法刻蚀，以露出所述碳化硅晶圆001的正面，并保留所述碳化硅晶圆001的边缘处的氮化硅层0023及二氧化硅层0022，以形成所述屏蔽结构006。...

【技术保护点】
1.一种用于碳化硅预对准晶圆，其特征在于，所述用于碳化硅预对准晶圆包括碳化硅晶圆及屏蔽结构，所述屏蔽结构为圆环状，且形成于所述碳化硅晶圆的正面的边缘处。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅预对准晶圆，其特征在于，所述用于碳化硅预对准晶圆包括碳化硅晶圆及屏蔽结构，所述屏蔽结构为圆环状，且形成于所述碳化硅晶圆的正面的边缘处。


2.根据权利要求1所述的用于碳化硅预对准晶圆，其特征在于，所述屏蔽结构包括硅化物层或金属层或硅层中的一种。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜蕾，孙军，张振中，和巍巍，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44